5 月 25 日消息,TrendForce 研究显示,今年第一季 DRAM 产业营收约 96.6 亿美元,环比下降 21.2%,已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升,其余均衰退;平均销售单价三大原厂均下跌。
营收方面,三大原厂营收均下滑。三星出货量与平均价(ASP)同步下跌,营收约 41.7 亿美元,环比下降 24.7%。
美光第一季度上升至第二名,主要是财报区间早于其他原厂,故受惠于去年底出货订单,为所有原厂中唯一出货正成长的厂商,但依然有一定衰退,营收 27.2 亿美元,环比减少 3.8%。
SK 海力士第一季度出货量及 ASP 均下跌逾 15%,营收衰退幅度 31.7% 为最高,约 23.1 亿美元。
分析师指出,由于 ASP 快速下跌,三大原厂 Q1 营业利润率由正转负,同时 DRAM 价报价持续下行,第二季营业利润率仍是亏损状态。产能规划方面,三大原厂均已启动减产,三星、美光、SK 海力士第二季稼动率分别下滑至 77%、74%、82%。
不仅只有大厂遇冷,南亚科(Nanya)、华邦(Winbond)和力积电(PSMC)等小厂也有一定幅度的业绩衰退,第一季营收分别减少了 16.7%、8.8%、12.3%。
关键字:DRAM
引用地址:
TrendForce:全球DRAM产业Q1营收环比下降21.2% 连续三个季度衰退
推荐阅读最新更新时间:2024-11-19 22:10
DRAM价格节节攀升 未来产能恢复恐回跌
去年DRAM主要因为供货吃紧的原故,价格大幅上扬,而去年9月南韩记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)大陆无锡厂火灾至今,使得全球DRAM产能减少13%,更让DRAM价格持续上扬。然而,媒体认为这样的好光景恐怕不会持续下去。 The Motley Fool网站报导,DRAM供应短缺的确让美光科技(Micron)、海力士及三星电子(Samsung Electronics)等利润厂商上扬,但是最近情势发展看来,DRAM厂获利的光景,恐怕不会维持很久,其原因如下所述。 首先,海力士失火的无锡厂区预期于今年1月完全恢复运作,其拥有约13万DRAM模组的月生产力,失火期间使得全球DRAM让全球供应紧缩。如此迅速的恢复期对于海力士来说
[手机便携]
SK海力士2017利润暴涨319%,2018年继续创纪录
受惠于 DRAM 价格大幅上涨以及市场需求持续提升,韩国存储器厂 SK海力士 2017年第四季度营收大幅增长69%至9万亿韩元,净利几乎翻番,4.5万亿韩元(约合人民币270亿元),对比2016年同期大幅成长97.7%。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 2017全年, SK海力士 营收为30.1094万亿韩元(约合人民币1796亿元),同比增长75%。净利为13.7213万亿韩元,同比增长319%。 该公司的一份声明中指出,2017年第四季度存储市场依旧火爆,受全球数据中心增长驱动,服务器存储器需求尤其强劲,将继续推动公司2018年利润的增长, SK海力士 也将扩展新生产线来满足市场需求。不过,由于安装
[网络通信]
美光日本DRAM工厂突发停电,损失仍在评估中
据美光官方消息,当地时间7月8日,美光位于日本广岛的DRAM工厂受恶劣天气影响,工厂突发停电,而且停电时间较长,目前工厂人员均安全。 据了解,停电对于美光DRAM生产设备造成了一定的影响,部分生产设施被关闭,近日已开始恢复,但只能恢复到较低水平,本周还会继续恢复。 至于这次停电事故造成的损失,美光还在清查,对半导体生产来说,停电会导致正在生产的晶圆可能出现问题,需要判断是否符合质量标准,否则就只能做报废处理。但现在不确定有多大影响,美光还在评估,未来会根据情况通知客户。美光预计2022财年第四财季(6-8月)及2023财年第一财季的业绩产生影响。 6月30日,全球第三大内存供应商美光公布了截至 5 月的第三财季业绩,销
[半导体设计/制造]
东芝受停电影响,三星NAND Flash乘势喊涨
存储器芯片与智能手机市况低迷影响,三星电子预估,第2季营业利益将比去年同期下滑逾50%。不过,因为存储器大厂东芝旗下厂区发生停电影响,加上相关存储器厂商亏损已久,手机品牌厂下半年推出新手机等因素,包括三星在内的NAND Flash原厂反而乘势喊涨。 三星电子5日发布初估财报指出,上季营业利益将年减56.3%至6.5兆韩元(56亿美元),营收下滑4.2%至56兆韩元,都略高于市场预期,主要是受到显示器部门一次性收益的提振,三星未进一步说明。 分析师原本认为,美国管制华为可能导致 DRAM 与NAND快闪存储器芯片价格受累,日本管制对韩国的高科技原料出口也延后三星的获利时间。 不过近期有模组业者表示,最近正在谈定第3
[嵌入式]
华为新型3D DRAM成果亮相集成电路国际顶会
集微网消息,据外媒报道,华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上,发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。 报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧(IGZO)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管,具有出色的温度稳定性和可靠性。 根据此前报道,在去年举办的IEDM 2021上,中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队,首次提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA),该结构有效减小了器件面积,且支持多层堆叠,通过将上下两个CAA器件直接相连,每个存储单元的尺寸可减小至4F2,使IGZO-DRAM拥有了密度优势,有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。
[手机便携]
DRAM供不应求 三星将向对手下单
外电报导指出,因旗下GALAXY系列手机产品销售畅旺,三星可能得向对手海力士采购DRAM。研究机构则认为,面对市场旺季时零组件供应吃紧问题,将攸关第2季手机厂商出货消长的关键。 报导指出,DRAM芯片供应吃紧不仅影响到三星,加上NAND快闪存储器芯片等也呈现短缺迹象,将是苹果、宏达电等智能型手机及平板计算机厂面临的问题。 零组件供应吃紧,三星原订27日全球同步开卖的新机GALAXY S4,已有部分美国电信业者表示,将延后上市。另外,下半年三星将推出搭载Tizen操作系统的新手机,以及新一代平板手机GALAXY Note3;苹果预订9月推出新一代iPhone,将使得零组件供应持续紧俏。 市场研究机构TrendForce的调查显
[手机便携]
韩国DRAM微细制程比重高 占市场优势
据韩国电子新闻报导,韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势,维持在全球DRAM市场的主导权,尤其40纳米等级微细制程扩大,使韩国企业市占率随之扩大,在2011年第1季写下不错成绩,其它DRAM业者因转换制程时机较晚,第1季营收多不理想。 外电报导,三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等韩国DRAM半导体业者40纳米等级制程比重超过50%以上。而美国美光(Micron)、日本尔必达(Elpida)、台厂南亚等竞争业者40纳米等级制程比重未满20~40%,华亚和力晶等比重则停留在约10%。 最早转换微细制程的三星将50纳米等级制程减少21%,并将40纳
[半导体设计/制造]
DRAM供不应求短期难解 三星计划下季再调涨报价3~5%
DRAM 供不应求短期难解,全球 DRAM 制造龙头韩国 三星 半导体通知渠道商,计划明年第1季再调涨 DRAM 报价,涨幅3~5%,其中以行动式DRAM涨幅较大,这也说明 三星 在采取节制性增产下,仍不愿放弃持续拉升DRAM获利,推升集团获利表现,有助破除让近期市场担心 三星 可能会扩产,打乱DRAM产业秩序的疑虑。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 中国台湾地区DRAM大厂也强调,目前主要大厂包括三星、美光和SK海力士等,仍以升级制程作为提高DRAM产出的主要方向,预料即使三星调升部分产线,增加的DRAM产出仍无法满足市场需求,预料明年DRAM还是处于供货短缺,产业还是会相当健康的一年。 三星和SK
[手机便携]