Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在电力电子应用中实现超高速切换

电子网消息，Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80mΩ），是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。该装置针对高频切换应用进行了优化，兼具超低切换损耗与超高切换速度，令传统功率晶体管望尘莫及。

相比具有相同额定值的硅器件，碳化硅MOSFET系列产品的能效更高，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（150°C）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。

新型碳化硅MOSFET产品的典型应用包括电源转换系统，例如：太阳能逆变器、开关模式电源设备、UPS系统、电机驱动器、高压DC/DC逆变器、电池充电器和感应加热。

“全新碳化硅MOSFET系列产品是一个重要里程碑，标志着我们向成为功率半导体领先组件供应商又迈进了一步。”Littelfuse电子业务部功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示，“我们的碳化硅MOSFET应用支持网络随时帮助客户提升现有设计的性能，并协助客户开发新的电源转换产品。”

LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET具有以下关键优势：

超高切换速度可提高效率和电源密度。

切换损耗降低，有助提高切换频率。

更高的工作温度可确保器件在广泛的高温应用中更加可靠耐用。

LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET 采用TO-247-3L封装，提供450只装管式包装。