乌克兰：半导体科学家被“射杀”

近日，乌克兰国家科学院 (NASU) 发布公告称，著名物理学家、半导体领域卓越贡献者——克拉德科教授在俄乌冲突中被“射杀”身亡。

NASU通过官网发布的公告中表示，“乌克兰国家科学院物理和天文学部门遗憾地告知，3月13日，俄罗斯占领军无情地射杀了杰出的实验物理学家、教授、乌克兰国家科学院VE Lashkaryov半导体物理研究所长期系主任、副主任。他还是乌克兰国家科学技术奖和乌克兰国家科学院VE Lashkaryov奖的获得者，乌克兰国家科学院通讯院士。”

截至发稿前，该消息未获得俄罗斯方面任何确认。

乌克兰国家科学院（NASU）成立于1918年，是前苏联现存的最古老、规模最大的顶级研究机构之一。

公开信息显示，克拉德科1957年出生在乌克兰西部的Ozero村，因其在使用高分辨率X射线衍射（一束X射线通过材料时的散射方式）来寻找非常薄的晶体结构中的缺陷而闻名，例如构成微芯片、二极管和晶体管中的半导体的那些缺陷。

半导体是一种不能像真正的导电材料（如铜）那样导电的材料，但比绝缘材料（如橡胶）的导电性能好。半导体处于导电光谱的中间位置，因此被称为半导体。它们通常是固体时具有晶体结构的材料，如硅。

而克拉德科教授的贡献在于，在对更小、更强大和更复杂的微芯片的需求不断增加的阶段，微芯片和其他小型但重要的电子元件的制造商需要能够更好的方法来控制材料的物理和化学特性，而通过使用X射线衍射，克拉德科教授的研究方法可以非常详细地观察非常小、非常薄的晶体材料层。

自2004年以来，克拉德科领导着一个专门从事这一研究的部门，即NASU的V.E. Lashkaryov半导体物理研究所的半导体材料和系统结构分析部。他也是V.E. Lashkaryov研究所本身的副所长，并在乌克兰和国际上的一些物理学杂志上担任编辑。

克拉德科教授的研究成果主要包括：

1、在同时包含变形和成分不均匀性的复杂结构缺陷的最复杂情况下，研究真实晶体对X-变化的动态解离过程的物理学。

2、根据晶体介质中动态X射线弥散的特殊性，在异常弥散领域提出并发展了真实晶体的结构诊断法。

3、建立了垂直整合的量子点简单相关函数的远结构秩序的二维模型，并允许通过高分辨率X射线衍射的实验数据获得具有这种量子点的异质结构的量子分析结果。

4、建立了一种新的综合方法的物理基础，用于在最复杂的缺陷结构中对真正的晶体进行结构诊断，这些缺陷结构同时由应变和成分不均匀性组成。

5、通过对纳米结构物体使用准任意反射来扩展研究领域，建立了一些有趣的规律性。准量子点反射对包含固体溶液的子球体的组成高度敏感，以及超量子点的卫星对其单个球体的缺陷结构的振动敏感性，以及分别分离这种结构对每个球体的分离能力的贡献的可能性。