近日,德州仪器 (TI) 推出两款新型器件,有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
当两者结合使用时,DRV832x无刷直流(BLDC)栅极驱动器和CSD88584/99 NexFET™电源模块只需占用511 mm2的电路板空间,仅为其他同类解决方案的一半。
DRV832x BLDC栅极驱动器采用智能栅极驱动架构,省去传统架构中用于设置栅极驱动电流的24个部件,使设计人员能够轻松调整场效应晶体管(FET)开关,从而优化功耗和电磁兼容性。CSD88584Q5DC和CSD88599Q5DC电源模块利用独特的堆叠式晶片封装结构的两个FET,使功率密度提高一倍,并最大限度地减少并联FET中典型的FET电阻和寄生电感。
紧凑的18伏BLDC电机参考设计演示了DRV8323栅极驱动器和CSD88584Q5DC电源模块如何驱动11 W/cm3的功率,使工程师能够设计出尺寸更小、重量更轻的电动工具、集成电机模块和无人机等。
CSD88584 / 99与DRV832x器件结合使用的优势
· 功率密度最大化:该组合解决方案可提供700 W的电机功率,无需散热器,可提供比传统解决方案高50%的电流,且不增加占用空间。
· 高峰值电流:如18伏BLDC参考设计所示,智能栅极驱动器和电源模块能够驱动高达160 A的峰值电流超过1秒钟。
· 最佳的系统保护:该组合解决方案可实现更短的走线长度,可有效防止意外的FET导通,同时还提供欠压、过流和过热保护。
· 卓越的热性能:CSD88584Q5DC和CSD88599Q5DC电源模块采用TI的DualCool™散热强化型封装,可使设计人员将散热片应用于设备顶部,以降低热阻抗,增加耗散功率,以维持电路板和终端应用的安全工作温度。
· 干净的切换:电源模块的开关节点夹可帮助消除高侧和低侧FET之间的寄生电感。此外,DRV832x栅极驱动器的无源组件集成可最大限度地减少电路板走线。
立即启动设计所需的工具和支持
除了18伏BLDC电机参考设计,工程师还可以搜索使用电源模块和栅极驱动器的其他电机参考设计,以帮助解决其系统设计挑战。三相智能栅极驱动器评估模块(EVM)可以使设计人员使用DRV8323R栅极驱动器、CSD88599Q5DC电源模块和MSP430F5529微控制器LaunchPad™开发套件来驱动15-A三相BLDC电机。可从TI商店购买EVM。
封装和供货
新型DRV832x BLDC智能栅极驱动器为工程师提供外围设备和接口选项,使工程师能够为其设计选择最理想的器件:带或不带一个集成降压稳压器或三个集成式电流分流放大器。每个器件选项都可以在硬件或串行接口中使用,并且采用四方扁平无引脚(QFN)封装。CSD88584/99电源模块采用DualCool小型无引脚(SON)封装,具有40或60 V击穿电压(BVDSS)选项。所有器件现已供货,封装如下表所列。
以上是关于半导体中-TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。
关键字:智能硬件 电路设计
编辑:李强 引用地址:TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:44
全数字单相三电平整流器控制电路设计
摘要:三电平整流器由于其独特的优点,受到了越来越多的重视。介绍了三电平桥式整流器的工作原理,并用数字信号处理器对其控制系统进行了实现,说明了全数字控制系统的硬件设计和软件设计的方法。仿真和实验结果验证了理论研究的结果。 关键词:数字信号处理器;三电平;PWM整流器;功率因数校正 引言 三电平(ThreeLevel,TL)整流器是一种可用于高压大功率的PWM整流器,具有功率因数接近1,且开关电压应力比两电平减小一半的优点。文献 及 提到一种三电平Boost电路,用于对整流桥进行功率因数校正,但由于二极管整流电路的不可逆性,无法实现功率流的双向流动。文献 , 及 提到了几种三电平PWM整流器,尽管实现了三电平,但开关管上电压应力减少一半
[电源管理]
山东省首个集成电路设计研发平台投入使用
近日,山东信息通信技术研究院集成电路公共研发服务平台(以下简称研究院IC平台)建成投入使用,这标志着我省首个省级集成电路设计研发平台成立。以后,省内集成电路设计研发团队再也不用东奔西走、可以在家门口安心搞设计了。
近年来,我省高度重视集成电路产业发展,出台了若干促进集成电路产业的政策措施。省政府于2008年11月正式批准成立山东信息通信技术研究院(SAICT),设立山东信息通信技术研究院管理中心,推进包括集成电路产业在内的信息通信领域科技创新。
研究院自成立以来,将IC平台建设作为重中之重,遵循“政府主导、高端引领、公共服务、开放共享”的指导思想,坚持面向全省转方式调结构需要、面向集成电路重
[半导体设计/制造]
基于三极管的基本放大电路设计的探究
基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图片说明:三极管放大电路图 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic.这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就
[电源管理]
STM32网络通信之DM9000A电路设计
1 总体描述: DM9000A的PHY 能够以10BASE-T 的标准在UTP3\4\5或者以100BASE-T的标准在UTP5上接口通信。它的自动协商功能是够自动配置DM9000A最大地发挥出自身性能。它同时支持IEEE 802.3X全双工数据流通信。 2、结构图: 3、硬件电路的设计 (1)电源连接: 引脚号 电气连接 说明 2、9 模拟2.5V 为RX和TX供电,必须为2.5V 23、30、42 数字3.3V1 数字电源3.3V为芯片供电 15、33、45 数字地 数字地 5、6、47、48 模拟地 5、47、6分别为RX和TX的GND,48是通带宽带的GND 41
[单片机]
浅谈低电压低静态电流LDO的电路设计
摘要: 设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟,这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV.
随着过去几十年里掌上智能终端快速发展,低压差的线性稳压器(Low Drop-out Regulator,LDO)因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。LDO大部分时间工作在低负载应用,因此,其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。当今的L
[模拟电子]
基于单片机的动态数码显示电路设计
描述:
1. 实验任务
如图4.13.1 所示,P0 端口接动态数码管的字形码笔段,P2 端口接动态数码 管的数位选择端,P1.7 接一个开关,当开关接高电平时,显示“12345”字 样;当开关接低电平时,显示“HELLO”字样。
2. 电路原理图
3. 系统板上硬件连线
(1. 把“单片机系统”区域中的P0.0/AD0-P0.7/AD7 用8 芯排线连接到“动 态数码显示”区域中的a-h 端口上;
(2.把“单片机系统”区域中的P2.0/A8-P2.7/A15 用8 芯排线连接到“动态 数码显示”区域中的S1-S8 端口上;
(3. 把“单片机系统”区域
[单片机]
电机驱动供电电路设计
为给驱动电路的芯片供电,一个可靠的电源电路是必不可少的。驱动电路的工作电压均为直流,电压有7.2V和5V两种。智能车的供电是由7.2V的电池供给的,所以需要7.2V变为5V的电路。直流电压变换的芯片有很多,比如常用的7805三端稳压芯片。考虑到电源的电压7.2V和需要的工作电压5V之间的压差只有2.2V。如果用7805稳压,需要输入和输出电压差要有3V以上,7805不能满足要求。LM2940的输入和输出电压差可以只有1.0V左右,故选用LM2940作为稳压器件,电路图如图4所示。管脚1接电池的正端,同时和地之间接入滤波电容,提高输入电压的稳定性。2脚是地,节电池的负端;3脚是5V输出端和地之间接入的滤波电容,减少杂波的输出。
[电源管理]
CAN总线与以太网嵌入式网关电路设计的两种方法对比分析
本文从以太网与工业现场总线的互联出发,主要介绍了CAN总线与以太网嵌入式网关电路的设计与实现,本文对比了CAN 和以太网相连的嵌入式网关设计的两种方法,并从硬件结构和软件结构两方面进行了阐述。 目前,对于CAN 和以太网相连的嵌入式网关设计主要有两种方法:一种是低档MCU 加接口芯片的设计方法,另一种是高档MCU 加EOS(实时多任务操作系统)再加接口芯片的设计方法。因CAN 只采用了ISO/OSI 参考模型的一、二层,协议相对简单,比较适合用于低成本、速率要求不高的离散控制系统。从合理的成本和有效利用处理能力这两方面考虑,该设计采用低档MCU 加接口芯片的方法,其硬件框图见图。 图1 主控芯片及以太网接口模块 根据要求,
[单片机]