26种IC产品将在2020年迎来爆发期

这次是做一个SD卡的USB读卡器的功能，我们就在上次NAND Flash模拟出的U盘的工程上修改了，这样的话只要修改一小部分了。 工程的绝大部分不需要修改，只要将fsmc_nand.c文件移除工程，添加上官方的关于SDIO的SD卡的驱动代码文件stm32_eval_sdio_sd.c，我讨厌出现eval，所以将该文件直接改为sdio_sdcard.c。同时，既然我们使用SDIO来驱动SD卡，所以在外设库文件组里要添加stm32_sdio.c文件，否则会出现很多未定错误。 我们接下去修改的就只有mass_mal.c这个文件了。更NAND Flash工程一样，我们改成简洁点： uint32_t Mass_Memory_Size ;

2019年4月， 英特尔推出了傲腾H10 混合式固态盘。这款产品将英特尔傲腾技术的卓越响应速度和英特尔QLC 3D NAND技术的强大存储容量融为一体，采用M.2规格。 近日，英特尔非易失性存储方案事业部宣布基于中国大连制造的 QLC NAND裸片 所生产的英特尔® QLC 3D NAND固态盘（SSD）已达1000万个。此项生产始于2018年底，这一新的里程碑也确立了QLC技术成为主流大容量硬盘技术的重要地位。 英特尔客户端SSD战略规划与产品营销总监Dave Lundell表示：“很多公司都谈论过QLC技术，但只有英特尔真正意义上实现了QLC技术的大规模交付。我们一方面看到整个市场对英特尔低成本高收益的容量型

Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底。David表示，“由于闪存价格走好，在2007年第1季度，该公司将运营利润从400亿日元(3.455亿美元)修订为700亿日元(6.05亿美元)。”

通过技术和Equipment Intelligence®（设备智能）的创新，Vantex™重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3D NAND和DRAM的技术路线图。 泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。 3D存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸(CD)持续降低先进技术产品的位成本，将3D NAND和DRAM中的刻蚀深宽比提升

快闪存储器控制芯片厂群联公布2019年第1季合并财报结果，受惠快闪存储器（NAND Flash）控制芯片IC与存储器模块总出货量成长及产品组合健康，获利、毛利率均较上季成长。 群联首季合并营收为93.43亿元新台币（单位下同），受业外认列投资金士顿电子KSI（Kingston Solutions Inc.）损失影响，税后净利8.8亿元，季增10.54%，与去年同期则约略持平。不过，因持续优化产品组合，毛利20.94亿元，年成长超过15%，毛利率22.41%，每股盈余4.47元。 群联指出，与去年同期相比，NAND Flash控制芯片IC总出货量成长近2成，存储器模块增长近6成，而 SSD 及eMMC成品成长将近65%

日前，美光宣布开始生产 232 层 3D NAND。如今，SK海力士则声称其开发了238层4D NAND，成为全球第一。 随着对更高密度和性能的需求增长，内存市场在过去一年升温。就在上周，美光宣布生产其 232 层 NAND 闪存技术——据称是业内密度最高的 NAND 芯片。 SK 海力士的 4D NAND 产品。图片由 SK 海力士提供 4D NAND 与 3D NAND 相比究竟如何？ SK hynix 最新的NAND与其他最近在内存密度方面取得的进展相比如何？ 3D NAND 人气飙升 随着 NAND 闪存的扩展和性能需求的增加，该技术的发展已陷入僵局。NAND 器件现在非常小，以至于它们遇到了更多单元可

    中国智慧型手机生产量增加、出货量站上全球第一，连带对关键零组件的消耗量也大增，中国在 2014 年首度挤下南韩成为 Mobile DRAM 最大采购市场，据台媒报导，2015 年中国手机制造厂 Mobile DRAM 消耗量将持续成长，上看 5.3 亿颗。 市调机构 DRAMeXchange 资料显示，2015 年各企业 Mobile DRAM 消耗量排行榜中，第一名为三星 3.42 亿颗，第二名为苹果 2.2 亿颗，第三、四、五名皆为中国厂商，分别为联想 9,500 万颗、华为 8,500 万颗、小米 8,400 万颗。总量来看，中国 Mobile DRAM 消耗量以 5.3亿颗领先南韩两大手机制

NAND Flash控制芯片市场越来越艰辛，2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境！慧荣表示，第2季度出货量虽突破1亿颗，但毛利率首度跌破50％，更下修全年营运目标，造成慧荣在美股价于盘后大跌25％，而纯NAND Flash控制芯片设计业者如三星电子(Samsung Electronics)转投资的擎泰等，也面临第3季度营运较第2季度衰退情况。 　　慧荣总经理苟嘉章表示，第2季度许多NAND Flash厂开始减产，并降低记忆卡代工量，连带影响控制芯片业者出货量，加上插卡式手机市场销售不如预期，间接打击控制芯片业者营运，2008年第2季度是慧荣在美挂牌以来，首次未达到财测目标，是相当具挑战性的1季度。 　　控制芯