格芯扩展硅光子路线图

格芯揭示硅光子路线图的新信息，推动数据中心和云应用的新一代光学互连。格芯已经用300 mm晶圆认证了行业首个90 nm制造工艺，同时宣布未来的45 nm技术将带来更大的带宽和能效。

格芯的硅光子技术旨在应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。不同于利用铜线电信号传输数据的传统互连，硅光子技术使用光纤光脉冲，以更高的速度在更远距离上传输数据并降低能耗。格芯表示，其硅光子技术能让客户在数据中心内部芯片之间以及云服务器之间实现前所未有的连接水平上传送大量数据。

格芯的硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路。“单芯片”方案利用标准硅制造技术，提高了客户部署光学互连系统的效率，降低了成本。

格芯的当代硅光子产品依托90 nm RF SOI工艺，充分发挥了其在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的经验。平台可以实施提供30GHz带宽的解决方案，支持客户端数据传输速率达到800 Gbps，同时使数据传输距离增加到120 km。

这项技术先前使用200 mm晶圆工艺，格芯位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂现在认证了300 mm直径的晶圆。采用300 mm晶圆有助于提高客户产能和生产率，让光子损失减少2倍，扩大覆盖范围，实现效率更高的光学系统。

Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90 nm技术，并提供差异化光子测试能力，包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。

格芯新一代单芯片硅光子产品将采用45 nm RF SOI工艺，计划于2019年投入生产。这项技术利用更先进的45 nm节点，功耗降低，体积减小，用于光学收发器产品的带宽更高，可满足新一代兆兆位应用。