推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:31
Vishay推出新款磁性编码位移传感器具有高精度更长寿命
宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 8 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的磁性位置传感器---RAME027,其精度可与霍尔效应器件媲美,而且有更高的可靠性和更好的耐久性。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%,高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。 可靠的性能和结构,使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功
[半导体设计/制造]
Vishay 推出新款CDMV系列厚膜片式电阻分压器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列厚膜电阻---CDMV系列,其在高压工业和新能源设备应用中可帮助分压设计节约宝贵空间,简化生产设计,提高设计灵活性。Vishay Techno CDMV系列电阻有各种各样的端接形式、材料和配置,工作电压高达1.4kV,在分压应用里,用这样一颗器件就能替代几颗分立电阻。
今天发布的这些器件在2512外形尺寸里集成了两颗电阻,能有效节省空间,电阻从10k 到75M ,最大电阻比能达到700:1,公差低至 0.5%。片式分压器的温度系数为 100ppm/℃,典型TCR跟踪为 50ppm/℃。
为提高设计灵活性,CDMV系列电阻有可软焊的
[电源管理]
Vishay推出业界最小的芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中,20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间,以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
[模拟电子]
Vishay推出新款193 PUR-SI Solar系列卡扣式功率铝电容器,提高额定电压
Vishay推出新款193 PUR-SI Solar系列卡扣式功率铝电容器,提高额定电压 器件在 +60 C下额定电压为570 V,+105 C 下类别电压为475 V,开路电压可达到600 V,降低太阳能光伏逆变器总成本 宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年8月15日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出Vishay BCcomponents 193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率铝电容器, 额定电压和类别电压分别提升至570 V和475 V 。 器件面向太阳能应用,特定条件下,工作电压最高可达600 V,使用寿命长,+ 105 °C和100 Hz下额定纹波
[电源管理]
Vishay推出超小型商用版汽车级IHLE®集成式电场屏蔽电感器
器件降低成本,节省电路板空间,1 cm距离处电场可减小-20 dB 宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年3月2日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型商用版汽车级5 mm x 5 mm x 3.4 mm 2020外形尺寸器件---IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A,扩充IHLE系列超薄、大电流电感器,其集成式电场屏蔽可减小EMI。Vishay Dale IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A 外型尺寸在市场上同类器件中处于先进水平,不需要单独板级法拉第(Faraday)屏蔽,从而降低成本,节省电路板空间。 该电感器 采用铜
[电源管理]
Vishay发布新款高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新系列适用于高温钻井和航空应用的高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列---PRAHT。新的PRAHT四电阻网络的工作温度为-55℃~+215℃,最高存储温度为+230℃,是业内首个采用薄膜技术制造的电阻阵列。
今天发布的Vishay Sfernice器件是油位和压力传感器、钻井勘探工具和航空发动机,以及刹车系统的绝佳选择。除高温性能外,电阻网络在额定功率、+215℃条件下工作2000小时后的负载寿命稳定率,仅有0.7%阻值漂移,具有10ppm/℃的严格TCR和2ppm/℃的TCR跟踪,电阻比的容差低至0.05%。
PRAHT系列的节距为1mm、1.35
[模拟电子]
Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。新器件集成了关断电路,因此不需要外部的关断元件和副边供电电源。新的MOSFET驱动器极大降低了配置成本和PCB空间,并提高了整体的系统可靠性和性能。
VOM1271针对工业和自动化测试设备等最终产品中的MOSFET驱动器、隔离式螺线管驱动器和定制固态继电器(SSR)进行优化。此前,设计者针对这些应用只能使用功率较小的市售SSR,或是体积大、价格昂贵的高压“h
[电源管理]
Vishay的高密度LED可替代TLM系列
Vishay Intertechnology公司近日推出高亮度SMD LED产品,该器件支持无铅回流焊工艺,并可替代Vishay的TLM系列产品。
VLM系列LED可用于汽车仪表板、收音机与开关、电信系统指示器与背光、音频/视频设备、办公设备以及平板背光的LCD/开关/标记背光照明。
VLM LED符合JEDEC-STD-020b标准,并具有与TLM器件相同的指标,能够方便地替代MiniLED(50mcd)、PLCC-2(240mcd)和PLCC-4(1,250mcd)的TML LED。此外该系列LED还符合RoHS规范,支持CECC 00802和JEDEC-STD-020b标准下的IR回流、气相及波峰焊等工艺。
[新品]