英飞凌将与松下电器联袂 双双推出常闭型600V GaN功率器件

2023年7月20日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商--- 大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。 图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图 近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能够以高能效和高功率密度实现电源转换，在快充时代备受欢迎。针对此趋势，大联大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN电源转换器方案，能够优化电源的充电效能的同时，保持小型化外观。 图示2-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的场景应用图 本方案的核心ViperGaN50是一

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）现已向最小型汽车电子电源迈进。英飞凌作为首家芯片制造商，创立了专门的倒装芯片封装生产工艺，完全符合汽车市场的高质量要求。英飞凌现推出首款相关产品：线性稳压器OPTIREG™ TLS715B0NAV50。 凭借倒装芯片技术，IC可颠倒安装于封装之中。通过让IC的受热部分正面朝向封装底部，并靠近PCB，导热性可提高2-3倍。与传统封装技术相比，其更高的功率密度大大缩小了产品尺寸。 得益于专用的汽车倒装芯片技术，OPTIREG™ TLS715B0NAV50的尺寸比参考产品小了60%以上 这款英飞凌全新推出的线性稳压器（采用TSNP-7-8封装，2.0 m

英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率 近日，英飞凌科技股份有限公司 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。 由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在 d

2011年11月30日，德国纽必堡讯 - 英飞凌科技股份公司监事会近日决定 采取管理委员会的建议，向即将召开的年度股东大会建议将股利提高20%，使符合条 件的普通股每股分红0.12欧元。 英飞凌科技股份公司首席执行官Peter Bauer表示：“我们的分红策略目 的是在整个市场周期向我们的股东支付可持续的股利，从而使他们能够持续分享我们 公司的成功，我们的股东还将受益于进一步的股票和债券回购。除了股利支付外，作 为正在实施的股本回购计划的一部分，我们还将在2011年10月至2013年3月期间投入 总额高达2.08亿欧元的回购资金。” 2011财年是英飞凌在十年内首度二次支付股利。2011年2月17日

英飞凌科技股份有限公司 与联华电子股份有限公司宣布，将其制造合作伙伴关系扩大到汽车应用的功率半导体。在扩大合作伙伴关系之前，联华电子为英飞凌生产逻辑芯片的合作关系已超过 15 年。根据最近签署的协议，两家公司将合力将英飞凌的汽车级品质智能功率技术 (SPT9) 转移给联华电子并将生产合同扩大到 300mm 晶圆。双方计划于 2018 年初在联华电子的 300mm 工厂开始生产 SPT9 产品。 SPT9 是英飞凌专有的在单一芯片上整合微控制器智能和功率技术的 130 纳米工艺技术。 “我们很荣幸地宣布与英飞凌这一里程碑式的合作，将 SPT9 引入了联华电子的技术发展路线图， ”联华电子首席执行官 Po-Wen Yen 表示。

    英飞凌在汽车电子和新能源领域都有巨大的技术优势，而新能源电动汽车的出现给了英飞凌更多的市场机会。日前，英飞凌电驱动系统产品市场总监Dusan Graovac博士与我们分享了英飞凌在新能源汽车领域的战略布局和对该市场的预测。  图：英飞凌电驱动系统产品市场总监Dusan Graovac博士。 英飞凌最近新设立了一个大功率汽车产品部门，能否具体介绍一下？     英飞凌有四大部门，每个部门里有各自的产品线，而每个产品线相当于小的公司。最早以前汽车业务属于低功率模块，而工业方面则有大功率模块。由于现在出现新能源汽车的大功率需求，所以在汽车业务部门外又增加了一个做大功率电动汽车产品的部门。从产品上来看，包括芯

日前，英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列，可以满足包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。 英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源详细解读了英飞凌全新650V SiC的产品特性，以及英飞凌在SiC等第三代半导体领域的布局。 英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源 解析SiC市场 陈清源表示，单就SiC技术来说，英飞凌已经耕耘了超

　　STATS ChipPAC、ST和Infineon日前宣布，在英飞凌的第一代嵌入式晶圆级球栅阵列（eWLB）技术基础上，三家公司将合作开发下一代的eWLB技术，用于封装未来的半导体产品。通过Infineon对ST和STATS ChipPAC的技术许可协议，主要研发方向是利用一片重构晶圆的两面，提供集成度更高、接触单元数量更多的半导体解决方案。 　　eWLB技术整合传统半导体制造的前工序和后工序技术，以平行制程同步处理晶圆上所有的芯片，从而降低制造成本。随着芯片保护封装的集成度不断提高，外部触点数量大幅度增加，这项技术将为最先进的无线产品和消费电子产品在成本和尺寸上带来更大的好处。 　　创新的eWLB技术可以提高封装