不再自行生产,台积电独揽瑞萨全球首款28纳米汽车MCU订单

最新更新时间:2018-03-28来源: 互联网关键字:台积电  28纳米 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

日本微控制器厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)为削减芯片生产设备的高昂成本,计划将车用微控制器(MCU)全由台积电代工,并专注于软件及半导体研发。


今日瑞萨发布了目前业界第一款使用28nm工艺的集成闪存MCU,并于即日起开始交付样片。为了打造下一代更高效、更可靠的环保汽车和自动驾驶汽车,这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心,成为业界第一款能达到9600MIPS指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内置闪存以及更完善的安保功能和功能安全性。


瑞萨28纳米MCU的运算性能比目前40纳米高出3倍,在自动驾驶技术不断攀升下,能符合低耗电力及高处理性能的MCU需求。瑞萨表示,该款28纳米MCU为当前全球最先端的产品,已于3月将样品出货给DENSO等多家知名汽车零件厂,目标是于2020年通过台积电进行量产,瑞萨自家晶圆厂则逐渐退出生产车用半导体 。


继于2015年2月28nm嵌入式闪存的工艺开发公布后,瑞萨电子于2016年9月宣布与台积电合作生产28nm MCU。瑞萨在今天的新闻稿中指出,今日向市场推出全球第一款28nm嵌入式闪存MCU,将成为瑞萨电子的另一个重要里程碑。瑞萨电子已经验证了在16/14nm及下一代MCU产品上应用鳍状MONOS闪存技术。


日经指出,瑞萨此举能降低生产成本,而台积电也能利用已折旧的设备来生产28纳米MCU。

根据瑞萨公布的财报资料显示,上季度(2017 年 10~12 月)瑞萨半导体事业营收以非一般公认会计原则(Non-GAAP)为基准,较去年同期大增 28.0% 至 2,065 亿日元,其中车用半导体事业营收成长 14.7% 至 1,078 亿日元。


累计 2017 年全年瑞萨半导体事业营收年增 23.4% 至 7,657 亿日元,其中车用半导体事业营收成长 13.8% 至 4,081 亿日元。

关键字:台积电  28纳米 编辑:王磊 引用地址:不再自行生产,台积电独揽瑞萨全球首款28纳米汽车MCU订单

上一篇:芯原微电子购买Arteris IP的 FlexNoC®互连技术用于多芯片设计
下一篇:自家芯片不争气?三星 S9 续航力惨输前代 S8

推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:27

Titan 混合信号平台支持台积电65和40纳米 iPDK
芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma®)设计自动化有限公司(纳斯达克代码:LAVA)日前宣布,微捷码Titan™混合信号平已通过台积电(TSMC)的质量检验,可满足台积电40纳米互操作工艺设计包(iPDK)的互操作性和精度要求。此前在2009年,Titan已经过检验可支持台积电65纳米iPDK。iPDK去除了开发和使用多个专用PDK和设计数据库的需要,实现了对设计数据的充分再利用。Titan先进功能与iPDK所提供的精确工艺模型和工艺数据的完美结合为设计师提供了实现65和40纳米混合信号芯片的最佳捷径。 除了Titan支持65纳米和40纳米iPDK以外,微捷码大量主打产品也在之前通过质量检验可支持各种台积电的
[半导体设计/制造]
台积电7nmLPP+支持5G+自研架构?关于麒麟990的消息该信哪一个
集微网10月19日消息,据微博网友@手机晶片达人于今日在微博爆料称,麒麟990目前正用台积电7nm plus EUV的工艺设计中,预计2019年第一季度tape out。他预计,此次流片费用至少3000万美金,表明华为的决心。 一直以来,海思便是台积电先进制程的重要客户,7nm LPP也不例外。据悉,台积电首款采用EUV技术的7nm plus芯片已经完成设计定案,预计明年进入量产。 外界推测,华为下一代麒麟芯片有望成为其首款支持5G的处理器,届时搭载该款处理器的手机也会是率先支持该基带的设备。 但麒麟990的消息不止于此。 疑似海思内部员工在知乎上爆料称,麒麟990将采用自研架构,今年上半年已经RTL freeze,从技术上来说
[手机便携]
台积电:2050年达成了净零碳排放目标
今日,SEMI(国际半导体产业协会)正式举办为期三天的国际半导体展ESG暨永续制造高峰线上论坛,会上台积电表示,将于2050年达成净零碳排放目标。 台积电资深副总经理暨ESG委员会主席何丽梅表示,公司在可持续发展上关注绿色制造、建立责任供应链、打造多元包容职场、人才培育,以及弱势关怀等五大焦点。身为晶圆制造服务商,在本业上积极节能减碳,落实绿色制造。根据工研院研究显示,台积电在生产中每消耗1千瓦时(kWh),就帮助全世界省下了4千瓦时的能源,台积电将于2050年达到净零排放目标,将持续以实际行动落实环境可持续目标。 台积电的减排计划始于2020年与丹麦能源公司奥斯特德(Orsted)达成的一项协议。奥斯特德正在台湾海峡建设
[手机便携]
台积电扩厂 10nm与8nm比重或达3:7
台积电10nm制程计划随中科扩厂通过环评,正式进入投资建厂阶段,台积电副总经理王建光昨(12)日表示,全案总投资额达7,000亿元,10nm制程可望在2016年第4季投片量产, 与英特尔并驾齐驱 。 据了解,台积电竹科晶圆12厂第7期10nm制程实验性产线,已订今年6月开始装机,2016年第4季投产,初期月产能约1万片。 王建光进一步透露,中科晶圆15厂扩厂计画,将规划兴建三座生产厂房(P5至P7),其中第一座厂预计2017年中投产,以10nm制程为主,隔年随即进入更先进的8nm制程,2018年三座厂产能全开,月产可达9万片,连同竹科厂合计10万片以上。 王建
[半导体设计/制造]
<font color='red'>台积电</font>扩厂 10nm与8nm比重或达3:7
台积电7nm狂揽客户的底气
来源:内容来自「中时电子报」,谢谢。 继德意志证券后,又一外资挺台积电夺下明年苹果A13处理器订单!麦格理证券半导体产业分析师廖光河指出,英特尔(Intel)10纳米制程延迟,台积电整合扇出型晶圆级封装(InFO)建立高门槛让韩国三星赶不上,苹果A13处理器订单是台积电囊中物,贡献明年下半年营收14%。 台积电与三星原本在苹果应用处理器订单上,一直短兵交接、争夺订单比重,然从苹果A10应用处理器开始,台积电逐渐摆脱三星纠缠,甚至开始独吞订单,若明年真如外资圈所料,继续豪取A13应用处理器订单,台积电在苹果供应链中的地位,几乎无可撼动。 早在去年时,德意志证券半导体产业分析师周立中便预测,台积电从今年第2季起,就会开始进入采7纳米
[半导体设计/制造]
台积电磁吸效应 半导体厂扩大在台投资
晶圆龙头台积电领军扩大在台投资,已掀全球知名半导体设备和材料厂向台湾群聚效应。 包括德商默克(Merck)、美商科林研发(Lam Research)、美商应材及日商艾尔斯(RS Technologies)及荷商艾司摩尔(ASML)等都加速在台布局,锁定台积电5奈米以下, 甚至备受瞩目的3奈米先进制程留在台湾逾5,000亿元的投资商机。 全球第二大半导体设备商科林研发执行长马丁.安斯帝思(Martin Anstice)日前抵台接受本报访问时宣布,将扩大在台零组件采购,同时将首度在台组装最先进的半导体制程设备,这也是科林研发首次将新设备拉到海外组装,并选定台湾。他表示,这是考虑就近服务客户,并缩短产品交期。 安斯帝思基于商业机密,不便
[半导体设计/制造]
苹果去三星化 台积电 还有对手
    苹果在关键零组件展开「去三星化」,其中处理器芯片的代工可能由原本的三星转向台积电传闻备受关注,但研究机构TrendForce认为,格罗方德(GlobalFoundries)与英特尔(Intel)也有机会出线。      在美国重新强化制造产业的当下,销售成绩甚佳的美国苹果公司,与韩国三星在平板计算机、智能型手机市场的专利战短兵相接,虽双方专利诉讼战还没有结束,但已可以确定的是,双方在供应链方面已经有生变的迹象。      TrendForce指出,苹果确定降低各领域采购三星零组件比例,其中行动运算核心处理器芯片A6与A7处理器代工订单最受关注。整体而言,目前的处理器A6芯片,虽仍是由三星负责半导体制程代工,但苹果正积极寻找其
[手机便携]
TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺
  TSMC推出模组化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围,可支持多种LED的应用,包括: LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等,且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代,并有数个数字核心模组可供选择,适合不同的数字控制电路闸密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘试制服务,支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。      借着新工艺所提供的多项整合特色,可减少系统产品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合,降低零组件数目外,其他可被整
[电源管理]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved