中国科大理论预言首类结构稳定的单层二维铁电材料

最新更新时间:2017-04-18来源: 互联网关键字:中国科大 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心及物理系朱文光研究组与校内外同行合作,通过理论计算预言了首类同时具有面内和面外极化且单层稳定的二维铁电材料。该研究成果以Prediction of intrinsic two-dimensional ferroelectrics in In2Se3 and other III2-VI3 van der Waals materials 为题,于4月7日发表在《自然-通讯》[Nature Communications 8, 14956 (2017)]杂志上,论文共同第一作者为博士生丁文隽、朱健保、王喆。

  作为具有自发电极化且其极化方向可通过外电场反转的体系,铁电材料在信息存储、场效应器件、感应器件等诸多方面具有广泛的应用价值。对传统铁电材料的研究主要集中在以钙钛矿氧化物为代表的材料体系。然而,当将这类铁电材料通过表面外延生长技术制成薄膜时,由于退极化场的作用,其铁电性在某一临界厚度下多会消失。范德华类层状二维体系是近年来材料研究的热点之一。自2004年首次实验成功得到单层石墨烯以来,目前已有上百种新的二维材料被发现并在实验上合成,它们展现出十分丰富的物理与化学性质,为未来器件的进一步微小化和柔性化提供了新的机遇和材料基础。意外的是,在目前所有已知的二维材料中,尚欠缺具有垂直于二维面铁电极化且单层结构稳定的铁电材料。究其原因,是形成垂直方向电极化所需的对称性破缺与材料的稳定性存在內禀矛盾。因此,在范德华类二维材料体系中寻找具有垂直方向电极化且单层稳定的二维铁电材料是一个具有相当挑战性的科学难题。

  针对这一挑战,该团队利用第一性原理计算方法,发现已在自然界存在的层状材料In2Se3的单层即为一种同时具有面内和面外极化的稳定二维铁电材料。对于该材料的结构,以往的实验研究已表明它的室温相具有类似于石墨的层状结构,其中每五个原子层通过共价键组成稳定的二维单元,不同单元之间通过弱的范德华相互作用相结合,因此该材料可以被剥离成很薄甚至单层的二维薄膜,但以往的研究对其单个二维单元内原子的堆积结构并不确定。该研究首先确定了单个二维单元的最稳定结构(如图所示),并发现由于其原子层在垂直于二维面方向分布的不对称性,使其产生一个垂直于二维面的面外自发电极化,且其极化的方向可以通过灵巧的多原子协同运动进行反转。进一步的计算表明,面外方向电极化的反转所需要跨越的能量势垒与常规钙钛矿铁电材料相近,并且可以通过施加一个垂直方向的外电场进一步降低相应的能量势垒、打破原本能量简并的两个极化方向的平衡,驱动体系向某一极化方向转变。此外,由于该稳定结构的单层在面内不具有中心反演对称性,导致其同时存在面内方向的自发铁电极化,并且其极化的方向与面外极化的方向相互关联,以此有望实现电场与极化方向的交叉耦合调控。在此发现的基础上,进一步预言由与In2Se3同族元素组合而成的化合物,如果可以形成类似的层状结构,其铁电相也将同样成为稳定的基态结构。

  此类二维铁电材料的发现有效拓展了二维材料家族的功能性,特别是为调控由多种二维材料组成的多层范德华二维异质结体系的物性提供了新的空间。该研究也通过构建二维铁电材料与其它二维材料组成的双层异质结初步展示了其调控能力。如在In2Se3 与WSe2 构成的异质结中,通过外电场对In2Se3电极化方向的反转,可以实现体系从半导体性到近似金属性的转变(如图所示);在In2Se3 与石墨烯构成的异质结中,通过In2Se3电极化方向的反转,可以改变界面间所形成的肖特基势垒的高度。该类新型材料更多的潜在应用有待于进一步探索与研究。

  此项研究得到了国家千人计划、国家自然基金委、科技部、中科院和教育部的资助。

关键字:中国科大 编辑:王磊 引用地址:中国科大理论预言首类结构稳定的单层二维铁电材料

上一篇:在毫米厚芯片上建“高速公路”
下一篇:压电陶瓷喷射阀研制成功 填补国内空白

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:41

中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
近日,中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD)。 据悉,氧化镓功率半导体器件推向产业化仍然有很多问题,包括边缘峰值电场难以抑制、增强型晶体管难以实现。课题组针对这两个痛点分别做了如下工作: 高耐压氧化镓二极管 该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础,设计了结终端扩展结构,并优化退火工艺,成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。该研究采用的JTE设计能够有效缓解NiO/Ga2O3结边缘电场聚集效应,提高器件的击穿电压。最终测试结果表明该器件具有2.5mΩ·cm2的低导通电阻和室温下2.66 kV的高击穿电压,其功率品质因数高达2.83 GW/cm2。此外,
[手机便携]
中国科大与联发科技签约及揭牌仪式隆重举行
(北京讯)2014年3月20日,中国科学技术大学先进技术研究院(以下简称先研院)与联发科技股份有限公司(以下简称联发科技)共同创办的中国科大—联发科技“高速电子集成电路与系统”联合实验室签约及揭牌仪式在先进技术研究院隆重举行。 仪式由先研院院长助理王兵主持。先研院副院长刘文、中国科学技术大学信息学院副院长刘发林、电子科学与技术系林福江教授、杨灿美教授等人,以及联发科技副总经理陆国宏、研发本部总经理吴庆杉、研发本部总监周煜凯、联发科技(合肥)有限公司总经理汪海等相关部门负责人参加仪式。 陆国宏副总经理在致辞中说,联发科技作为一家无晶圆IC设计公司,非常注重与国际接轨,在欧美
[模拟电子]
<font color='red'>中国</font><font color='red'>科大</font>与联发科技签约及揭牌仪式隆重举行
罗德与施瓦茨公司联手中国科大力发展车联网技术
MWC 上海(世界移动通信大会-上海)期间,罗德与施瓦茨公司(以下简称“R&S公司”)与中国信科集团旗下高鸿股份签署了一份基于车联网技术的战略合作谅解备忘录。未来,双方将本着“优势互补、互利双赢”的原则,建立长期、紧密、务实的全面车联网战略合作关系,将对方视为重要的战略合作伙伴,发挥各自优势、相互促进,共同推进各自在车联网领域的协同发展,共同推动车联网技术和产业在中国乃至全球范围内的市场落地。高鸿股份副总裁兼车联网事业部总经理赵德胜先生,罗德与施瓦茨全球副总裁兼大中华区总裁罗杉博士共同出席了此次签约仪式。 作为重要的合作伙伴,高鸿股份将会携手R&S公司,在车联网相关关键技术推进和产品特性测试验证方面展开一系列紧密的战略合
[汽车电子]
罗德与施瓦茨公司联手<font color='red'>中国</font>信<font color='red'>科大</font>力发展车联网技术
中国科大在小型化量子通信系统研制方面实现重要技术突破
中新社合肥12月11日电 (记者 吴兰)记者11日从中国科学技术大学获悉,该校潘建伟教授及其同事在小型化量子通信系统研制方面实现重要技术突破。 相关成果发表于光学领域权威期刊《光学快报》上。 据介绍,潘建伟教授及其同事张军等在国际上首次实现1.25 GHz InGaAs/InP单光子探测器单片集成读出电路,该技术突破可使高速量子通信终端设备中体积占比最大的探测器模块尺寸减小一个数量级以上。经测算,与现有同功能高速单光子探测器相比,该模块体积可减小20倍。 单光子探测器是微弱光测量最灵敏的仪器,在量子信息、激光雷达等领域有广泛的应用需求。目前主流的通信波段单光子探测解决方案包括上转换单光子探测器、超导纳米线单光子探测器和InGaA
[半导体设计/制造]
中国台湾竹科大厂联发科爆多人确诊
近期中国台湾地区疫情再次升温,导致多家电子产业链大厂频频出现确诊病例,其中也殃及到联发科。 据台媒报道,IC设计大厂联发科也遭疫情波及。中国台湾地区新竹市政府于23日晚间证实新竹市有3名确诊个案都在联发科服务,都已经疫调并列入隔离相关人员。 除此之外,4月22日,和硕也发布公告称,桃园龟山厂区有一名外籍移工于4月20日因身体不适,进行快筛为阳性,厂内随即扩大快筛约300名员工,其中67名为阳性,快筛阳性员工以专车送至医院进行PCR采检。
[手机便携]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved