亚翔集成3.49亿中标晋华存储器生产线建设项目

近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器，这为可穿戴电子及特殊环境检测系统提供了新的器件设计方法。 图片来源：科技日报 据悉，新型器件具有高电流开关比、长达10年的存储时间以及稳定的读写操作，多个分立的铝纳米晶浮栅器件具有稳定的柔性使役性能。 据中国科学报报道，金属所研究员孙东明表示，我们首次实现了基于碳纳米管的光学图像传感与图像存储，为新型柔性光检测与存储器件的研制奠定了基础。 此外，科研人员采用半导体性碳纳米管薄膜为沟道材料，利用均匀离散分布的铝纳米晶/氧化铝一体化结构作为浮栅层与隧穿层，获得高性能柔性

由于传感器将产生太多数据，难以都传到云端处理，因此边缘运算正在成为主流趋势。   根据Semiconductor Engineering报导，物联网(IoT)设备的最初构想是，简单的传感器会将原始数据传送到云端，透过1个或多个闸道器进行处理。这些闸道器可能位于公司、住宅、工厂，甚至连网车内。但日益明显的是要处理的数据太多，这种方法实不可行。   三星电子(Samsung Electronics)负责HBM行销的Tien Shiah表示，1台PC每天将产生90MB的数据。1辆自驾车每天产生4TB，连网飞机则为50TB。其中大部分为无用数据。   预处理若在本地完成，则仅需在云端处理更少数据，就能以更低成本和更少功率实现更好的效能，从

——总书记视察湖北武汉后本报再访四大国家新基地·芯片篇 5月14日，国家存储器基地项目（一期）一号芯片生产厂房内，工人正在安装线缆 记者高勇 摄 国家存储器基地长江存储生产的3D NAND Flash晶圆 记者高勇 摄 国家存储器基地长江存储生产的中国首颗自主研发32层三维闪存芯片 记者高勇 摄 国家存储器基地项目（一期）一号芯片生产厂房蓝图 记者高勇 摄 这是最接近世界一流的汉产芯片 完全靠自己铸就的国之重器 5月14日，国家存储器基地（一期）1号厂房，工人正有条不紊地搬入芯片生产机台，安装调试，近3000台设备将组成智能化芯片生产工厂。 此前，中

　 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NANDFlash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NANDFlash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NANDFlash三哥宝座，并防止三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Toshiba)势力持续扩大。 　 　存储器大厂和模块厂关系唇齿相依，2009年三星在一连串人事组织变动后，营运策略开始偏重合约

　　引言 　　电子公用仪表与目前使用的传统机械式和机电式仪表解决方案相比，具有很多优势。在本文所介绍的实例中，通过基于单片机(MCU)的脉冲计数器可以大大简化各类仪表的实现。图1给出了一种基于MCU的典型计数器的组成框图。 图1 带外部时钟输入的MCU 8位或16位定时器 　　精度更高 　　仪表是根据测量精度进行分类的。例如，一个机械式电表的典型精度是2%左右。相比之下，一个普通的电子电表可以达到0.2%的测量精度。如果在仪表设计中使用MCU，那么就能够通过改变软件参数调节测量精度。这样，只需开发一个硬件平台就可以支持多级测量精度，因此可使仪表生产商简化生产流程，且可为安装仪表的公用事业公司带来良好

　　美国Nanochip宣布，为采用MEMS技术开发每个芯片容量超过10GB的大容量硅存储器，从英特尔投资(Intel Capital)和美国JK&B Capital共筹集了1400万美元，Nanochip将在2008年底之前实现能够评测的MEMS存储器样品，2009年有望在限定范围内供应样品。小熊在线www.beareyes.com.cn 　　 　　Nanochip正在开发的MEMS存储器的构造 　　该公司正在开发的MEMS存储器采用的是使用纳米尺寸探针阵列（Probe Array）在存储器材料上记录数据的结构。由于未采用闪存中容量存在极限的光刻法，可以利用现行的制造装置精度实现10GB以上的存储器。小

世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，现正向数个行业的客户提供首款MaxArias™无线存储器产品的beta测试样品。Ramtron的MaxArias™无线存储器产品将无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，能够在广泛的应用领域中，实现创新性数据采集功能。 Ramtron首个无线存储器系列称作MaxArias WM710xx产品系列，该存储器产品结合F-RAM存储技术，并支持无源UHF EPC global Class-1 Generation-2无线存取协议，用

Nantero公司日前宣布成功测试了一款22纳米的存储器开关。该NRAM存储器是一款可写存储器器件，能无需电能就可以保持数据内容，使其成为潜在的通用存储器，应用广泛。 此外，Nantero还表示采用现有的技术节点开发出了NRAM存储器芯片，并且已经在CMOS加工厂投入生产。在LSI Logic宣布成为无厂公司前，Nantero曾与LSI Logic公司合作，后者为前者的制造合作伙伴。 Nantero NRAM开关通过了以3纳秒周期时间进行数据读写的测试，使其具有了匹配目前最快存储器的潜力。NRAM开关受美国专利6,706,402保护，该公司表示拥有超过80项专利正在申请中，涉及碳纳米管电子应用的多个方面。其中已经有12