推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:29
3月价格大涨 Nand Flash概念股本季展望
群联(8299)董事长潘健成表示,智能型手机和平板计算机第二季进入出货旺季,储存型快闪存储器(Nand Flash)需求转强,将使Nand Flash第二季价格仍具支撑,甚至小涨。 不过,潘健成为,Nand Flash今年价格若仍维持在30%左右跌幅,会促使Nand Flash应用更快速成长,对相关厂商反而带来更正面的助益。 根据集邦科技调查,3月Nand Flash合约价受到日本大地震影响,市场担心短缺而抢货,主流的MLC NAND Flash合约价上涨约达5%到15%不等。但3月下旬,部分TLC合约价,则有些供应商针对2X纳米制程促销呈现10%跌幅,吸引更多的存储器卡厂商采购。 基本上,受到Nan
[手机便携]
提供沉浸式驾驶舱体验 美光推出汽车级UFS产品组合
多种容量选择的Micron® UFS 2.1 托管型 NAND,提供超快速启动和可靠性 美光科技股份有限公司发布针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求,从而增强了驾驶体验。Micron® UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构,可提供超快速启动和汽车级可靠性。 下一代信息娱乐系统包括多个高分辨率显示器和人工智能支持的人机界面,例如:语音、手势和图像识别。此类功能丰富、性能先进的系统需要高密度、高吞吐量和低延迟的存储能力。美光UFS 2.1 产品的顺序读取性能是该公司
[嵌入式]
大容量NAND Flash在多媒体手机中的应用
1引言 随着手机市场竞争的日趋激烈,多媒体手机逐渐成为市场的宠儿。因为有大量的多媒体数据,因此大容量存储是多媒体手机所要解决的首要问题。 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,是大数据量存储的最佳选择。在选择存储方案的时候,设计师必须综合考虑以下因素: (1)NOR的读速度比NAND稍快一
[嵌入式]
尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存
尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示,该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片,拥有比现有芯片更为简单的信元结构,该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。
这家日本芯片制造商表示,该公司采用了所谓的电荷撷取(charge trap)技术来开发这个4G的NAND闪存芯片,该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅(floating gate)技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示,这项新技术可帮助生产较目前市场上产品体积更小、功能更强大NAND闪存芯片。
尔必达的目标是成为全球第一个大规模生产基于电荷撷取技术NAND闪存芯
[半导体设计/制造]
英特尔在华发布采用3D NAND技术的全新数据中心级固态盘
2017年5月10日,大连 — 今天,英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘:英特尔® 固态盘DC P4500系列及英特尔® 固态盘DC P4600系列。这两款产品主要为云存储解决方案所设计,可应用于软件定义存储及融合式基础设施。英特尔® 固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化,能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔® 固态盘DC P4600系列则可以加速缓存,并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。同时,作为“非易失性存储器”制造基地的英特尔大连工厂正在扩建,以满足市场对3D NAND供应日益增长的需求,今天发布的这两款产品也是英特尔大连
[嵌入式]
美光副总裁欲在两年内将NAND市场份额提高3倍
8月15日,据美光科技公司NAND开发副总裁弗朗基F.鲁帕瓦称,由于美光科技公司的50纳米制程NAND闪存芯片计划在2007年年初投产,它打算在市场上展开更为积极的进攻,计划到2008年-2009年之间的时候将其市场占有率提高到10%以上。 鲁帕瓦称,50纳米制程4GBNAND芯片的批量投产计划在7月底时就已经开始试生产了。 明年,美光科技公司将开始从IM Flash Technologies公司的12英寸加工厂采购NAND芯片,IM Flash Technologies公司是它与英特尔公司在今年年初合资组建而成。该加工厂位于美国犹他州莱西市,计划月产能为20万件硅片。 莱西市加工厂和IM flash公司在弗吉尼亚州曼拉萨市的另
[焦点新闻]
Arm 2440——Nand flash启动模式详解(LED程序为例)
断断续续的研究arm也有2个月了,现在才感觉理解了arm在Nand flash模式下的启动过程,现在来这里记录下来以表达我无比喜悦的心情。闲话少说,趁着还没有忘记学习过程中的感受,直接进入正题。
大家都知道,arm在Nand flash启动模式下启动时系统会将Nand flash中的前4KB代码拷贝到SRAM(也就是Steppingstone中),由SRAM配置中断向量表和完成Nand flash访问的必要初始化,然后将Nand flash中的全部程序代码拷贝到SDRAM中,最后由SRAM跳转到SDRAM,然后程序就正常执行了,这一过程看上去很简单,但是真正理解这一过程还是不简单的,尽管这样,还是想告诉大家仔细理解还是比较容易理
[单片机]
NAND FLASU在储存测试系统中的应用
0 引言
计算机技术的高速发展,存储系统容量从过去的几KB存储空间,到现在的T8;乃至不久的将来要达到的PB存储空间,其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管理等崭新的领域,更给计算机技术和网络技术赋予了蓬勃的生命力。存数性能的提升通常是通过在基础结构上增加更多的物理磁盘驱动数目或者采用更快转速的磁盘驱动器来完成。
机载存储设备要求具有高的可靠性和高抗撞击、抗震、防潮、耐高压和承受高温的特点,而磁盘驱动器存取数据时有机械转动,其抗冲击,抗震动性不强,所以不适用于航空航天等恶劣环境下使用。基于半导体存储芯片闪存的固态存储器(SSD)的出现很好的
[测试测量]