日前,IMEC(欧洲微电子中心)主席Luc van den Hove表示,继英特尔公布将采用FinFET垂直型晶体管结构后,其他公司也将在22nm时代选择改良型FinFET晶体管。
但到目前为止,尚无任何其他公司宣布FinFET制程细节,瓶颈主要来源于CAD工具的缺失。
“IMEC已经从事SOI或CMOS衬底开发FinFET技术长达10年,现在终于等到商用量产阶段了。”Luc van den Hove表示。
IMEC致力于每家公司都可以使用FinFET技术,我们和所有的代工厂都有合作,而我们所扮演的角色就是帮助半导体厂商评估和使用FinFET技术。”
“我认为其他公司会采用我们这种模式,”van den Hove说,“现在的关键问题是什么时候会采用FinFET技术,有可能是在20nm、22nm或者14nm时。”
van den Hove表示,与Intel宣布的22nm制程特性相比,IMEC的FinFET技术可以提高30%性能或者降低50%功耗。其同时表示,FinFET技术未来还很漫长,目前IMEC正研究采用锗或者三五族化合物实现FinFET架构。
另据van den Hove透露,目前几个关键客户都与IMEC签订了合作协议。
同时van den Hove认为FinFet与Intel Tri-Gate并无区别。
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