英飞凌推出高性价比的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET-电子工程世界

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS™ S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电流能力，并且具备最高质量标准。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。

该产品系列专为低频率的开关应用而开发，旨在降低它们的导通损耗，确保响应速度最快和效率最高。CoolMOS™ S7器件甚至实现了比CoolMOS™ 7产品更低的RDS(on) x A，因而能够成功地抵消开关损耗，最终实现导通电阻降低和成本节省。对于高压开关而言，CoolMOS™ S7产品拥有市面上最低的导通电阻（RDS(on)）。此外，10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装，22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚（TOLL）SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、紧凑、模块化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足法规要求和能效认证标准（如适用于SMPS的Titanium®标准），也能满足功率预算，减少零部件数量和散热器需求，同时降低总拥有成本（TCO）。

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IR推出IRF6718 DirectFET MOSFET

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