产业链消息人士：NAND闪存控制器供应依旧紧张

自己写的一个nand flash读写。 #include 2440addr.h #include def.h #include Nand.h S8 ECCBuf ; U32 PCLK; extern void Port_Init(void);//以下四个函数在2440lib.c中 extern void Uart_Select(int ch); extern void Uart_Init(int pclk,int baud); extern void Uart_Printf(char *fmt,...); extern void rNF_Reset();//以下三个函数在nand.c中 extern v

为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？ ，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？ 一、Nand flash的特性 1、位翻转 在 NAND 闪存是通过对存储单元（Cell）进行充电来完成数据存储的，存储单元的阈值电压就对应着数据值。当读取的时候，通过将它的阈值电压与参考点对比来获得其数据值。对SLC 而言，就只有两种状态和一个参考点。而对于2-Bits 的MLC 而言，它有4 种状态和三个参考点。TLC就更多状态和参考点。当读出的数据值与编程时数据值对应的阈值电压不相匹配时，表明数据发生了位翻转，就带

    芯片成长预估调升两倍。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧， 　　IC Insights 最新预期 2017 年全球芯片产值将成长 11%，两倍高于原先估计的 5%。IC Insights 解释原因为  DRAM 、NAND 快闪 存储器 展望明显上修。 　　IC Insights 现在预期今年  DRAM  销售额有望跳增 39%、NAND 快闪 存储器 有望成长 25%，随着报价走扬，未来两者都还有进一步上修的可能。 　　IC Insights 指出对照去年，DRAM 平均售价预估将大幅调涨 37%，NAND 快闪存储器今年也有 22% 的涨价空间。 　　DRAM 价格走扬，是因为供需有明显落差。据 IC In

6 月 8 日消息，SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。 SK 海力士在公告中称，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。 SK 海力士强调：“公司以 238 层 NAND 闪存为基础，成功开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD（Client SSD）解决方案产品，并在 5 月已开始量产。公司在 176 层甚至在 238 层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。” 据介绍，238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一

7月下旬NAND Flash合约价在一片淡季声中，仍是稳住阵脚，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈现持平。模块厂表示，三星电子(Samsung Electronics)释出数量不多，因此即使市场的买气平平，NAND Flash价格下跌压力有限，而英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营则是维持低价抢单的策略；市调机构英鼎(inSpectrum)预估，全球第3季的NAND Flash产出仍会较第2季成长25%，估计约16.26亿颗(以8Gb容量计算)。 根据英鼎科技报价显示，7月下旬NAND Flash合约价公布，32Gb和64Gb 容量的芯片小幅下跌1~3%，而主流16Gb容量芯片

　　随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限， 3D NAND 的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 　　在今年的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，三星(Samsung)宣布开发1Tb  3D NAND ，并将用于明年推出的商用产品中。 不过，我想知道4Tb  3D NAND 何时将会出现在市场上。 　　根据来自三星与东芝(Toshiba)的信息，64层TLC 512Gb 3D NAND芯片尺寸约为130mm2。 而假设以串行堆栈64层的条件下，我认为，为了建置4Tb NAND芯片： 　　需要8串64层串行堆栈，才能实现容量达4G

首先是Nand Flash的存储示意图，由最基本的页构成，一页有2KB，一块有64页即128KB，一片nand有2048块。所以，一枚nand芯片有256MB的容量。 除了本身的容量外，每页还有一个OOB（out of bank）区，用于解决nand缺陷（位反转）而存在。 问：CPU读取Nand上的第2048个字节数据，它是哪一个？ 答：是Page1的第0个byte。这是因为OOB只是用来解决nand缺陷而存在的，而CPU只关心数据，不需要看到OOB。 下图是读操作的流程图和时序图。 同样，我们需要先选中芯片，之后先发出0x00命令，然后是五个字节的地址，然后是0x30命令，之后就可以读取了，每次读取，

　　2010年在半导体存储器业界，各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此，市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008～2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现了小幅下跌。然而，进入2010年下半年后，以DRAM为中心、价格呈现出大幅下降的趋势。2011年很有可能再次进入残酷的实力消耗战。技术方面，微细化竞争愈演愈烈，以突破现有存储器极限为目标的新存储器的开发也越来越活跃。 　　象征着半导体存储器业界的设备投资出现恢复迹象的，是东芝开工建设NAND闪存新工厂。东芝预定2009年春季开工建设的“Fab5”延期很久之后，终于定于2010年7月开始动工。该工厂为东芝与美国晟碟