关于STM32F407开发板的几种内存总结,SRAM,FLASH,EEPROM

发布者:Weasel最新更新时间:2018-12-25 来源: eefocus关键字:STM32F407  内存  SRAM  FLASH  EEPROM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

常见存储器概念:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),其中RAM的访问速度比较快,但掉电后数据会丢失,而ROM掉电后数据不会丢失。


可以知道SRAM属于RAM,掉电后数据丢失;FLASH和EEPROM属于ROM,掉电后数据不丢失。


FLASH和EEPROM的区别在于:Flash存储器,适用于速度要求高,容量要求大,掉电时要求数据不丢失的场合;EEPROM适用于速度不高,容量不大,掉电时要求数据不丢失的场合。


了解这些之后,翻看开发板的开发手册统计一下用到了哪些内存。


1.芯片自带内存:SRAM:192K,FLASH:1024K.


2.IIC实验里介绍MCU与24C02通过IIC实现通讯,24C02是一款EEPROM芯片,总容量256字节。


3.SPI实验里介绍MCU与W25Q128通过SPI实现通讯,W25Q128是一块外部FLASH,容量128Mb,也就是16M字节。


4.外部SRAM实验里介绍了IS62WV51216,容量1M字节。


知道了有哪些内存,再来总结下各个内存块的用处。


在单片机中,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。


关键字:STM32F407  内存  SRAM  FLASH  EEPROM 引用地址:关于STM32F407开发板的几种内存总结,SRAM,FLASH,EEPROM

上一篇:STM32F407.FLASH 读写经验
下一篇:使用J-FLASH烧写stm32F407

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 16:21

【s3c2440】第三课:代码重定位
什么是重定位 简单来说就是把程序从内存的一个位置复制到另一个位置。 重定位的重要性 若s3c2440使用Nand Flash启动,则CPU会将Nand Flash的前4k拷贝到s3c2440 soc内部的SRAM。如果程序没有重定位代码,则只能运行Nand flash前4k的程序。 若s3c2440使用Nor Flash启动,则CPU无法修改Nor Flash内存中的数据。如果程序没有重定位代码,则会因为无法修改全局变量、静态变量的值导致程序运行出错。 链接脚本 链接脚本的格式如下: SECTIONS { sectname start BLICK(align) (NOLOAD) : AT( ldadr ) {
[单片机]
【s3c2440】第三课:代码重定位
STM32用keil5调试程序出现 Error:Flash Download Failed-"Cortex-M3"解决方案
一 目的:装好keil MDK 想用 在线调试 二 背景:开发环境 keil MDK 422 三 准备: 1 keil MDK 安装文件夹ARMSegger里是否有三个动态连接表 2 程序编译通过 3 jlink驱动安装好(我安装的是408版本) 四 操作步骤: 1 2 3 5 然后一路OK过去 就可以了。 6 点 进入到在线调试届满 进行调试。 注:如果没有进行第五步(根据芯片选择flash容量)会报错 Error: Flash download failed- Cortex-M3 。 、、、、、、、、、、、、、、、、、、
[单片机]
STM32用keil5调试程序出现 Error:<font color='red'>Flash</font> Download Failed-
提高 MSP430G 系列单片机的 Flash 擦写寿命的方法
摘要 在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给
[单片机]
提高 MSP430G 系列单片机的 <font color='red'>Flash</font> 擦写寿命的方法
三星NAND Flash 传四年后重返iPhone
韩厂积极打进苹果iPhone供应链。韩国媒体报导,三星电子计画提供NAND型快闪记忆体给iPhone,这将是睽违4年后三星电子NAND型快闪记忆体重返iPhone供应链。 韩国网站媒体ET News报导,苹果从2012年iPhone 5推出开始,就没有采用三星电子(Samsung Electronics)的NAND型快闪记忆体,在于三星电子并未接受苹果要求、在NAND型快闪记忆体封装技术上采用电磁干扰屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference shielding)技术。 报导引述产业人士消息,三星电子正在与韩国Protec、美国Asymtek、韩松化学株式会社(H
[手机便携]
51单片机RAM区域的划分
前边介绍单片机资源的时候,我们提到过 STC89C52 共有 512 字节的 RAM,是用来保存数据的,比如我们定义的变量都是直接存在 RAM 里边的。但是单片机的这 512 字节的 RAM在地位上并不都是平等的,而是分块的,块与块之间在物理结构和用法上都是有区别的,因此我们在使用的时候,也要注意一些问题。 51 单片机的 RAM 分为两个部分,一块是片内 RAM,一块是片外 RAM。标准 51 的片内 RAM 地址从 0x00H~0x7F 共 128 个字节,而现在我们用的 51 系列的单片机都是带扩展片内 RAM 的,即 RAM 是从 0x00~0xFF 共 256 个字节。片外 RAM 最大可以扩展到 0x0000~0xFF
[单片机]
内存只是数据安全难题的一部分
内存的安全功能并不是新鲜事,但是由大流行性促使的远程办公加重了连接性,这意味着保护数据更加关键,甚至更具挑战性。在跨5G等通信基础设施共享数据的新兴用例中,安全挑战更加严峻。 同时,启用安全性增加了内存设计的复杂性。 甚至在边缘计算、物联网和车联网的爆炸式增长之前,内存中的安全功能也在激增。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)被信用卡、SIM卡和无钥匙进入系统所青睐,基于闪存的固态硬盘多年来一直包含加密功能。 内存技术的进步反映了数据爆炸和处理过程要移近数据的需求。内存和存储技术是并行的,更多的工作负载在内存中被处理。我们将在即将到来的内存技术中探讨技术的变化曲线。 如今,安全性已经嵌入内存和网络设备中,这
[物联网]
<font color='red'>内存</font>只是数据安全难题的一部分
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升
美光旨在通过其最新一代高带宽内存 (HBM3) 技术实现高带宽、效率和速度之间的平衡。 美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片已进入样品阶段。随着生成式人工智能模型变得越来越普遍,设计人员必须克服人工智能内存在效率、成本和性能瓶颈。与传统内存解决方案相比,第二代 HBM3 具有独特的优势,因此可以解决其中一些痛点。 美光的 HBM3 Gen2 内存芯片可以提高密度和带宽,同时降低功耗并提高计算模块的效率。 图片由美光科技提供 最新的 HBM3 内存基于美光的 1β(1-beta)DRAM 工艺节点构建,最多允许 24 Gb 内存芯片堆叠成 8 或 12层3D 堆栈。 不仅提高了纯存储密度,还提高了带宽和
[嵌入式]
美光第二代HBM3<font color='red'>内存</font>实现带宽、效率与速度的同时提升
电路也具记忆能力 惠普开发内存电路
  根据一个存在了37年的理论,惠普的研究人员已开发出一个内存电路,它最终有望替代RAM内存,并且让计算机在找出自己保存数据时更加的智能。   这一技术叫做忆阻器 (memristor),它能够让电脑理解以往搜集数据的方式,类似于人类大脑搜集,理解一系列事情的模式。   惠普高级研究员Stanley Williams说,比如,根据以往搜集到的信息,忆阻器电路可以告诉一台微波炉对于不同食物的加热时间。   忆阻器电路和DRAM及闪存相比,需要的电量更低,而反应的时间更短。   据悉,忆阻器可以称为电路的第四个要素,这一要素与电阻 (resistor),电容 (capacitor)以及电感器 (inductor)并列。   惠
[焦点新闻]
电路也具记忆能力 惠普开发<font color='red'>内存</font>电路
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved