华米智能型手表采Sony FD-SOI制程芯片

　　尽管全空乏绝缘上覆矽（Fully Depleted Silicon-on-Insulator；FD-SOI）制程被提出已有一段时间，却迟迟没有一个使用FD-SOI制程的最终成品出现在市面上，因此也引起不少人对FD-SOI制程的疑虑。然而就在大陆华米推出了使用Sony FD-SOI制程芯片的智能型手表后，业界也恢复了对FD-SOI制程的信心。

　　据报导，华米推出的智能型手表Amazfit，使用了采28纳米FD-SOI制程的Sony GPS芯片。Amazfit最大的特点，便在于它长达5天的电池续航力，相当于GPS开启状态下35小时的时间。这除了证明了Sony的芯片技术，对FD-SOI制程拥护者而言，也是一项好消息。

　　Soitec执行长Paul Boudre表示，业界一直对于FinFET、FD-SOI孰优孰劣争论不休，随著Amazfit的问世，这项讨论也可从理论进入到应用上的实际表现。

　　在2016年的国际固态电路大会（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）上，Sony工程师针对其28纳米FD-SOI制程GNSS芯片技术，发表了一篇论文。文中提到了GNSS对于感测处理器的重要性，并指出GNSS适配器的高功耗是其难以使用在穿戴式装置上的主因。

　　为了解决功问题，Sony发展出0.7V的FR电路，成功运用FD-SOI制程将GPS芯片的RF功率从6.3mW降低至1.5mW。这也让华米Amazfit的电池续航力较其它产品增加了2.5倍。

　　Boudre指出，华米Amazfit的问世，将可能让大陆其它物联网、汽车、行动装置厂商考虑跟进使用FD-SOI制程芯片，大陆的无晶圆厂业者也可能开始可虑FD-SOI制程的芯片设计。在未来的12到18个月内，市场上或许将出现许多以FD-SOI制程为基础的大陆产品。同时有人预测，上海华力晶圆厂也将投入FD-SOI制程。

　　除了大陆厂商，三星电子（Samsung Electronics）与GlobalFoundries目前正分别推动28纳米及22纳米的FD-SOI制程代工。FD-SOI制程的影响力几乎扩及了所有芯片厂商。

　　继22FDX后，GlobalFoundries计划推出12FDX的FD-SOI制程技术，据称能性能与10纳米FinFET制程类似，且功耗及成本都都于16纳米FinFET制程。

　　Boudre指出，正在为FD-SOI制程规划长远技术蓝图的CEA-Leti，最近公布了10纳米FD-SOI制程「矽资料」（silicon data）。CEA-Leti已具备10纳米的FD-SOI制程的「建模资料」（modeling data）。

　　有了飞思卡尔（Freescale）在FD-SOI制程的经验，恩智浦半导体（NXP Semiconductor）的FD-SOI能力有了大幅的提升。一旦高通（Qualcomm）收购了恩智浦，将可能在半导体产业产生影响甚钜的涟漪效应。