2017中国•株洲IGBT产业高峰论坛召开

最新更新时间:2017-05-09来源: 互联网关键字:IGBT 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    红网株洲站5月8日讯(记者 聂千川)7日上午,中国“芯”力量——2017中国•株洲IGBT产业高峰论坛在湖南省株洲市召开。该论坛是2017年全国企业家活动日暨中国企业家年会系列活动之一。来自中国企联领导、高精尖装备制造企业负责人等中国行业大咖100余人参加此次盛会,并就IGBT产业发展展开对话。

  株洲市委副书记雷绍业致论坛开幕词。他说,IGBT被誉为工业企业专制的CPU,绿色经济的核心,被广泛运用于轨道交通、航天航空,船舶驱动、新能源汽车、高压变频、工业传动及电力传输等重要行业和领域。株洲作为中国IGBT的主要生产基地之一,期待以此次论坛为契机,与大家携手奋进,共同推进IGBT产业化进入发展快车道,为进一步提升我国先进制造业的核心竞争力,捍卫国家经济安全做出积极的贡献。

  随后,工信部电子信息产业司集成电路处处长任爱光,中国工程院院士丁荣军,全球能源互联网研究院副院长汤广福,中国科学院电工研究所研究员温旭辉等行业大咖分别就国家产业政策、中车IGBT产业发展、电力系统电力电子技术发展机遇与挑战以及高性能车用电机驱动系统技术前沿等主题发表主旨演讲。

  根据市场调研机构报告显示,全球IGBT市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头,市场规模至2018年将达到60亿美元的数值。长期以来,IGBT技术主要被欧美、日本等国垄断,在市场驱动下,国内外公司纷纷加大对IGBT产业的投入。

  会上,与会嘉宾就中国IGBT的技术与产业发展趋势开展了圆桌对话。中国工程院院士、中车技术专家委员会副主任刘友梅、中国工程院院士、一汽集团副总工程师李骏等对“中国制造2025背景下的IGBT产业创新”展开讨论;对扩大国产IGBT应用领域进行汇报分析,为国家产业发展政策制定提供数据支撑。

  论坛上,世界上第三家掌握IGCT全套技术的厂家,也是中国唯一具备晶闸管、IGCT、IGBT、功率组件全套技术企业的中车株洲所发布消息,该公司已经实现650V-6500V IGBT全电压范围覆盖,产品应用至轨道交通、电动汽车、光伏发电、家用电器等众多领域。按照全球IGBT技术发展趋势,中车株洲所正在研发新一代IGBT技术,构建完整的技术体系,确保IGBT产业的技术支撑与核心竞争力。

  【相关链接】什么是IGBT

  IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。随着以轨道交通为代表的新兴市场兴起,中国已经成为全球IGBT最大需求市场。

关键字:IGBT 编辑:王磊 引用地址:2017中国•株洲IGBT产业高峰论坛召开

上一篇:先进制造冲刺新目标
下一篇:株洲IGBT产业高峰论坛共论如何打造中国芯

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:43

一文解析变频器IGBT模块的静态测量
    IGBT概述  IGBT(Insula te d Ga te  Bipolar Transistor),绝缘栅双极型 晶体管 ,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、 开关电源 、照明电路、牵引传动等领域。   IGBT结构   左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极
[模拟电子]
Vishay推出采用PT和FS技术的新Trench IGBT平台
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性,可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器。 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 12 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT(绝缘栅双极型晶体管)平台。Vishay Semiconductors推出的这些器件可提高电机驱动、UPS、太阳能逆变器和焊接设备逆变器的效率,以裸片方式供货,集电极到发射极的电压较低,能够快速和软导通及关断,从而降低传导和开
[半导体设计/制造]
Vishay推出采用PT和FS技术的新Trench <font color='red'>IGBT</font>平台
优化高电压IGBT造就高效率太阳能逆变器
  随着绿色电力运动势头不减,包括家电、照明和电动工具等应用,以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点。为了有效地满足这些产品的需求,电源设计师正通过最少数量的器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太阳能源转换成所需的交流或者直流电压。   要为这些应用以高效率生产所需的交流输出电压和电流,太阳能逆变器就需要控制、驱动器和输出功率器件的正确组合。要达到这个目标,在这里展示了一个针对500W功率输出进行优化,并且拥有120V及60Hz频率的单相正弦波的直流到交流逆变器设计。在这个设计中,有一个DC/DC电压转换器连接到光伏电池板,为这个功率转换器提供200V直流输入。不过在这里没有提供太阳能电池板的详细资料,因为那方面不是我
[电源管理]
捷捷微电:芯片年产能160万片,将扩充MOSFET、IGBT等产品线
近年来,江苏启东通过出台《关于促进民营经济高质量发展的若干政策措施》等支持政策,实施“1521”工业大企业培育计划,助推企业实行智能化改造。 江苏捷捷微电子股份有限公司就是其中代表性企业。 据南通日报报道,江苏捷捷微电子股份有限公司研发之路始于1997年,从2英寸到3英寸再到4英寸,目前微电子芯片年产能达160万片(4英寸片)。今年将投资9.1亿元实施智能化改造,建设电力电子器件生产线、新型片式元器件和光电混合集成电路封测产线,扩充MOSFET、IGBT等产品线,为中长期增长奠定基础。 江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器件、电力电子器件研发、制造及销售的江苏省高新技术企业。据其官网介绍,目前
[手机便携]
捷捷微电:芯片年产能160万片,将扩充MOSFET、<font color='red'>IGBT</font>等产品线
采用塑料封装和IMS衬底的混合动力汽车功率IGBT模块
混合动力电动汽车(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2,最新车型甚至可能把排放量降得更多。但是,HEV需要大 功率 的成本效益型 电源 开关 , 到目前为止,大功率开关产品因为成本高,可靠性达不到汽车应用的期望,而无法适合汽车应用。本文提出了采用塑料封装的高性能、低成本 IGBT 设计制造功率电子模块的创新工艺,这项技术优化了电源开关和电源转换器的功率处理能力,提高了可靠性。      图1:并行HEV的基本架构   混合动力电动汽车(HEV)把普通汽车的内燃机和电动汽车的蓄电池及电动机组装在一辆汽车上,为汽车提供牵引力。HEV给用户带来了普通汽车和电动汽车的双重好处:燃油行驶距离延长和加油快速;
[电源管理]
采用塑料封装和IMS衬底的混合动力汽车功率<font color='red'>IGBT</font>模块
隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用,这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力,及开关速度快等长处之外,更重要的,它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO),DESAT检测,和有源米勒钳位。在电力转换器,电机驱动,太阳能和风力发电等系统的应用上,所有这些保护功能都是重要的,因它确保这些系统能安全和稳定的操作。另外,能把握如何正确的选用,设计这些光耦栅极驱动器来有效的使用/控制这些功能使到整个系统
[电源管理]
IGBT管放大能力判断
用MF500型万用表R 10k挡,红表笔接e极,黑表笔接c极时,阻值为无穷大;若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极,阻值立即降至110kΩ;若用黑表笔触一下G极,再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。 由此可见,IGBT管放大能力的判断方法类似于三极管放大倍数的判断。 用以上方法还可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极,剩下一脚便为G极。   
[测试测量]
<font color='red'>IGBT</font>管放大能力判断
新型IGBT软开关在应用中的损耗研究
   IGBT 技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。   此外,带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨。首先投产的逆导型IGBT是针对电子镇流器应用进行优化的,被称之为“LightMOS”。   TrenchStop和RC-IGBT技术   在采用的TrenchStop技术中,沟槽栅结合了场终止概念(见图1中的IGBT)。由于发射极(阴极)附近的载流子浓度提高,沟槽栅可使得导通 损耗 降低。场终止概念是NPT概念的进一步发展,包含一个额外的植入晶圆背面的n掺杂层。   将场终止
[电源管理]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved