1 月 25 日消息,英特尔今日宣布,已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产,其中包括英特尔突破性的 3D 封装技术 Foveros。
这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州 Fab 9 投产的。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示:“先进封装技术让英特尔脱颖而出,帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸,以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”
随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”(IT之家注:Chiplets,又称“小芯片”)的异构时代,英特尔的 Foveros 和 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等先进封装技术号称可以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,并在 2030 年后继续推进摩尔定律。
据介绍,英特尔的 3D 先进封装技术 Foveros 在处理器的制造过程中,能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外,Foveros 让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片,优化成本和能效。
该公司曾表示,规划到 2025 年时,其 3D Foveros 封装的产能将增加四倍。
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英特尔宣布实现 3D 先进封装技术 Foveros 的大规模量产
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