传合肥睿力内部实验室生产DRAM良率为零

最新更新时间:2017-10-07来源: 集微网关键字:DRAM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

电子网消息,据台媒报道,合肥睿力第1期厂房即将于11月完工,但市场传出,合肥睿力内部实验室生产的DRAM良率挂零, 恐影响后续试产。


华邦董事长焦佑钧曾说,自主开发DRAM技术超过3年的时间,2016年终于成功开发出3X纳米,也是台湾首家拥有自主开发纳米技术制程的内存厂商,明年将进一步往2X纳米迈进。


业界人士分析透露,要做DRAM,不是只有厂房、机器设备以及挖人就好了,技术是最重要的关键,技术开发成功后,还要获得客户的认证通过。 大陆发展DRAM不是想象中这么容易,以未来2~3年的时间来看,大陆发展内存所带来的威胁性将大为降低。


如今,在合肥经济开发区,合肥睿力高端通用存储晶圆制造项目正在施工,该项目拟建成业界先进工艺制程的12英寸存储器晶圆研发项目,计划2017年厂房建成,2018年上半年完成设备安装和调试,预计下半年产品研发成功。


目前,项目建设各项工作顺利推进,厂房建设、技术研发、设备采购等方面的工作已全面展开。项目投产后,将有效地填补国内高端DRAM制造业的空白,合肥睿力将跻身全球DRAM主要厂商之列,成为国内重要的半导体制造业巨头,合肥也将跨入世界级存储器制造重镇的行列。此外,项目还将进一步带动国际一流设备、材料、终端厂商等集成电路上下游企业加速在合肥集聚,加速合肥市产业转型升级和“IC之都”建设。


微驱科技总经理吴金荣指出,合肥睿力以DRAM为主力产品,预计今年底移入机台,力拼2018年2月产出第1批产品,月产能为12.5万片,传出睿力将直接切入19nm制程,这是十分大胆的尝试,对来自五湖四海的各路好汉组成的新公司,贸然投入先进制程生产,成功率恐怕不高。 


拓墣研究中心经理林建宏表示,晶圆厂兴建完成后投片量产,包括技术、良率都是量产的关键,但最重要的还是要有客户的订单。 全球内存产业还不会受到大陆的威胁,而且以DRAM来说,除了制造技术难度高之外,目前市场已呈现寡占局面,既有厂商扩产小心翼翼,业界维持获利、价格持稳的好光景还可以将延续下去。 

关键字:DRAM 编辑:王磊 引用地址:传合肥睿力内部实验室生产DRAM良率为零

上一篇:中电14所打破中国雷达依赖进口DSP芯片的历史
下一篇:电子科大首个亿元国家重点研发计划项目获批立项

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:55

DRAM合约价 Q4涨定了
SK海力士受灾让DRAM市场起波澜,华亚科(3474)董事长兼南科总经理高启全昨(12)日表示,近日一线OEM客户来台谈定最新合约价,下季合约价涨定了,且涨幅不小,他预估,因大部分货源要优先供应一线OEM厂,二线应用厂恐吃亏。 华亚科第2季税后纯益34.72亿元,高启全重申,第3季获利跟第2季相比,会好「不只一点点」,而且「好很多也有可能」。 由于华亚科7月税后纯益超过21亿元,法人推估,8、9月的情况不比7月差,第3季获利会超过60亿元水平。 SK海力士无锡厂在上周发生火灾,官方宣称,已有部分产能复工,但何时全面复工,仍不明朗,但已带动DRAM现货价格飙涨。SK海力士无锡厂月产能13万片,其中,大多数生产标准型D
[嵌入式]
英特尔试图杀回DRAM内存市场
   美国    纽约时报:英特尔下一代笔记本芯片组将支持诺基亚HSDPA技术   本周四,芯片巨头英特尔表示,公司下一代笔记本电脑中将整合来自于诺基亚的3G芯片,并且通过微软Vista操作系统提高图像处理功能。在日前召开的开发者论坛上,公司移动部门高级经理达笛宣布,英特尔的Santa Rosa主板中,将整合诺基亚的HSDPA技术。而目前已经有多家笔记本电脑制造商对该芯片进行测试,从而保证未来的产品可以支持手机数据网络。   另一方面,英特尔迅驰芯片组中,也将加入对诺基亚技术的支持。Santa Rosa一直被视为迅驰技术的继任者,计划于明年上半年登陆市场。届时,英特尔还计划发布一款不同于Core 2Duo架构的移
[焦点新闻]
2017年第四季服务器DRAM营收成长约13.9%
  根据集邦咨询半导体研究中心( DRAM eXchange)调查显示,回顾2017年第四季,其中北美数据中心的需求持续强劲,即使原厂透过产品线调整,但仍无法有效纾解市场供给吃紧的状况。Server  DRAM 受惠平均零售价(Average Selling Price)的上扬,三大 DRAM 原厂Server DRAM营收季成长约13.9%。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   DRAMeXchange资深分析师刘家豪指出,进入2018年第一季,在服务器出货动能不减的情况下,整体Server DRAM供不应求的市况依然持续,而Server DRAM模组的报价将会维持在高点。    三星(Samsung)   受惠
[网络通信]
DRAM库存仍在高位,年内是否还会涨价?
存储行业的日子不好过,价格下跌使产品利润空间萎缩,产品供应过剩使得不少厂商有着大量存活积压。在这样的背景之下,三星电子第二季度可能面临营业利润下降的危机。分析师称,随着供应过剩阶段在整体科技市场增长放缓的情况下难以得到缓解,三星的营业利润仍需要几个季度时间才能复苏。 根据29位行业分析师预测,三星第二季度营业利润将达到6万亿韩元,约合51.4亿美元,较上年同期的14.9万亿韩元下降60%。三星将于本月晚些时候发布第二季度详细业绩,该公司股价在三个月内已经上涨了5.3%。 此外,芯片销售是三星利润的主要来源,但智能手机的饱和和数据中心需求下滑已导致芯片价格下滑,这也对三星的利润产生了较大影响。 近日,虽然有消息曝光日本将
[嵌入式]
美光认为DRAM价格将持续高位,这是在说电脑还要涨价?
美光2017年第3季财报营收大幅优于预期,这要因DRAM、NAND Flash价格上涨,美光认为存储器产业需求稳定,价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示,国内相关个股中,华邦电目前DRAM产能约22K,估下半年 DRAM价格维持高档,2018年上半年在供给改善后将趋缓,因此维持族群中立建议。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 永丰投顾表示,今年上半年存储器业务需求强劲,DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅,虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求,但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足,预计DRAM报价应会进入高档震荡的态势,加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求
[嵌入式]
看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
  你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是 DRAM 、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。     不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、 RRAM 等开始发出声音,  RRAM 非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止, RRAM 的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:“Crossbar已经有产品在中芯国际的40nm工艺制程平台试产”
[网络通信]
三星宣布 LPDDR5X DRAM 已应用于高通骁龙移动平台
今日,三星宣布,高通技术公司已经验证了三星 14 纳米 16Gb 低功耗双倍数据速率 5X (英文简称 LPDDR5X) DRAM,并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon)移动平台。 自去年 11 月开发出三星首款基于 14nm 的 LPDDR5X DRAM 以来,三星与高通技术公司合作,优化 7.5 千兆比特每秒 (Gbps) 的 LPDDR5X,用于骁龙移动平台。 三星表示,LPDDR5X 的速度比目前高端智能手机上的 LPDDR5(6.4Gbps)快约 1.2 倍,有望在下一代智能手机上提升超高分辨率视频录制性能和语音识别、图像识别、自然语言处理等人工智能功能。 此外,通过采用先进的电路设计和动态电压频
[手机便携]
三星宣布 LPDDR5X <font color='red'>DRAM</font> 已应用于高通骁龙移动平台
厂家联手减产 11月内存价格将居高不下
部分DRAM生产商和市场研究机构估计,11月中下旬,DRAM的价格不会有大波动。部分DRAM生产商评论说, DRAM的价格通常在10月下旬达到最高峰。下一个价格高峰期将要到下年的1月中旬到农历新年才会出现。 南亚科技指出,因为目前DRAM供小于求,虽然一线PC OEM厂家能以平时的价格买到DRAM,但部分PC OEM厂家就只能被迫接受比平时贵1-3%的DRAM价格。据南亚科技的发言人兼全球销售执行官Pei-lin Pai Pai说,南亚现在生产的能力只能满足客户60-70%的需求,估计持续到12月,DRAM的价格都会高居不下。 集邦全球电子交易市集(DRAMeXchange)对最近的DRAM市场做了调查,发表了一份惊人的报告。报告
[焦点新闻]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved