IMEC发表具横式硅质奈米线的微缩尺寸环绕式极匣MOSFET

在为功率转换选择高功率开关器件时，过去只有两个选择，硅MOSFET或者是IGBT，然而最新的应用如AC-DC转换器，逆变器，DC-DC转换器等，都达到了上千V水平，需要考虑SiC等更耐高压的产品。对于高压开关，与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具有显着的优势，支持超过1,000 V的高压电源轨，且工作在数百KHz频率，甚至超过了最好的硅MOSFET。 值得注意的是，SiC器件可以满足新要求，但他们的电路要求不同。具体而言，它们具有特殊的栅极驱动需求，安森美半导体通过其SiC栅极驱动器系列解决了这一问题，将SiC MOSFET的优势带入当今要求苛刻的电源产品中，尤其是汽车电气系统和电动汽车等。 应用目标

　　为帮助提高DC/DC在更轻负载和更高频率下的转换效率，可以将肖特基二极管集成到MOSFET芯片中，构成单个封装，以降低BUCK变换器电路低压侧开关的功耗。此外，如果将这两种元件结合到一个单块芯片上，则MOSFET的额定RDS(on)更低，并且能节省空间。负载点（POL）、直流-直流转换以及稳压模块都是计算机和固定电信市场功率管理应用的构成部分，这些市场正促进着对能提高效率且性能更高的MOSFET的需求。 　　达到这一目标的一个特别有益的方法就是改善轻负载下的效率。这一点很重要，原因是大多数服务器和笔记本电脑在大多数开机时间内都不是处于最大负载，就是说，一般情况下对CPU要求都不高，吸入电流比系统能够承受的最大IOUT 要

我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果您是一名 IC 设计人员，则您还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。 图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关 首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其

　　我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。 　　 工作性质： 　　1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 　　2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 　　3、功耗问题：三极管损耗大。 　　4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 　　实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 　　MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 　　一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 　　实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶

最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件。 2014 年 3 月 24 日，北京讯---德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。 最低导通电阻 两款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻，从而可

     传统的离线开关模式功率转换器会产生带高谐波含量的非正弦输入电流。这会给电源线、断路开关和电力设施带来压力。此外，谐波还会影响连接同一电源线的其他电子设备。在应用于开关模式电源之前对输入电流整形的有源功率因数校正器(PFC)可以解决这个问题。         自从欧盟建立了针对电子设备的EN61000-3-2标准和A14修正案以来，PFC变得更为重要。该标准规定允许ac线电流谐波。规定视输入功率、产品类型和特定的谐波而有所不同。原始设备分类和A14修正案分类列表见下表。         人们最感兴趣的是D类规定，因为它涉及了PC、计算机监视器和电视接收器。其他设备只需满足A类规定。为了了解PFC如何工作，我们首先来看一下功率

　　前言 　　近年来，产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象，促使环保 节能 的观念逐渐受到重视，更造就各项 新能源 的开发，能源利用技术及新式组件或装置的发展，而能源政策的推广更使得能源概念的商机逐渐扩大。 　　为了满足节能和降低系统 功率 损耗的需求，需要更高的能源转换效率，这些与时俱进的设计规范要求，对于 电源 转换器设计者会是日益严厉的挑战。为应对此需求，除使用各种新的转换器拓扑（topology）与电源转换技术来提高电源转换效率之外，新式功率组件在高效能转换器中所扮演的重要角色，亦不容忽视。其中，Power MOSFET目前已广泛应用于各种电源转换器。本文将简述Power MOSFET的特性、参数与应用，

2007 年 11 月 27 日 － 北京 － 凌力尔特公司 ( Linear Technology Corporation ) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1 ，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱 动 高 端和低端 N 沟道功率 MOSFET 。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MO