美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画，美光表示不担心供过于求，在产能增加的同时，平板计算机等应用也大幅崛起，预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。
美光近来年陆续在34奈米和25奈米技术世代上，都接连领先三星和东芝，在全球NAND Flash技术地位上大幅提升，加上与英特尔合资建厂，也使得全球NAND Flash市占率增加，2010年第3季达10%。
展望2011年NAND Flash市场概况，三星和东芝都有扩产的计画，三星兴建的Line-16新厂房预计将以NAND Flash产品为主，东芝与快闪记忆卡龙头大厂新帝(SanDisk)合资兴建的Fab 5，也预计在2011年投产。
面对三星和东芝对于扩产NAND Flash产能来势汹汹，美光在新加坡的新厂也将于2011年加入投产，预计此厂房的产能规模约10万片，预计2011年底前先完成50%机器设备装置。
面对2011年NAND Flash产能大幅增加，美光表示，其实在终端应用上，也同步在往上，包括平板计算机、固态硬碟(SSD)、智能型手机等对于NAND Flash需求量都大增，预期2011年的NAND Flash市场供需将是健康稳定成长。
再者，美光除了制程技术持续领先外，美光在产品技术上，也一直紧抓市场脉动包括eMMC解决方案之外，也领先推出ClearNAND产品，将ECC除错机制(Error Correcting Code)功能包裹在芯片之内，预计未来可抢占平板计算机商机。
面对NAND Flash技术在25奈米以下离瓶颈期越来越近，美光也持续开发下世代快闪存储器技术，在购并恒忆(Numonyx)之后，也获得相变化存储器(Phase-Change Memory；PCM)技术和专利，美光看好PCM可以取代NAND Flash和DRAM技术，这会是美光未来布局的重点之一。
再者，美光指出，新存储器技术包括Cross Point Memory和3D技术等，也都是未来布局的一环。
关键字：NAND Flash 内存 美光 DRAM PCM
编辑：小甘 引用地址：美光新加坡厂明年投产，NAND Flash卡位战再起
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大摩:NAND Flash复苏第4季已有放缓
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Gartner：2017全球半导体产值预计大涨19.7％
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制程转进成本下降 DRAM业明年可持续获利
针对 DRAM 厂明年获利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降， DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者，今年营业利益率平均为36%，明年平均为26%；而成本优势落后者，今年下半年转亏为盈，明年营业利益率约可维持在10% 上下。
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内存产业复苏不明 转向模拟芯片领域
由于处境不佳的电脑内存市场今年预计仅会温和复苏，考虑押注全球芯片产业的投资者可能打算把资金投向快速增长的模拟芯片领域。用于便携产品的闪存价格似乎正在趋稳，但参加路透全球技术、媒体与电信峰会的高管们表示，他们对于该产业何时复苏不太确定。
分析师预计今年全球DRAM销售额下降10%，2009年增长约20%。主要DRAM供应商三星(Samsung)电子和海力士(Hynix)半导体的价格自4月以来反弹，促使业内高管预期市场供需在今年下半年恢复平衡。
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NAND Flash买气淡7月下旬合约价仍稳住阵脚
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