国产19nm DDR4内存芯片良率已达75% -电子工程世界

其中，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地以西，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地以北，规划土地面积9.2平方公里，规划总建筑面积420万平方米，总投资约500亿元。

截至2020年底，合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，今年3月份开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

内存技术上，长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺，此前一直没有公布具体细节，日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。

75%的良率在业内不算顶尖水平，不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间，现在的良率表现已经不错了，制造出来还是能保证毛利的。

此外，长鑫的第二代内存升级到了17nm工艺，具体良率没公布，但目前会比较低，还在爬升中。

关键字：内存芯片引用地址：国产19nm DDR4内存芯片良率已达75%

上一篇：Intel全力押注EUV工艺争取首发下代高NA光刻机
下一篇：揭秘半导体制造全流程（下篇）

推荐阅读最新更新时间：2024-11-04 11:03

iSuppli：全球内存芯片二季销售增长14%

　　据外电报道，市场研究机构iSuppli日前发表报告称，计算机内存芯片第二季度的销售好于预期，增长率达14.3%。随着学生返校以及年底销售旺季的到来，预计，这种旺盛的销售增长会一直持续到年底。　　 Isuppli还在报告中指出，DRAM芯片第二季度的销售额达到了75亿美元，相比之下，第一季度其销售额为66亿美元。Isuppli先前曾预期DRAM芯片销售季度增长率会超过4.4%。　　 ISuppli内存分析师Nam Hyung Kim在报告中称，除价格上涨、供应吃紧以及产量下降外，DRAM市场第二季度的强势表现还受到了需求高于预期的推动。　　全球顶级DRAM供应商三星电子第二季度的DRAM销售增长了18.5%，达21

[焦点新闻]

三星拟投资逾10亿美元改造内存芯片生产线

　　三星电子（Samsung Electronics）本周一宣布，该公司计划今年投资1.05万亿韩元（合10.5亿美元）对内存芯片生产线进行技术改造。　　三星电子在向证监会递交的文件中表示，这笔投资将用于改造生产线，改进生产工艺，以提高该公司在内存芯片产量和价格方面的竞争力。

[焦点新闻]

全球内存芯片产值未来五年年增上看7.3%

据koreaherald报道，全球内存芯片景气持续畅旺，能见度已看到未来五年，无论是市场需求，或是合约价格均同时看升。专业半导体调研机构IC Insights周一公布数据预测，2021年全球DRAM、NAND闪存产值规模将来到1,099亿美元，对照去年的773亿美元，每年复合成长率达7.3%。 DRAM、NAND近来需求紧俏，让三星与SK海力士等南韩内存大厂赚饱饱，目前两家更是DRAM全球市场份额合计达75%，NAND闪存合计市场份额也逼近五成（47%）。三星电子日前公布去年第四季财报显示，其芯片制造部门营业利润达4.95兆韩圜，或相当于42.4亿美元，创下历史新高。海力士同期间也创造1.5兆韩圜的营业利润。

[嵌入式]

5大迹象显示内存芯片「超级循环」将结束

财经部落格《Seeking Alpha》专栏作家指出，在苹果下调 iPhoneX 产量，以及大陆半导体公司预计在 2019 年将完成内存厂设置，内存的供需出现变化，在产能预期可提升的情况下，全球 DRAM 的平均售价将降低。《Seeking Alpha》专栏作家 Robert Castellano 表示，有 5 大迹象显示，内存的「超级循环」即将结束。 1. 内存平均售价呈现下滑作者根据 Korea Investment & Securities 提供的数据，统整 2016 年至 2018 年 NAND 和 DRAM 平均销售价格 (ASPs)，数据显示三星电子 SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均销售价格变化，在最

[手机便携]

中国内存内计算芯片新突破，AI助力老架构焕然一新

随着物联网时代的到来，海量的数据蜂拥而至。特别是各种应用终端和边缘侧需要处理的数据越来越多，而且对处理器的稳定性，以及功耗提出了越来越高的要求，这样，传统的计算体系和架构的短板就显得愈加突出，未来，具有更高效率和更低功耗的计算系统一定会大行其道。在这样的背景下，存算一体（Computing In Memory，内存内计算）AI芯片应运而生。目前，不少国际上的领先企业和研究机构正在致力于各种新型存储器的研究，其中一个很大的驱动力就是希望能够实现具有更高效率的存算一体系统，而在这其中，AI的融入也是一大趋势。这些使得计算+存储+AI的融合发展成为了一大方向。不仅是在国际上，最近几年，我国本土的一些企业和科研院所也在致力于这

[嵌入式]

中国<font color='red'>内存</font>内计算<font color='red'>芯片</font>新突破，AI助力老架构焕然一新

DSP芯片TMS320C6712外部内存自引导功能的实现代码

TMS320C6000系列与TMS320C54系列的引导方式有很大差别。在开发应用TMS320C6000系列DSP时，许多开发者，尤其是初涉及者对DSP ROM引导的实现有些困难，花费许多时间和精力摸索。笔者结合开发实例，介绍了实现外部存储器引导的具体方法。 DSP的引导过程 DSP系统的引导（BOOT）是指系统加电或复位时，DSP将一段存储在外部的非易失性存储器的程序代码通过DMA方式拷贝到内部的高速内存中运行。这样既能扩展DSP有限的存储空间，又能充分发挥DSP内部资源的效能。用户的代码也可以通过掩膜方式写入到DSP内部ROM中，但这样受容量和价格的限制，且不便于扩展和升级。 DSP的引导过程如下： 1) DSP复位后，通过

[单片机]

DSP<font color='red'>芯片</font>TMS320C6712外部<font color='red'>内存</font>自引导功能的实现代码

消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

5 月 24 日消息，据路透社报道，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。报道称，这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片，该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。三星在一份声明中表示，HBM 是一款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。英伟达拒绝置评。三位消息人士称，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。据两位知情人士透露，三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失

[半导体设计/制造]

国产19nm DDR4内存芯片良率已达75%

2019年9月份，合肥长鑫量产了国内首款DDR4内存芯片，这两年来已经在多个国产内存品牌中商用，性能、价格都不错。根据资料，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12吋存储器晶圆制造基地（以下简称“基地”）、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。其中，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地以西，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地以北，规划土地面积9.2平方公里，规划总建筑面积420万平方米，

[半导体设计/制造]

国产19nm DDR4<font color='red'>内存</font><font color='red'>芯片</font>良率已达75%

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播