推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:38
带你了解一下什么叫相变存储器
近年来,非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展,为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机,采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术可以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注,本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器(Phase Change Random Access Memory, 简称PCRAM)的基本结构如图1所示,相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号,使相变材料发生物理相态的变化,即晶态(低阻态)和非晶态 (高
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国产相变存储器突破 打印机用芯片成本降低20%
每生产一个打印机用的芯片,仅去掉电池一项,成本就能降低20%。中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室主任宋志棠,兴奋地给解放日报·上观新闻记者算了一笔账,他们联合中芯国际集成电路制造(上海)有限公司和珠海艾派克微电子有限公司开发的相变存储器芯片,无需像其他芯片一样携带电池,大小不到1平方厘米,不仅增加了系统稳定性,更加环保,还节省了加工费,4个月来已完成销售1600万颗。这是国际上第一个 嵌入式 相变存储器实现产业化的产品。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 国产相变存储器突破 打印机用芯片成本降低20% 在上海微系统所的信息功能材料国家重点实验室,解放日报·上观新闻记者看到,同样查询98M
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国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年,中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来,通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片,取得了工程应用的突破,实现了产业化销售。截至今年6月,该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成果发布会上获悉的。 相变存储器,顾名思义,是利用电脉冲诱导相变材料在高阻的非晶态与低阻的晶态之间进行可逆转变,实现信息的写入和擦除,通过电阻变化实现数据读出的一种新型存储器。能否研发出集两者优点于一身的新型存储器,成了影响电子产品升级换代的一个关键因素。相变存储器是近年来科学家研究的新型存储器之一。目前国际上仅有三星、
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宁波时代全芯路演:2025年相变存储器规模可媲美半导体
目前,国内半导体行业迎来了加速发展期,而相变存储器(PCM)也引发存储市场的新一轮变革。 11月29日,云投行与宁波时代全芯在深交所举办宁波时代全芯相变存储器项目专场路演会。前海股权交易中心云投行投资基金管理合伙人方文格表示:“世界存储市场格局正在发生变化,我们应当紧跟潮流。第四代存储时代已经到来,无论从经济上还是战略上,发展PCM是中国存储弯道超车的最佳机会。” 目前,相变存储器被公认为第四代存储器中最为成熟的存储器,国际巨头如IBM、三星等纷纷布局PCM。宁波时代全芯将成为国内首家、世界第三家掌握第四代存储器PCM技术的公司,有望打破存储产品依靠进口的现状。宁波时代全芯科技有限公司总裁兼总经理邹晔伯博士认为,“PCM
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相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法
BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示,已经发现能够可靠地在 相变存储器 (PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术,在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元),并表示已开发出一种编码方法,能克服材料随时间松弛的特性。该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。
相变存储器是一种透过使用电加热方式以改变材料相位和硫化层阻抗为基础的非挥发性存储器。它被喻为可取代既有闪存和DRAM的可能候选技术,但这项技术却难以用在90nm以下工艺。
不过,IBM指出,结合了速度、耐用性、非挥发性和密度等特性,PCM可望在未来五年内于企业IT和储存系统领域
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我国首款具有自主知识产权的相变存储器研制成功
我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。
据专家介绍,此款PCRAM芯片将可取代传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。
我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。
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