密恐慎入！世界上晶体管密度最高的晶圆首次亮相

英特尔22纳米FinFET低功耗（22FFL）技术：

面向主流市场的FinFET技术

英特尔自2011年发布代号为Ivy Bridge的处理器以来，一直在量产22纳米FinFET（鳍式场效应晶体管），而随着2014年代号为Broadwell的处理器发布，第二代14纳米FinFET也开始量产。基于多年22纳米/14纳米的制造经验，英特尔推出了称为22FFL（FinFET低功耗）的全新工艺。该工艺提供结合高性能和超低功耗的晶体管，及简化的互连与设计规则，能够为低功耗及移动产品提供通用的FinFET设计平台。

与先前的22GP（通用）技术相比，全新22FFL技术的漏电量最多可减少100倍。22FFL工艺还可达到与英特尔14纳米晶体管相同的驱动电流，同时实现比业界28纳米/22纳米平面技术更高的面积微缩。

22FFL工艺包含一个完整的射频（RF）套件，并结合多种先进的模拟和射频器件来支持高度集成的产品。借由广泛采用单一图案成形及简化的设计法则，使22FFL成为价格合理、易于使用可面向多种产品的设计平台，与业界的28纳米的平面工艺(Planar)相比在成本上极具竞争力。

22FFL器件：

•          高性能晶体管

•          低1/F噪声

•          超低漏电晶体管

•          深N阱隔离

•          模拟晶体管

•          精密电阻

•          高压I/O晶体管

•          MIM（金属-绝缘体-金属）电容

•          高压功率晶体管

•          高阻抗衬底

迄今为止，英特尔已交付超过700万片FinFET晶圆，22FFL工艺充分利用这些生产经验，达到了极高的良品率。

英特尔晶圆代工业务（Intel Custom Foundry）通过平台向客户提供22FFL工艺，该平台包含多种已验证的硅IP组合以及全面集成的一站式晶圆代工服务和支持。

激动人心的22FFL新技术适用于低功耗的物联网和移动产品，它将性能、功耗、密度和易于设计的特性完美结合。

英特尔 14 纳米制程：

打造极速、节能产品

英特尔14纳米制程采用第二代 FinFET 技术，提升性能并降低漏电功耗，从而支持一系列广泛的产品。英特尔14纳米制程正处于量产阶段，用于制造包括高性能服务器、FPGA以及低功耗个人计算设备、移动设备、调制解调器和物联网设备在内的各类产品。

14 纳米制程的晶体管鳍片更高、更薄且更加密集，从而提升了密度和性能。这些改进的晶体管需要的鳍片数量更少，进一步提升了制程的总体密度。晶体管栅极间距从90纳米缩小至70纳米，最小互连间距从80纳米缩小至 52 纳米，从而让晶体管密度到达每平方毫米 3,750 万个晶体管的标准。通过采用超微缩技术，英特尔14纳米制程相比之前的 22 纳米制程实现了非常显著的微缩，其中逻辑单元面积微缩为此前的37%，晶片尺寸微缩超过此前的一半。

相比于业界其他的14/16/20纳米制程，英特尔14纳米制程的密度是它们的约1.3倍，这极大降低了单个晶体管成本（CPT）。业界的“10 纳米”制程预计于2017年的某个时段出货，而其晶体管密度仅与2014年便已开始出货的英特尔14纳米制程相当。

14 纳米制程超微缩的一个关键因素是引入自校准双图案成形 (SADP)，相比业界的曝光-蚀刻-曝光-蚀刻 (LELE) 方法，它在晶体管密度和良品率上更有优势。

英特尔不断改进14纳米制程的性能和功效。14 纳米制程的持续优化使其性能比最初的14 纳米制程可以提升多达 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特尔14+制程的性能比最初的14纳米制程提升了12%，而英特尔14++制程在此基础上又将性能提升了24%，超过业界最佳的其他14/16纳米制程20%。

英特尔14纳米制程还包含一整套可支持并增强各种产品设计的器件。这些器件包括高阻衬底、高 Q 电感器、高密度 DeCaps、深N阱（Deep Nwell）、精密电阻器、低漏电功耗及长 L 晶体管，以及射频晶体管模板和建模。

英特尔14纳米制程正在美国俄勒冈州、亚利桑那州和爱尔兰的工厂进行量产，迄今已出货 4.734 亿件。英特尔代工业务通过两个设计平台——14GP（通用）和 14LP（低功耗），向客户提供英特尔14纳米制程。这两个平台包括广泛的硅验证IP组合以及全面集成的交钥匙代工服务和支持。