Nantero 22纳米存储器开关出炉，实现3纳秒数据读写周期-电子工程世界

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Nantero公司日前宣布成功测试了一款22纳米的存储器开关。该NRAM存储器是一款可写存储器器件，能无需电能就可以保持数据内容，使其成为潜在的通用存储器，应用广泛。

此外，Nantero还表示采用现有的技术节点开发出了NRAM存储器芯片，并且已经在CMOS加工厂投入生产。在LSI Logic宣布成为无厂公司前，Nantero曾与LSI Logic公司合作，后者为前者的制造合作伙伴。

Nantero NRAM开关通过了以3纳秒周期时间进行数据读写的测试，使其具有了匹配目前最快存储器的潜力。NRAM开关受美国专利6,706,402保护，该公司表示拥有超过80项专利正在申请中，涉及碳纳米管电子应用的多个方面。其中已经有12项专利得到批准。

关键字：NRAM 存储器开关编辑：引用地址：Nantero 22纳米存储器开关出炉，实现3纳秒数据读写周期

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