英盛德：FinFET技术日盛 前景可观

根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。

工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：「最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展场中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形产业领域的最知名企业——已在向多重闸极(multi-gate)或三闸极(tri-gate)这类技术进军。这些企业希望从这项技术中受惠，因为新架构可以减小产品尺寸，并进一步提高整合度和效能。实现这项技术并不仅仅只是从一个制程节点直接向下一个制程节点过渡。20奈米以下的架构要求用户掌握使用新的工具；它并非只是缩小形体尺寸和使用标准元件布局技术那么简单。」

英盛德执行长Graham Curren补充说：「聘请像我们这类专业设计公司的主要原因之一在于，企业一般难以承担这笔花费——时间或资金——从而让其工程团队瞭解所有最新的设计创新。英盛德的模式就是将具体的专长融入合作当中。因此，例如，就FinFET技术而言，为了彻底瞭解和掌握FinFET积体电路设计，我们已经投入了大量的精力。」