Nexperia推出80 V RET系列,可完全避免尖峰和脉冲的影响

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2021-01-12 来源: EEWORLD关键字:Nexperia  RET 手机看文章 扫描二维码
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半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia首次宣布推出80 V RET(配电阻晶体管)系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于48 V汽车板网(如轻度混合动力和EV汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以前的50 V器件无法处理。

 

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通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET(两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻),Ptot为350 mW,可实现更高集成度并节省更多成本。

 

新系列(NHDTx和NHUMx)包括42个具有PNP/NPN组合的器件,这些器件带有与Nexperia的50 V器件相同的偏置电阻组合。器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

 

Nexperia产品组经理Frank Matschullat评论道:“新型EV应用的设计工程师可以使用Nexperia的新型RET来简化系统设计、节省PCB空间、减少贴片时间并提高可靠性,从而确保系统能够满足未来需求。除了48 V汽车电路驱动器应用外,通用开关和放大及其他数字系统也将从这些新型高压器件中受益。”

 

80 V RET现在提供SOT23、SOT323和SOT363封装。


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