GTAT宣布收购Kyma的气相淀积技术及IP

    Kyma Technologies, Inc.授权GT Advanced Technologies使用等离子体汽相淀积技术。该解决方案扩大了GT可用于生产低成本、开盒即用发光二极管（LED）晶圆的氮化镓技术产品供应

    GT Advanced Technologies (纳斯达克代码：GTAT)今天宣布已经向Kyma Technologies, Inc.收购其等离子体汽相淀积(PVD)技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的等离子体汽相淀积柱状纳米技术(PVDNC(TM))可以在氮化镓沉淀前，在晶圆上沉积一层高质量的生长型初始层氮化铝。GT 计划将等离子体汽相淀积工具商业化，以配合其正在研发的氢化物气相外延(HVPE)系统，这个组合将可以让LED生产商在图案化或平面晶圆上，用更低的成本生产更高产量的氮化镓模板。GT已经有一个可以用于大量生产的原型工具，结合Kyma的等离子体汽相淀积柱状纳米技术，预期到2015年上半年可提供量产工具。

    GT的总裁兼首席执行官Tom Gutierrez 表示：“Kyma创新的“柱状纳米”PVDNC技术为我们不断扩张的LED生产基地带来了重要的补充。我们的目标是提供一系列的解决方案，以提升LED生产的质量及降低成本。将GT的PVD AlN工具与我们正在研发的HVPE系统相结合，预计可让LED生产商以比现行生产技术更低的成本生产出开盒即用晶圆。”

    Kyma的总裁兼首席执行官Keith Evans表示：“我们非常高兴GT决定将我们的等离子体汽相淀积柱状纳米技术商业化。经过多年创新及生产AIN模板，我们深信柱状纳米AlN 薄膜将为LED行业带来实实在在的好处。”

    今天，将氮化镓沉积在开盒即用的晶圆时，需要使用较为昂贵而且进程缓慢的MOCVD工具。通过结合PVD与HVPE这两个流程，将可以生产低成本的氮化镓模板，厂商将能够利用现有的LED生产线扩产；另外，由于他们需要的MOCVD 工具更少，此举也可以降低其资本开支。