// 参数: wAddr 为地址 , 范围 0x1000~0xFFFF
void ReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(U8 *)wAddr++;
return;
}
void WriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1;IE1=0; // 保护原来中断标志,并关闭有关中断。
// 写一个字节数据到指定flash地址
while (bLen--)
{
while (FCTL3&BUSY); // 等待以前FLASH操作完成
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 发送写flash命令
*(U8 *)wAddr++=*bBuf // 写数据到指定的flash地址
while(FCTL3&BUSY); // 等待写操作完成
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁保护
}
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢复中断标志
IE1=reg2;
return;
}
void EraseSectorFlash(U16 wAddr)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1; // 保护有关中断标志
IE1=0; // 关闭IE1中断
while(FCTL3&BUSY); // 等待FLASH编程结束
FCTL3 = FWKEY; // 为了准备编程而初始化FLASH控制寄存器3
FCTL1 = FWKEY+ERASE; // 发送FLASH擦除命令
*(U8 *)wAddr=0; // 启动擦除操作
while(FCTL3&BUSY); // 等待擦除操作完成
FCTL1 = FWKEY; // 撤销任何对FLASH的操作命令
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁保护
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢复中断标志
IE1=reg2;
return;
}
关键字:MSP430 单片机 片内FLASH 读写操作
引用地址:
MSP430单片机对片内FLASH的读写操作程序范例
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