Vishay推出600 V EF快速体二极管MOSFET，具备更低的FOM-电子工程世界

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出，以及即将发布的第四代600 V EF系列产品，Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω，超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr)比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。

关键字：Vishay MOSFET 引用地址：Vishay推出600 V EF快速体二极管MOSFET，具备更低的FOM

上一篇：台积电亚利桑那州晶圆厂2021年开工，斥资35亿美元
下一篇：都是疫情惹的祸，意法半导体全线产品自明年1月1日起涨价

推荐阅读最新更新时间：2024-10-30 10:22

Vishay推出超小型商用版汽车级IHLE®集成式电场屏蔽电感器

器件降低成本，节省电路板空间，1 cm距离处电场可减小-20 dB 宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年3月2日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型商用版汽车级5 mm x 5 mm x 3.4 mm 2020外形尺寸器件---IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A，扩充IHLE系列超薄、大电流电感器，其集成式电场屏蔽可减小EMI。Vishay Dale IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A 外型尺寸在市场上同类器件中处于先进水平，不需要单独板级法拉第（Faraday）屏蔽，从而降低成本，节省电路板空间。该电感器采用铜

[电源管理]

<font color='red'>Vishay</font>推出超小型商用版汽车级IHLE®集成式电场屏蔽电感器

Vishay新款超薄功率电感器可为便携式电子产品节省宝贵空间

无屏蔽和有屏蔽器件的电感高达100µH，外形尺寸为1212、1616和2020 eeworld网消息，宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2颗适用于便携式电子产品中DC/DC转换的新系列超薄功率电感器---IFL和IFLS系列。Vishay Dale IFL和IFLS系列器件的外形尺寸为1212、1616和2020，高度为1.0mm，最大电感为100µH，这个数值通常是尺寸更大的器件才能达到。今天发布的这些器件尺寸小、电感值高，频率可达5MHz，为笔记本电脑、桌面PC和服务器，超薄、大电流的电源和负

[半导体设计/制造]

IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

IRFH7085TRPBF 英飞凌 NMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=60 V, PQFN封装, 147 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管 IRFH7085TRPBF供应商 IRFH7085TRPBF 怎么订货 IRFH7085TRPBF 价格优势供应各大品牌MCU 单片机 IR msc普级，JAN军级，JANTX特军级，JANTXV超特军级，JANS宇航级二三极管，大量现货，只做正品原装 IRFH7085TRPBF产品详细信息 N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET

[机器人]

Vishay发布新系列的耐硫长边端接厚膜片式电阻

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出适用于汽车和工业领域的新系列耐硫长边端接厚膜片式电阻---RCA LS e3。针对高硫环境，Vishay Draloric RCA LS e3系列电阻采用了专利技术的结构，使耐硫能力达到ASTM B809 95的要求，在90℃下进行了1000小时的高级别测试，并且已通过AEC-Q200认证。器件的宽接头使功率等级达到2W。 RCA-LS e3系列电阻有0406、0612、1020、1218和1225共5种小外形尺寸，在密布元器件的PCB板上能有效节省空间。器件的阻值从1Ω到2.2 MΩ，公差为±1%和±5%，TCR为±1

[汽车电子]

快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。 LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大

[半导体设计/制造]

快速 60V 高压侧 N 沟道 <font color='red'>MOSFET</font> 驱动器提供 100% 占空比能力

Vishay推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管

Vishay推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管；器件厚度小于0.4mm，反向击穿电压超过15.5V，可用于各种便携式电子产品。宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 1 月29 日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管---VESD15A1-HD1-G4-08。该二极管具有超过15.5V的反向雪崩击穿电压和低正向电压，采用超小的LLP1006-2L封装。 Vishay Semiconductors VESD15A1-HD1-G4-08具有1.0mm x 0

[模拟电子]

<font color='red'>Vishay</font>推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管

满足开关电源要求的功率MOSFET

近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用开关电源控制器、加上多个驱动器及功率 MOSFET组成的多相开关电源能满足这种要求。若采用多相控制器与功率MOSFET组成的结构，应用十分灵活，可以根据输出电流的大小合理选择开关管及同步整流管，并且可获得很好的转模效率及低的纹波电压。　　为减少在工作频率高时的开关管损耗，要求开关管的栅极电容小、导通电阻小；并且要求输出漏极电流大，不少功率MOSFET厂家纷纷开发出各种低Qg、低RDS（on）及大ID的专用开关电源MOSFET。本文介绍Infineon公司在2007年7月推出的为开关电源设计的N沟道高开关速度功率MOSFET

[电源管理]

满足开关电源要求的功率<font color='red'>MOSFET</font>

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

纳芯微推出1200V首款 SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。纳芯微的碳化硅 MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车 (EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源 ( UPS )等领域。 NPC060N120A产品特性 - 更宽的栅极驱动电压范围（-8~22V）支持+15V，+18V驱动模式（可实现 IGBT 兼容：+15 V） +

[汽车电子]

纳芯微发布首款1200V SiC <font color='red'>MOSFET</font>，为高效、可靠能源变换再添助力！

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播