科林研发Kiyo(R)系列产品为高级存储器提供关键导体刻蚀

Kiyo F系列产品面向3D NAND和高级DRAM，提供在片性能（On-Wafer Performance）和量产所需的高生产率

面 向半导体行业提供创新晶圆制造设备和服务的全球主要供应商科林研发（Lam Research Corp.）（纳斯达克股票代码：LRCX）今天宣布，其Kiyo(R) F系列导体刻蚀系统将有助于3D NAND和高级DRAM进入量产。这些应用的关键刻蚀要求包括：3D NAND要求严格的关键尺寸（CD）一致性和控制，DRAM要求均匀的刻蚀深度。凭借独家专有的Mixed-Mode Pulsing（MMP）技术，Kiyo F系列既能提供高级存储器应用所需要的性能，同时又能保证高生产率。因此，该产品在面向高级存储器和其他转折技术的关键刻蚀市场赢得了大量应用，而且正在 赢得更多的市场份额。
 
刻蚀产品事业部集团副总裁Vahid Vahedi表示："对于3D NAND，我们的客户面临大量挑战，包括如何达到严格的刻蚀要求，如何满足积极的增产需求，以及如何在从平面NAND转向3D NAND的过程中实现成本效益。我们正在和客户紧密合作，通过提供强大、及时的解决方案且不损害生产率，来应对这些新挑战，支持这个技术转折。"
 
通 过将存储器单元垂直堆叠，NAND闪存制造商能把更多的存储容量集成在更小的器件上，还能降低光刻要求和单位制造成本。对于多层3D NAND结构，关键导体刻蚀工艺包括阶梯刻蚀和针对垂直沟道的高深宽比 （HAR）掩膜窗口（mask open）。掩膜窗口非常关键，因为它为后续的垂直晶体管沟道刻蚀确定了CD和CD一致性。阶梯刻蚀在整个3D堆叠上的每对介质膜边缘制造出等宽的"阶 梯"，形成阶梯状结构。因为在器件制作过程中这些阶梯具有广泛的重复性，所以按严格的工艺控制和高吞吐率进行刻蚀至关重要。CD可变性必须得到严格控制， 否则字线触点可能会错过某一个太窄或不均匀的阶梯。对于高级DRAM器件，深度控制是一个关键参数，尤其是对HAR前道工序（front-end-of- line）硅刻蚀应用而言。重点包括深宽比加载（刻蚀速度随特征尺寸不同而不同）和深度加载（刻蚀深度随图案密度变化而变化）。
 
Kiyo F系列以科林研发市场领先的Kiyo导体刻蚀产品为基础，为高级存储器应用带来了高生产率和最小可变性。科林研发的MMP技术为垂直剖面提供了先进的剖面 和CD控制，为一致的刻蚀深度提供了良好的选择性和自校正控制。这些功能为3D NAND阶梯刻蚀带来了高剪切率和优秀的可重复性，这是生产环境所必需的。对称室设计和径向自校正提供了一流的一致性，这对把CD可变性降至最低限度非常 重要。对于新一代高级存储器和逻辑器件，MMP技术支持原子层刻蚀（ALE），提供了可扩展性、可重复性和原子级精度。
 
Kiyo F系列已在各大存储器制造商的关键导体刻蚀应用中成为重要的生产开发工具。对于3D NAND，应用包括针对垂直沟道的阶梯刻蚀和HAR掩膜窗口；对于DRAM，应用包括HAR栅极、HAR沟道和金属凹槽。由于具备这些优势，过去一 年，Kiyo F系列装机量增长了两倍多。此外，由于该产品在技术转折中的强力地位，随着新一代工艺技术的投产，该产品有望赢得更多的应用。