俄罗斯专家发明单分子厚度微电路

据俄罗斯《消息报》报道，俄专家成功找到具有指定特性的二维半导体的制造方法，使将来制造微型电子设备成为可能。

俄罗斯科学院生化物理研究所首席研究员列昂尼德·切尔诺扎通斯基称，尽管现在谈微型电子设备的投产还为时尚早，但这一发现具有全球意义。

以德米特里·戈利贝格教授为首的研究小组与日本国立材料研究所、中国北京交通大学和澳大利亚昆士兰科技大学的专家共同开展了相关研究。研究结果发布在《先进材料》（Advanced Materials）科学杂志上。

半导体材料是在氮化硼基础上制造而成，氮化硼可通过改变氧浓度而改变禁带宽度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧，可在板上“画出”所需微电路。专家称，该发现使这种材料在不同科技领域的使用成为可能，特别光伏和光电子学领域。

俄罗斯专家的这一发现有助于制造出比现有服务器小千倍的服务器，而且与现有服务器相比，不仅体积不同，能耗也不同，借此可实现蓄能装置的微型化。