IGBT将成车用电子界的CPU 台系功率元件布局全面启动

最新更新时间:2018-05-22来源: DIGITIMES关键字:IGBT 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

车用绝缘闸双极电晶体(IGBT)已经成为国际IDM大厂三菱(Mitsubishi)、英飞凌(Infineon)等积极投入的领域,厂商认为,未来油电混合、纯电动车时代,IGBT元件以及模组的重要性,将成为车用电子领域中,如同电脑中CPU的角色。

 

尽管台系厂商投入稍慢,不过二极体厂商强茂、晶圆代工厂商茂硅、汉磊以及功率元件、模组封装导线架厂商界霖、顺德等,都已经看到IGBT的潜力,第一步先行切入变频家电,进一步切入工控,未来更看好车用领域需求。

 

二极体厂商中,强茂已经公开揭露IGBT策略布局。强茂握有来自于晶圆代工厂茂硅的奥援,茂硅预计6月将可以小量量产IGBT元件,2019年量产能力将更为提升,茂硅为台系晶圆代工厂中,与工研院最先投入IGBT科专研发计划的厂商。

 

IGBT目前仍是国际IDM厂天下,日、欧系大厂IGBT模组切入高铁系统等领域,带来庞大的利润,台系厂商虽然量产能力稍微落后,但随着IGBT重要日益提升,并不能够在该领域缺席。

 

强茂指出,预计2018年下半IGBT芯片可望小量生产,近期进入试产阶段,未来包括变频家电、电动车、工控,都是IGBT独立元件与IGBT模组主要应用市场,强茂良率已经达到90%以上。

 

大量承接IDM厂功率元件、模组导线架订单的界霖、顺德等相关厂商,也已经看到IDM厂积极布局。导线架厂商直言,IDM龙头发展车用电子的决心强大,导线架厂商在思考的是如何跟上客户脚步,在生产上配合客户出货,顺德、界霖估计都还会增加30%产能因应,预计2019年上半就会准备完毕。

 

车用电子工厂本身都需要通过严格认证,顺德、界霖两大厂商都积极拉拢IDM大厂客户,看好未来功率元件、功率模组都会走向车用规格,而能够通过严格的车规认证,也代表在工控、消费领域都能够得到客户信心,未来更广大的商机包括高铁系统等交通公共建设,更是高门槛、高获利的保证。

 

台系厂商发展IGBT元件与模组,首重大陆市场。强茂IGBT产品今年可望在年底就有营收贡献,供应链厂商推估,2019年上半,强茂、茂硅等相关厂商来自于IGBT的订单贡献量能,有机会再进一步提升。

 

供应链厂商表示,目前比亚迪已经有类似IDM厂生产IGBT芯片与模组的实力,估计月产能已经突破2.2万片,首重新能源车、充电桩市场,已经可生产IGBT元件与碳化硅(SiC)二极体封装的功率模组产品。

 

台系厂商目前已经可生产650、1,200V的IGBT元件,市场看好虽然暂时先以消费性的变频家电等应用为主,要一下子提升到高铁系统用的6,000V以上的大功率IGBT模组还有待时间酝酿。

 

不过中长期来看,台系厂商在车用电子功率元件领域可以先站稳车用MOSFET芯片,再跨入车用IGBT,大陆市场可望成为台厂自行设计制造IGBT最有机会发挥的区域市场。市场看好在IDM大厂强力发展车用电子的蓝图昭然若揭之下,委外代工趋势也将使台系功率元件供应体系可望分食IGBT商机。

关键字:IGBT 编辑:王磊 引用地址:IGBT将成车用电子界的CPU 台系功率元件布局全面启动

上一篇:AMD新平台接连上阵 祥硕今年营运新高可期
下一篇:AMD7纳米GPU蓄势进逼 NVIDIA新GPU或跳过12纳米、直攻7纳米

推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:34

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。 美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,效率提高了大约8%。新的NPT IGBT
[电源管理]
不间断电源中的IGBT应用总结
在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大的优点、使用IGBT 成为UPS 功率设计的首选。 关键词: 不间断电源 IGBT UPS iframe height=250 src="http://www1.elecfans.com/www/delivery/myafr.php?target=_blank&cb=0.10201411730307364&zoneid=80" frameBorder=0 width=300 scrolling=no /iframe   
[模拟电子]
不间断电源中的<font color='red'>IGBT</font>应用总结
IGBT模块的密勒电容影响
需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数: IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性,芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素,输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt,Coss造成的损耗一般可以被忽略。 其中:Cies = CGE + CGC:输入电容(输出短路)Coss = CGC + CEC:输出电容(输入短路)Cres = CGC:反馈电容(米勒电容)动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小,如下图所示。 可以看出密勒电容在VCE电压较小时有一个比较大的值,此时VCE的瞬变会通过此电容对IGBT栅极有明显的影响,尤其在半桥电路中有可能造成寄
[电源管理]
富士电机IGBT模块与优派克Eupec相应型号对照表
注:只列出封装相同之模块;-50表示RoHs 富士电机S系列PIM模块 结构 电流Ic Tc=80oC Amps. 富士PIM系列型号 EUPEC DLC系列型号 EUPEC IGBT3系列型号 10 7MBR10SA120 BSM 10GP 120 15 7MBR15SA120 BSM 15GP 120 FP 15R 12KE3G 25 7MBR25SA120 BSM 25GP 120 FP 25R 12K
[模拟电子]
富士电机<font color='red'>IGBT</font>模块与优派克Eupec相应型号对照表
泰克功率器件IGBT测试方案简介
IGBT简介: IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。 IGBT测试难点: 1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。 2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。 3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。 4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。 5、M
[测试测量]
泰克功率器件<font color='red'>IGBT</font>测试方案简介
高频功率切换损耗低 高速IGBT增强PV变频器效能
对需要输出过滤器或升压/降压抑制的应用来说,较高的切换频率可为整个系统带来好处,像太阳能变频器就是同时兼具两者的应用。太阳能变频器具有最好的效率及功率密度,同时也承受着高成本压力。高速绝缘闸双极晶体管(High Speed IGBT)已针对高频率硬切换应用优化,因此,该零件为太阳能应用中功率模块的理想选择。 本文将说明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速IGBT--HS3 IGBT三者应用在功率模块上的差异。结果显示,依据装置设计,650V HS3 IGBT将能提供最理想的效能,用做高效率的切换开关。 对阻断电压介于600~1,200V的现代IGBT而言,沟槽场截止(Trench-Field-
[电源管理]
高频功率切换损耗低 高速<font color='red'>IGBT</font>增强PV变频器效能
携手上汽,英飞凌踩住新能源汽车风口
英飞凌在日前宣布,携手上海汽车集团股份有限公司(以下简称“上汽集团”)在上海成立合资企业上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司,其中英飞凌在合资公司中的占股比例为49%,上汽集团的份额则为51%。在总投资方面,据透露,合资公司投资共分为三期,首期投资合一亿欧元。   英飞凌和上汽集团的合资企业开业仪式 英飞凌方面表示,新的合资公司将会聚焦在电动汽车市场制造功率模块的生产,模块也将在2018年下半年量产,生产基地则位于英飞凌无锡工厂的扩建项目内。对于国内的新能源汽车企业是个利好。   新能源汽车东风下的明智决定 在节能减排需求和各国政府的联合推动下,新能源汽车成为汽车产业最近几年的最大风口,这在中国尤甚。据中国汽车工业协会的统计,
[嵌入式]
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
【2023年10月10日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容 。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。 该产品
[电源管理]
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved