选择抗蚀剂与电晶体

找到合适的抗蚀剂材料是让EUV顺利量产的几项挑战之一。到目前为止，如果研究人员能以20毫焦耳/平方公分的曝光能量进行，就能使EUV顺利进展。

包括ASML、东京电子(Tokyo Electron)和ASM等几家公司正在开发专有(意味着昂贵)的技术来解决问题。它们通常涉及了抗蚀剂处理以及多个制程步骤，才能蚀刻或退火掉粗糙度。

“这项技术看起来非常有希望，所以我们有信心能够克服线边粗糙度(LER)的问题，”Steegen说。

此外，Imec现正开发保护EUV晶圆免于污染的防尘薄膜。它以碳奈米管提供承受EUV曝光超过200W以上所需的强度，而非阻挡大部份光源穿透晶圆。

除了EUV以外，下一个重大障碍是基本电晶体的设计转变——任何元件核心的电子开关。Steegen说：“FinFET的微缩是必须解决的关键问题。”

截至目前为止，研究显示，FinFET可以在5nm时使用，而如果导入EUV的情况顺利，甚至可沿用至3nm节点。Steegen说：“在3nm节点，FinFET和奈米线的效果能几乎一样好，但奈米线闸极间距带来了更多的微缩，”他并展示一项堆叠8根奈米线的研究。

详细观察阻抗剂的问题显示，使用化学助剂和不使用化学助剂(CAR和NCAR)的研究结果。LWR/LCDU是指线边粗糙度的测量值应不超过特征间距尺寸的十分之一，图中的范围约为3.2至2.6。