氮化镓市场前景光明,快充技术越来越平民化

发布者:心灵之窗最新更新时间:2020-04-07 来源: TechWeb关键字:氮化镓  GaN 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

在5G、电动车、电源装置等应用的推动下,第三代半导体材料氮化镓(GaN)产业需求已逐渐升温。

 

由于对设计、制造业者来说,资金、良率、成本、技术等环节皆为投入GaN领域的考验,因此早期多由欧美IDM业者开始发展,如今,已演变为业界扩大合作,加快产业发展步调,其中稳懋、环宇-KY,以及晶成半导体等台湾厂商将以既有基础优势,立足GaN磊晶与晶圆代工市场。

 

目前,稳懋RF应用6吋GaN-on-Sic晶圆已量产,环宇-KY则是提供4吋GaN-on-Sic晶圆代工服务,为基地台RF应用,且已有4吋GaN-on-Sic产能,6吋亦已通过认证,供基地台RF应用;至于晶成半导体则提供6吋GaN-on-Sic晶圆代工服务。

 

在应用端,小米65W氮化镓充电器的发布让氮化镓成了快充行业的一个高频词汇,149元的价格更是创下了行业新低。知名跨境电商品牌RAVPOWER也推出61W的氮化镓快充,仅109元。

 

从目前市面上在售的其他品牌60W-65W氮化镓快充充电器的售价来看,价格普遍都在149元以上,最高的接近300元。而此次RAVPOWER 61W氮化镓快充仅百元出头,将对氮化镓快充行业带来不小的冲击,不仅将氮化镓快充充电器拉下高价的神坛,还有望推动氮化镓快充的进一步普及。

关键字:氮化镓  GaN 引用地址:氮化镓市场前景光明,快充技术越来越平民化

上一篇:国产半导体硅片的机遇与挑战
下一篇:EPC更新GaN功率晶体管及集成电路播客内容

推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 09:23

氮化镓功率芯片公司纳微半导体将特殊收购合并Live Oak II
氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体,将通过与Live Oak II特殊目的收购公司合并的方式,以10.4亿美元的企业价值上市 • 这次交易将筹集约4亿美元的资金,其中包括多家投资机构以股权认购的方式,对价值1.45亿美元股份增发的超额认购。 • 资金用于加速产品开发,以及向潜在市场规模为130亿美元的功率半导体市场扩张,包括移动、消费、企业、可再生能源和电动汽车/电动交通领域。 • 纳微半导体估计,与旧式硅芯片相比,其专有的、受专利高度保护的GaNFast™功率芯片,体积和重量减半,但充电速度却提高达3倍,节能率高达40%。 • 纳微半导体已向戴尔、联想、小米、OPPO、LG、亚马逊、贝尔金等几十家高端客户交付了超过1800
[物联网]
<font color='red'>氮化镓</font>功率芯片公司纳微半导体将特殊收购合并Live Oak II
Anker宣布充用上GaN元件 消费级氮化镓充电器开卖
        关于消费级氮化镓GaN充电器的话题从来不曾停止。先是初创品牌Dart-C日渐式微,台达Innergie 60W USB PD与GaN绝缘,就连德州仪器提供的DEMO也并不建议用做量产参考,小体积大功率的消费级氮化镓充电器在哪里成了谜团。         但等待的时间似乎没有用上太久,Anker2018新品发布会上,正式发布了基于氮化镓GaN元件的Anker PowerPort Atom PD,同时推出的产品还包括微型投影仪Nebula Capsule II,Soundcore Model Zore系列音箱,以及无线智能摄像头eufy Cam。         Anker PowerPort Atom P
[手机便携]
GaN Systems推出12V D类音频放大器参考设计
氮化镓不止在电源转换,在音频功放领域,同样可以发挥其优势。 氮化镓功率开关供应商GaN Systems日前发布了其最新的参考设计,“使用GaN功率晶体管的12V高效音频参考设计”。 该参考设计是针对其D级音频放大器评估套件。 该公司表示,高品质的音频现在是从专业音频、家庭音频和便携式音频等所有领域的“必备”。使用GaN的D类音频系统不仅体积更小、重量更轻,而且提供了更好的音质。 新的技术手册使用GaN Systems的D类音频放大器评估套件为12V输入系统提供了几种放大器设计,其中包括一个2通道、每通道200W(8Ω)D类音频放大器和配套的400W连续功率音频级开关电源(SMPS)。 在音频系统中,提供更多的功
[模拟电子]
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流
宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。 EPC推出三款评估板,分别是 EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。 它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和短距离车载激光雷达系统而设计,通过可选的输入和输出值,加快评估氮化镓基解决方案。 所有评估板都具有相同的功能,只是峰值电流和脉冲宽度不同。这些评估板
[电源管理]
EPC <font color='red'>GaN</font> FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K
纳芯微全新推出GaN相关产品,包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K,均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。 其中,NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管;NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品,内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。 NSD2621产品特性: 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03. 驱动输出集成内部稳压器,驱动电压5V/5.5V/6V可选 04. 传输延时典型值30ns,上下管驱动传输延时匹配低于10n
[电源管理]
纳芯微全新推出<font color='red'>GaN</font>相关产品NSD2621和NSG65N15K
GaN想要脱颖而出,还需要做好这几件事
9月初的股市,并没有秋后的天高气爽之势,反而是不断滑落的大盘指数带给股民阵阵凉意。然而,有一个板块却逆势而动,在破万亿成交额的护航下一路飘红。 这就是第三代半导体板块。在整个产业即将进入国家战略规划消息的鼓舞下,第三代半导体技术再次成为了网红。作为行业双星之一的氮化镓(GaN),也因为在5G和功率市场的表现而再受瞩目。 破圈的2020年 小米在2020年初的一场发布会改变了GaN的命运。雷军展示了小米研发的65W GaN充电器,GaN材料也因此破圈成名。尽管已被业界内看做天选之子,GaN可从未获得如此高的待遇。 在媒体一轮又一轮的密集轰炸之下,GaN的优势已经人尽皆知:更大的禁带宽度更大,更高的临界击穿电场,
[半导体设计/制造]
<font color='red'>GaN</font>想要脱颖而出,还需要做好这几件事
大功率LED关键材料GaN开始侵食硅功率MOSFET市场
超级 半导体 材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为 大功率LED 的关键材料之一,并在 射频 领域中受宠,其中包括 Cree 、 RF MD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST、富士通、松下,以及新晋的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市场。iSuppli数据预测GaN器件的TAM到2013年达到109亿美元,而EPC产品的潜在市场价值70亿美元并将以11.1%的年增长率增长,该公司的共同创始人和CEO Alex Lidow如是表示。 2004年,Eudyna推出基于S iC 基板的耗尽型GaN射频 晶体管 ;随后Ni
[电源管理]
大功率LED关键材料<font color='red'>GaN</font>开始侵食硅功率MOSFET市场
意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求
回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战? 为更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024,火力全开》专题报道。 本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI(沐杰励)。 全工序SiC工厂今年投产 第4代SiC MOS即将量产 行家说三代半: 据《2023碳化硅(SiC)产业调研白皮书》统计,2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款,预计明年部分车型会规模量产。贵公司如何应对市场需求的增长? 意法半导体沐杰励: ST正在进行重大战
[半导体设计/制造]
意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved