2010年Q4 NAND Flash合约价将呈缓跌走势-电子工程世界

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　　根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，9月上旬主流 NAND Flash 合约均价受到季底效应的影响，将下跌约5-10%。而第四季的旺季效应将在10月备货高峰期过后开始回软，使旺季效应不显著，预期4Q10 NAND Flash合约价将呈现缓跌走势。

　　目前记忆卡及 UFD 客户在零售市场的需求，依然平淡且季底结帐将近，在库存水位偏高的情况下，一些客户对中国市场由中秋节到十月黄金周的长假库存回补意愿并不高，部份供货商因其记忆卡及UFD的客户比率较高，在季底效应的影响下，便以较大幅度的降价方法来提振记忆卡客户的采购需求。

　　但部份供货商因其系统产品客户比率较高，在旺季备货订单的稳定挹注下，定价策略则得以采取持稳或小跌的方式，来因应季底效应的影响，目前各家 NAND Flash 供货商因其客户结构及掌握长单状况的不同，故在定价策略上也有所差异。

　　虽然目前 NAND Flash 相关业者对4Q10市场的能见度还不太清晰，但DRAMeXchange预期 4Q10 NAND Flash 市场将会受到多空因素持续的影响：部份供货商接获的系统产品订单仍可持续到11月初；供货商期望10月中下旬中国长假结束及下游客户的库存水位下降后，在降价促销助力下年终销售旺季的备货需求可望回温。

　　此外，4Q10 NAND Flash位产出量将供货商的新2xnm制程技术及TLC产品的比重提高并持续增加；搭配高NAND Flash容量的智能手机及平板电脑的新机种上市效应，可望提高4Q10市场需求量；全球个别市场的复苏步调不一，可能削弱传统4Q旺季买气；年终及季底结帐降库存效应等等。

　　因此，DRAMeXchange预期，4Q旺季效应将在10月备货高峰期过后开始回软，使得4Q10的NAND Flash合约价呈现缓跌的走势。

关键字：NAND Flash 合约价市场行情库存记忆卡编辑：小甘引用地址：2010年Q4 NAND Flash合约价将呈缓跌走势

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