Diodes推出SDT萧特基二极管系列-电子工程世界

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Diodes日前推出的SDT萧特基二极管系列，使用先进的深沟制程，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的29个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能，适合广泛的产品应用，例如AC-DC充电器/转接器、DC-DC上/下转换及AC LED照明。

Diodes公司的创新深沟制程，使SDT萧特基二极管系列可达到最低0.62V的顺向电压(VF)，及3.5µA的漏电流。如此优异的效能，造就杰出的功率效率，使终端系统设计采用更为精巧的外型。此系列产品中，提供 5A至40A的最大平均整流电流额定，峰值重复反向电压(VRRM)最高达120V，顺向突波电流(IFSM)最高达280A，确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。

PowerDI 5、TO220AB及ITO220AB封装选项，都能提供绝佳的热能转移特性，使SDT萧特基二极管系列能在严苛的应用中进行可靠运作。这些封装极为适合大量制造，SDP零件可做为直接替换零件，取代一般平面型萧特基二极管。

关键字：Diodes SDT 二极管编辑：王磊引用地址：Diodes推出SDT萧特基二极管系列

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