SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产-电子工程世界

在8月8日至10日于圣克拉拉举行的闪存峰会（FMS）2023上，SK海力士公司介绍了其321层1Tb TLC* 4D NAND闪存的开发进展，并展示了样品。SK hynix是业内首家详细公布300多层NAND开发进展的公司。该公司计划提高321层产品的完成度，并在2025年上半年开始量产。

该公司表示，已量产的全球最高 238 层 NAND 的成功为其积累了技术竞争力，为 321 层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破，SK hynix 将开启 300 层以上 NAND 的时代，引领市场潮流。"

321层1Tb TLC NAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。

ChatGPT 的推出加速了生成式人工智能市场的发展，自此，对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此，在本届FMS上，SK hynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能，充分满足客户对高性能的需求。

同时，SK hynix还宣布已开始开发下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并通过这些产品获得了更完善的解决方案开发技术。

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