写MSP430片内flash

发布者:二进制心灵最新更新时间:2015-10-27 来源: eefocus关键字:MSP430  片内flash 手机看文章 扫描二维码
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//******************************************************************************

// 参数: adr 为地址 , 范围 0x1000~0xFFFF
void  FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8 bLen)
{
   while (bLen--)
     *bBuf++=*(uint8 *)adr++;
   return;
}


// 写入地址 adr  写入数据:*pc_byte

void FlashWrite(long adr,uchar *Datain,uint len)
{

 //FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK  16*FN4 + 8*FN3
  FCTL3 = FWKEY;
  FCTL1 = FWKEY + WRT;

  while(FCTL3 & BUSY);                //如果处于忙状态,则等待
  while(count--)
  {

    while(FCTL3 & BUSY);
    *(uchar*)adr++ = *Datain++;
  }
  FCTL1 = FWKEY;
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;
  while(FCTL3 & BUSY);
}

 

 

 

EraseSectorFlash  过程

 

【430片内FLASH】写MSP430片内flash

 

void EraseSectorFlash(unsigned int adr)
{
     
      _DINT();
      uchar *p0;
      //FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源,分频
      FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
      while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,则等待
      FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作  每段512字节
      p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针
      *p0 = 0;            //向段内任意地址写0,即空写入,启动擦除操作
      FCTL1 = FWKEY;
      FCTL3 = FWKEY + LOCK;
      while(FCTL3 & BUSY);
      _EINT();                       //开总中断
}

 

查看空闲的FLASH 地址,避免擦除代码所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除,每段512字节。

找不到datasheet,不知道段的起止地址的,可以打开memory ,在内存窗口,用代码尝试随便写入一个任意地址,看哪些地方被改写成0xFF 就知道段的起止,如:

我们在0x15000写入(EraseSectorFlash(0x15000);),那里原本有非0xFF数据,好辨认(是FF的可以先写再擦)。看到段的起止是15000-151ff 刚好是512 。 

0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200 以此类推。

           

验证代码:

              EraseSectorFlash(0x2A000);
              EraseSectorFlash(0x2A200);
              EraseSectorFlash(0x2A400);
              EraseSectorFlash(0x2A600);
             
              FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xCB,900);
              FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xCA,900);
              FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xC9,900);
              FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);
             

【430片内FLASH】写MSP430片内flash
 

 

编译地址分配:
 
在IAR窗口中,点击view》memory ,在内存窗口,点下拉框选择 SER 可知,SFR地址为  0x0000-0fff
                                                                   RAM地址为:0x1c00-5bff
                                                                   FLASH地址:0x5c00-45bff
结合看下面的地址分配图,即可知道各部分代码和数据被分配到什么地方。
 
 
                ****************************************
                                                    *
                    SEGMENTS IN ADDRESS ORDER       *
                                                    *
                ****************************************

SEGMENT              SPACE    START ADDRESS   END ADDRESS     SIZE  TYPE  ALIGN
=======              =====    =============   ===========     ====  ====  =====
DATA16_AN                              0102 - 0103                rel    0
                                       0120 - 0121               2
                                       0140 - 0141               2
                                       0144 - 0145               2
                                       015C - 015D               2
                                       0168 - 016F               8
                                       020A - 020B               2
                                       0222 - 0225               4
                                       0228 - 0229               2
                                       0242 - 0245               4
                                       024A - 024B               2
                                       026A - 026B               2
                                       0282 - 0285               4
                                       028A - 028B               2
                                       02A2 - 02A5               4
                                       02A8 - 02A9               2
                                       0340 - 0341               2
                                       0350 - 0351               2
                                       0380 - 0387               8
                                       0392 - 0397               6
                                       03AE - 03AF               2
                                       03C0 - 03C3               4
                                       03D2 - 03D3               2
                                       0640 - 0641               2
                                       0646 - 0648               3
                                       064C - 064C               1
                                       064E - 064E               1
                                       065C - 065D               2
DATA20_I                               1C00 - 1E26             227   rel    1
DATA20_Z                               1E28 - 28B7             A90   rel    1
CSTACK                                 5400 - 5BFF             800   rel    1
//-------------------------------------以下为编译到FLASH的代码---------------------------
CSTART                                 5C00 - 5C2F              30   rel    1
ISR_CODE                               5C30 - 5E63             234   rel    1
                              5E64 - D123            72C0   rel    1
INTVEC                                 FF80 - FFF9              7A   com    1
RESET                                  FFFE - FFFF                rel    1
DATA20_C                           00010000 - 00019486        9487   rel    1
DATA20_ID                          00019488 - 000196AE         227   rel    1
                ****************************************
                                                    *
                      END OF CROSS REFERENCE        *
                                                    *
                ****************************************
 30 112 bytes of CODE  memory
  5 303 bytes of DATA  memory (+ 81 absolute )
 38 574 bytes of CONST memory
Errors: none
Warnings: none

 

 

1 Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍


MSP430的Flash存储器是可位、字节、字寻址和编程的存储器。该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作。控制器包括三个寄存器,一个时序发生器及一个提供编程、擦除电压的电压发生器。


Msp430的Flash存储器的特点有:


1)  产生内部编程电压


2)  可位、字节、字编程,可以单个操作,也可以连续多个操作


3)  超低功耗操作


4)  支持段擦除和多段模块擦除


2 Flash存储器的分割


Msp430 Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入,也可以进行连续多个字、字节的写入操作,但是最小的擦除单位是段。


Flash 存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同。


以Msp430F149为例,信息存储器有两个128字节的段,即segmentA和segmentB,主存储器有多个512字节的段。Msp430F149内部Flash的地址为0x1000H~0xFFFFH,计60K。信息段SegA的起始地址为0x1080H,信息段SegB的起始地址为0x1000H。


3 Flash存储器的操作


在默认状态下,处于读操作模式。在读操作模式中,Flash存储器不能被擦除和写入,时序发生器和电压发生被关闭,存储器操作指向ROM区。


Msp430 Flash存储器在系统编程ISP(in-system programmable)不需要额外的外部电压。CPU能够对Flash直接编程。Flash存储器的写入/擦除通过BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位确定。


3.1 擦除


Flash存储器各位的缺省值为1,每一位都可以单独编程为0,但只有擦除操作才能将其恢复为1。擦除操作的最小单位是段。通过erase和meras位设置可选择3种擦除模式。[page]



MERAS


ERASE


擦除模式


0


1


段擦除


1


0


多段擦除(所有主存储器的段)


1


1


整体擦除(LOCKA=0时,擦除所有主存储器和信息存储器的段;主存储器的段只有当LOCKA=0时可以擦除)


擦除操作开始于对擦除的地址范围内的任意位置执行一次空写入。空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作。在空写入操作之后,BUSY位自动置位,并保持到擦除周期结束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期结束后自动复位。


3.2 写入


写入模式由WRT和BLKWRT位进行设置。


 















BLKWRT(块写入模式选择)


WRT(写模式选择位)


写入模式


0


1


单字节、单字写入


1


1


块写入

所有的写入模式使用一系列特有的写入命令,采用块写入的速度大约是单个写入的2

倍,因为电压发生器在块写入完成器件均能保持。对于这两种写入模式,任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址。一个Flash字不能再擦除器件进行两次以上的写入。


当启动写入操作时,BUSY置位,写入结束时复位。


4 操作编程


4.1 Flash擦除


对Flash要写入数据,必须先擦除相应的段,且对Flash存储器的擦除必须是整段进行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的顺序如下:


1)  选择适当的时钟源和分频因子;


2)  清除LOCK位


3)  判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步


4)  使能段操作,设置ERASE、MERAS位等(如果是擦除一段,则ERASE=1,如果擦除多段,则MERAS=1,如果擦除整个Flash,则ERASE=1,MERAS=1)


5)  对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入,以启动擦除操作


6)  在擦除周期内,时钟源始终有效,不修改分频因子


7)  操作完成后,置位LOCK


根据上述操作顺序,编写程序代码如下:


void FlashErase(unsigned int adr)


{


  uchar *p0;

(关闭中断:_DINT();//关闭总中断 本人注)

 

  FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源,分频


  FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK


  while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,则等待


  FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作


  p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针


  *p0 = 0;            //向段内任意地址写0,即空写入,启动擦除操作


  FCTL1 = FWKEY;


  FCTL3 = FWKEY + LOCK;


  while(FCTL3 & BUSY);

 ( _EINT();    //开总中断 本人注)

}


4.2 写入


对Flash的写入数据可以是单字、单字节,也可以是连续多个字或字节(即块操作)。编程写入操作的顺序如下:


1)  选择适当的时钟源和分频因子;


2)  清除LOCK位


3)  判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步操作


4)  使能写入功能,设置WRT、BLKWRT(如果写入单字或单字节则WRT=1,如果是块写入,或者是多字、多字节连续写入则WRT=1,BLKWRT=1);


5)  判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步操作


6)  写入数据


7)  判忙,完了之后清除WRT,置位LOCK


根据上述操作顺序,编写程序代码如下:


//write single byte


//Adr 为要编程的地址,没有奇偶地址要求、DataB为要编程的字节数据


void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)


{


  FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK  16*FN4 + 8*FN3


  FCTL3 = FWKEY;


  FCTL1 = FWKEY + WRT; 


  while(FCTL3 & BUSY);


  *((unsigned int *)Adr)=DataB;//数值强制转换成指针,指向地址数据Adr所表示的内存单元

(*((unsigned char *)Adr)?本人注)

                               //将数据字DataW赋值给内存单元


  FCTL1 = FWKEY;


  FCTL3 = FWKEY + LOCK;


  while(FCTL3 & BUSY); 


}


//write single word


//Adr 为要编程的地址,应该是偶地址、DataW为要编程的字数据


void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)


{


  FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK  16*FN4 + 8*FN3


  FCTL3 = FWKEY;


  FCTL1 = FWKEY + WRT; 


  while(FCTL3 & BUSY);


  *((unsigned int *)Adr)=DataW;//数值强制转换成指针,指向地址数据Adr所表示的内存单元


                               //将数据字DataW赋值给内存单元


  FCTL1 = FWKEY;


  FCTL3 = FWKEY + LOCK;


  while(FCTL3 & BUSY);


}


// 写入地址 *pc_byte  写入数据:*pc_byte

void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)


{


  FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK  16*FN4 + 8*FN3


  FCTL3 = FWKEY;


  FCTL1 = FWKEY + WRT; 


  while(FCTL3 & BUSY);                //如果处于忙状态,则等待


 


  while(count--)


  {


    while(FCTL3 & BUSY);


    *pc_byte++ = *Datain++;


  }


 


  FCTL1 = FWKEY;


  FCTL3 = FWKEY + LOCK;


  while(FCTL3 & BUSY); 


}


注意:在对字写入和字节写入的时候,用于指向信息区数据指针类型的区别,字写入时候为*((unsigned int *)Adr),字节写入时候为*((unsigned char *)Adr)。

[page]

4.3 读取


根据查看的书籍资料和网络资料得出,内部Flash的读取操作没有顺序的要求,一般Flash默认的操作方式即为读模式。读取Flash的程序代码如下:



void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)


{


  while(count--)


  {


    *Dataout = *pc_byte;


    Dataout++;


    pc_byte++;


  }


}


在网上查找资料的时候,好像看到过有位网友的博客说,内部Flash的地址是自动加1的,按照他的理解,函数中pc_byte++语句就没有用处了,可是事实不然,我在调试过程中,发现并不能自动加1,pc_byte++语句还是有必要的。调用上述函数,可以通过这样的方式FlashRead((uchar *)0x1000,a,4);即从0x1080地址处开始,连续读取4个字节的数据,送给数组a。


5 小结


对Msp430 片内Flash的操作是通过对3个控制字中的相应位来完成的,只有控制位的正确组合,才能实现相应的功能。


同时在编程中注意灵活使用数组和指针,以及指向数组的指针等,可以达到灵活编程的目的,不过本文中给出的几个程序段,基本上能够实现对Msp430 Flash的擦除、写入等操作。这是我最近3天所作的一些努力,整理一下与大家分享。


本文参考了TI的《MSP430x1xx Family Users Guide》及TI网上提供的关于Flash操作的实例代码,并在网络上收集了一些资料,在此不一一列出,不过本文应该算本人原创,转载请注明。谢谢


 

MSP430X14X Flash 读写操作总结

开发平台:IAR Embedded Workbench、MSP430F149开发板

作者:谭贝贝

Flash操作注意事项

    在读写的过程中电压不能小于2.7V否则擦除和读写的结果将不可预测。Flash的可操作时钟频率为~257KHZ---~476KHZ。如果频率不符合要求,则结果不可预测。

在擦除先需要关闭中断和看门狗,在擦除的过程中如果产生了中断,则会在重新使能中断后产生一个中断请求。Flash只能从1写为0,不能从从0写为1,所以需要擦除。

可以被擦除的最小模块是片段,tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。

Flash ERASE

MSP430X14X的擦除模式可以从Flash或者RAM中进行。

从Flash中擦除

从Flash中擦除的过程中所有的定时都会被Flash控制,CPU被挂起。擦除完成后需要一个假写入CPU才能复位。从Flash擦除时有可能把后面CPU需要执行的代码擦除。如果发生这样的情况,在擦除后CPU的执行状况将不可预测。

Flash中擦除流程图

图片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

从RAM中擦除

从RAM中擦除时CPU不会被挂起,可以继续执行代码。必须检测BUSY位以判断擦除是否结束,如果在擦除的过程中(即BUSY=1时)访问Flash,这是一个违规的访问,ACCVIFG会置位,而擦除的结果也将不可预测。

RAM中擦除流程图

图片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

Flash Write

MSP430X14X有两种写入模式,分为段写入(byte/word write),和块写入(Block Write),块写入要快得多,但是操作麻烦,在擦除的过程中不能有一个Flash word(low + high byte),则会发生损坏。CPU不能在BUSY=1时访问Flash,否则ACCFIG将置位写入将不可预测。

1.Byte/Word write

Byte/Word 写入可以从Flash或者RAM初始化,当从Flash中初始化时,所有的定时都会被Flash控制,CPU被挂起。写完后CPU将继续执行后面的代码。

当从RAM中初始化时,BUSY必须在CPU访问Flash前置0.否则ACCFIG将被置位,写入的结果将不可预测。

在Byte/Word 写模式下写入总时间不能超过4ms,如果超过了,当再想这块任何地址写入数据时必须先擦除。

Byte/Word 写入流程图

 

从RAM中执行Byte/Word 写入

块写入

块写入时没一小块不能超过t_cpt=4ms,块写入只能从RAM中进行,在块写入的过程中WAIT位要置0,当想Flash中写入数据时,需要先检查WAIT位是否为1.当前块写完后BLKWRT要清0.

流程图

图片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

在擦除或者写入的过程中访问Flash,见下表

Flash的寄存器

FCTL1,选择擦除和写入模式的寄存器

FRKEY/FWKEY 高八位为密码读的密码为96h,写的密码为A5h。

BLKWRT     块写入模式选择位,可以自动被EMEX置位

WRT  字写入模式选择位,可任意自动被EMEX置位

MERASE和ERASE,擦除模式选择位

FCTL2时钟选择寄存器

 

FWKEYx密码位

FSSELx时钟选择位

FNx分频比 分频值等于FN+1

两个例子

#include

#include "BoardConfig.h"

 

void Write_A(uchar value);

void Copy_A2B(void);

 

 

void main( void )

{

  // Stop watchdog timer to prevent time out reset

  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

  BoardConfig(0xb8);

  FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Select source

  uchar value = 0;

  for(;;)

  {

    Write_A(value++);     //Write data to segment A

    Copy_A2B();             //Copy data from segment A to segment B

    _NOP();

  }

 

}

 

void Write_A(uchar value)

{

  uchar i;

  uchar *Flash_ptr;

  Flash_ptr = (uchar *)0x1080;

  FCTL1 = FWKEY + ERASE;  //Set ERASE mode

  FCTL3 = FWKEY;          //Clear LOCK

  *Flash_ptr = 0;          //Dummy write

 

  FCTL1 = FWKEY + WRT;

  for(i = 0;i < 128;i++)

  {

    *Flash_ptr++ = value;     //Write value

  }

 

  FCTL1 = FWKEY;            //Clear WRT

  FCTL3 = FWKEY + LOCK;     //Set LOCK

}

 [page]

//Copy data from B to A

void Copy_A2B(void)    

{

  uchar *Flash_ptrA;

  uchar *Flash_ptrB;

  uint i;

  Flash_ptrA = (uchar *)0X1080;

  Flash_ptrB = (uchar *)0x1000;

  FCTL1 = FWKEY + ERASE;

  FCTL3 = FWKEY;

  *Flash_ptrB = 0;

 

  FCTL1 = FWKEY + WRT;

  for(i = 0;i < 128;i++)

  {

    *Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;

  }

  FCTL1 = FWKEY;

  FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}

 

 

 

再来个块写入的(TI例程)

//****************************************************************************

//  MSP430F14x Demo - Flash In-System Programming, BlockWrite

//

//  Description: This program first copies the FlashWrite routine to RAM, then

//  erases flash seg A, then it increments all values in seg A using the 64

//  byte block write mode.

//

//  Assumed default MCLK = DCO ~800 kHz.

//  Minimum RAM requirement = 512 bytes

//

//  ** Set Breakpoint on NOP in the Mainloop to avoid Stressing Flash **

//

//               MSP430F149

//            -----------------

//        /||              XIN|-

//         | |                 |

//         --|RST          XOUT|-

//                          |

//

//  H. Grewal / L. Westlund

//  Texas Instruments Inc.

//  Jun 2006

//  Built with IAR Embedded Workbench Version: 3.30A

//******************************************************************************

 

#include

 

// Global variables

char value = 0;                             // 8-bit value to write to segment A

char* Flash_ptr;                            // Flash pointer

char* RAM_ptr;                              // RAM pointer

char* END_ptr;                              // End of FlashWrite routine

 

// Function prototypes

void FlashWrite();

void CopyRoutine();

void End_of_FlashWrite();

 

void main(void)

{

  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;                 // Stop watchdog timer

 

  _DINT();                                  // Diable Interrupts

  CopyRoutine();                            // Copy FlashWrite routine to RAM

  _EINT();                                  // Enable Interrupts

 

  while(1)                                  // Repeat forever

  {

    Flash_ptr = (char *) 0x1000;            // Initialize Flash pointer

    FCTL2 = FWKEY + FSSEL1 + FN0;           // MCLK/2 for Flash Timing Generator

    FCTL1 = FWKEY + ERASE;                  // Set Erase bit

    FCTL3 = FWKEY;                          // Clear Lock bit

 

    *Flash_ptr = 0;                         // Dummy write to erase Flash segment

    while(!(FCTL3 & WAIT));                 // WAIT until Flash is ready

    asm("CALL #300h");                      // Execute FlashWrite from RAM

                                            // Inline Assembly

    value++;                                // Increment value

    _NOP();                                 // SET BREAKPOINT HERE

  }

}

 

void CopyRoutine()

{

  Flash_ptr = (char*)FlashWrite;            // Set pointer to FlashWrite routine

  RAM_ptr = (char*)0x0300;                  // Set pointer to RAM

  END_ptr = (char*)End_of_FlashWrite;       // Set pointer to End_of_FlashWrite

 

  while(END_ptr != Flash_ptr)               // Check for end of FlashWrite

  {

    *RAM_ptr = *Flash_ptr;                  // Copy word to RAM

    Flash_ptr++;                            // Increment Flash pointer

    RAM_ptr++;                              // Increment RAM pointer

  }

}

 

void FlashWrite()

{

  volatile int i;                           // Use as write counter

  Flash_ptr = (char*)0x1000;                // Initialize Flash pointer

  while(FCTL3 & BUSY);                      // Check Flash BUSY bit

  FCTL1 = FWKEY + BLKWRT + WRT;             // Enable block-write operation

  for(i = 0; i < 64; i++)

  {

    *Flash_ptr = value;                     // Write value to flash

    Flash_ptr++;                            // Double-increment Flash pointer

    while(!(FCTL3 & WAIT));                 // WAIT until Flash is ready

  }

  FCTL1 = FWKEY;                            // Clear BLKWRT & WRT bits

  while(FCTL3 & BUSY);                      // Check Flash BUSY bit

  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Reset LOCK bit

  return;                                   // Exits routine

}

 

void End_of_FlashWrite(){}                  // Marks end of FlashWrite

 

 

 

 

 

内容摘要:一、MSP430单片机FLASH存储器模块特点1.8~3.6V工作电压,2.7~3.6V编程电压;擦除/编程次数可达100000次:数据保持时间从10年到100年不等:60KB空间编程时间<5秒:保密熔丝烧断后不可恢复,不能再对JTAG进行任何访问;FLASH编...
 

 

一、MSP430 FLASH模块特点
1.8~3.6V工作电压,2.7~3.6V编程电压;
擦除/编程次数可达100000次:
数据保持时间从10年到100年不等:// 来自 :ST_M_8.C_N
60KB空间编程时间<5秒:
保密熔丝烧断后不可恢复,不能再对JTAG进行任何访问;
FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制,无任何软件干预;

二、FLASH存储器的操作
由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成,因此可在一个段中运行程序,而对另一个段进行擦除或写入操作。正在执行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被访问的,因为这时该段是与片内地址总线暂时断开的。对FLASH模块的操作可分为3类:擦除、写入及读出。而擦除又可分为单段擦除和整个模块擦除;写入可分为字写入、字节写入、字连续写入和字节连续写入
1.FLASH擦除操作:对FLASH要写入数据,必须先擦除相应的段,对FLASH存储器的擦除必须是整段地进行,可以一段一段地擦除,也可以多端一起擦除,但不能一个字节或一个字地擦除。擦除之后各位为1。擦除操作的顺序如下:
选择适当的时钟源和分频因子,为时序发生器提供正确时钟输入
如果Lock=1,则将它复位:
BUSY标志位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步,否则不行
如果擦除一段,则设置ERASE=1
如果擦除多段,则设置MERAS=1
如果擦除整个FLASH,则设置RASE=1,同时MERAS=1
对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入,用以启动擦除操作。
在擦除周期选择的时钟源始终有效
在擦除周期不修改分频因子
在BUSY=1期间不再访问所操作的段
电源电压应符合芯片的相应要求// 来自 :ST_M_8.C_N
对FLASH擦除要做4件事
对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
BUSY位
空写一次
等待
2.FLASH编程操作。对FLASH编程按如下顺序进行:
选择适当的时钟源和分频因子
如果Lock=1,则将它复位
BUSY标志位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步,否则不行
如果写入单字或单字节,则将设置WRT=1
如果是块写或多字、多字节顺序写入,则将设置WRT=1,BLKWRT=1
将数据写入选定地址时启动时序发生器,在时序发生器的控制下完成整个过程
块写入可用于在FLASH段中的一个连续的存储区域写入一系列数据。一个块为64字节长度。块开始在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址,块结束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH等地址。块操作在64字节分界处需要特殊的软件支持,操作如下:
等待WAIT位,直到WAIT=1,表明最后一个字或字节写操作结束
将控制位BLKWRT复位
保持BUSY位为1,直到编程电压撤离FLASH模块
在新块被编程前,等待trcv(编程电压恢复时间)时间
在写周期中,必须保证满足以下条件:
被选择的时钟源在写过程中保持有效
分频因子不变
在BUSY=1期间,不访问FLASH存储器模块
对FLASH写入要做4件事
对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
BUSY位
写一个数据
继续写一直到写完
3.FLASH错误操作的处理:在写入FLASH控制寄存器控制参数时,可引发以下错误:
如果写入高字节口令码错误,则引发PUC信号。小心操作可避免
在对FLASH操作期间读FLASH内容,会引发ACCVFIG状态位的设置。小心操作可避免
在对FLASH操作期间看门狗定时器溢出。建议用户程序在进行FLASH操作之前先停止看门狗定时器,等操作结束后再打开看门狗
所有的FLASH类型的MSP430器件0段都包含有中断向量等重要的程序代码,如果对其进行擦除操作,将会引起严重的后果
不要在FLASH操作期间允许中断的发生
4.FLASH操作小结
对FLASH的操作是通过对3个控制字中的相应位来完成的,只有控制位的唯一组合才能实现相应的功能。下表给出了正确的控制位组合:
功能              BLKWRT   WRT   Meras   Erase  BUSY  WAIT  Lock
字或字节写入                              0
块写入                                    0
段擦除并写入                              0
擦除A和B以外段                            0
全部擦除并写入                            0

三、FLASH寄存器说明// 来自 :ST_M_8.C_N
允许编程、擦除等操作首先要对3个控制寄存器(FCTL1、FCTL2、FCTL3)的各位进行定义。它们使用安全键值(口令码)来防止错误的编程和擦除周期,口令出错将产生非屏蔽中断请求。安全键值位于每个控制字的高字节,读时为96H,写时为5AH。
1.FCTL1 控制寄存器1(用于控制所有写/编程或者删除操作的有效位),各位定义如下:
bit15~8                  bit7    bit6    bit5    bit4    bit3    bit2    bit1    bit0
安全键值,读为96H,写5AH    BLKWRT  WRT     --      --      --      MERAS   ERASE   -- 
BLKWRT——段编程位。如果有较多的连续数据要编程到某一段或某几段,则可选择这种方式,这样可缩短编程时间。在一段程序完毕,再编程其它段,需对该位先复位再置位,在下一条写指令执行前WAIT位应为1。
0:未选用段编程方式
1:选用段编程方式
WRT——编程位
0:不编程,如对FLASH写操作,发生非法访问,使ACCVIFG位置位;
1:编程
MERAS——主存控制擦除位
0:不擦除
1:主存全擦除,对主存空写时启动擦除操作,完成后MERAS自动复位
ERASE——擦除一段控制位
0:不擦除
1:擦除一段。由空写指令带入段号来指定擦除哪一段,操作完成后自动复位
2.FCTL2 控制寄存器2(对进入时序发生器的时钟进行定义),各位定义如下:
bit15~8                bit7    bit6    bit5    bit4    bit3    bit2    bit1    bit0
安全键值,读为96H,写5AH  SSEL1   SSEL0   FN5     FN4     FN3     FN2     FN1     FN0
SSEL1、SSEL0——选择时钟源
0:ACLK
1:MCLK
2:SMCLK
3:SMCLK
FN5~FN0——分频系数选择位
0:直通
1:2分频
2:3分频
...... read datasheet
63:64分频
3.FCTL3 控制寄存器3(用于控制FLASH存储器操作,保存相应的状态标志和错误条件),各位定义如下:
bit15~8                bit7    bit6    bit5    bit4    bit3    bit2    bit1    bit0
安全键值,读为96H,写5AH  --      --      EMEX    Lock    WAIT    ACCVIFG  KEYV   BUSY
EMEX——紧急退出位。对FLASH的操作失败时使用该位作紧急处理
0:无作用
1:立即停止对FLASH的操作
Lock——锁定位,给已经编程好的FLASH存储器加锁
0:不加锁,FLASH存储器可读、可写、可擦除
1:加锁,加锁的FLASH存储器可读、不可写、不可擦除
WAIT——等待指示信号,该位只读。// 来自 :ST_M_8.C_N
0:段编程操作已经开始,编程操作进行中
1:段编程操作有效,当前数据已经正确地写入FLASH存储器,后续编程数据被列入计划
ACCVIFG——非法访问中断标志。当对FLASH阵列进行编程或擦除操作时不能访问FLASH,否则将使得该位置位
0:没有对FLASH存储器的非法访问
1:有对FLASH存储器的非法访问
KEYV——安全键值(口令码)出错标志位
0:对3个控制寄存器的访问,写入时高字节是0A5H
1:对3个控制寄存器的访问,写入时高字节不是0A5H,同时引发PUC信号
KEYV不会自动复位,须用软件复位
BUSY——忙标志位。该位只读。每次编程或擦除之前都应该检查BUSY位。当编程或擦除启动后,时序发生器将自动设置该位为1,操作完成后BUSY位自动复位
0:FLASH存储器不忙
1:FLASH存储器忙

 

可以在程序中擦写FLASH这样就不用判断Busy的标志,因为只有擦写完成的时候FLASH才有效!程序才能继续走!如果把程序拷到RAM中擦除就要判断BUSY了!
擦写完成后可以不用LOCK,用LOCK只是一个保险作用!防止你对FLASH的非法操作

 

 


关键字:MSP430  片内flash 引用地址:写MSP430片内flash

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