LM3S1138入门5,LDO控制电压

发布者:ularof不加糖最新更新时间:2016-11-01 来源: eefocus关键字:LM3S1138入门  LDO  控制电压 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
LDO控制时,引脚应该是7,看了一下手册写到:当使用片内LDO给逻辑电路提供电源时,除了去耦电容(decoupling capacitor)外,LDO管脚还必须连接到板极的VDD25管脚,而测VDD25管脚应该是C15,7脚(LDO)和14脚(VDD25)输出应该是一样。

程序运行后,万用表DC档测量C15或者C13处的电压,LED1每闪烁一次,LDO电压值就增加50mV。

#include 
#include 
#include 
#include 
#include 
#include 


//  将较长的标识符定义成较短的形式
#define  SysCtlPeriEnable       SysCtlPeripheralEnable
#define  SysCtlPeriDisable      SysCtlPeripheralDisable
#define  GPIOPinTypeIn          GPIOPinTypeGPIOInput
#define  GPIOPinTypeOut         GPIOPinTypeGPIOOutput
#define  GPIOPinTypeOD          GPIOPinTypeGPIOOutputOD


//  定义KEY
#define  KEY_PERIPH             SYSCTL_PERIPH_GPIOG
#define  KEY_PORT               GPIO_PORTG_BASE
#define  KEY_PIN                GPIO_PIN_5


//  防止JTAG失效
void  JTAG_Wait(void)
{
    SysCtlPeriEnable(KEY_PERIPH);                               //  使能KEY所在的GPIO端口
    GPIOPinTypeIn(KEY_PORT , KEY_PIN);                          //  设置KEY所在管脚为输入

    if ( GPIOPinRead(KEY_PORT , KEY_PIN)  ==  0x00 )            //  如果复位时按下KEY,则进入
    {
        for (;;);                                               //  死循环,以等待JTAG连接
    }

    SysCtlPeriDisable(KEY_PERIPH);                              //  禁止KEY所在的GPIO端口
}


//  定义全局的系统时钟变量
unsigned long  TheSysClock  =  12000000UL;


//  延时
void  Delay(unsigned long  ulVal)
{
    while ( --ulVal  !=  0 );
}


//  主函数(程序入口)
int  main(void)
{
    const  unsigned long  ulTab[11]  =                          //  定义LDO电压数值表
    {
        SYSCTL_LDO_2_25V ,
        SYSCTL_LDO_2_30V ,
        SYSCTL_LDO_2_35V ,
        SYSCTL_LDO_2_40V ,
        SYSCTL_LDO_2_45V ,
        SYSCTL_LDO_2_50V ,
        SYSCTL_LDO_2_55V ,
        SYSCTL_LDO_2_60V ,
        SYSCTL_LDO_2_65V ,
        SYSCTL_LDO_2_70V ,
        SYSCTL_LDO_2_75V
    };

    unsigned long  i;

    JTAG_Wait();                                                //  防止JTAG失效,重要!

    LED_Init(LED1);                                             //  初始化LED

    for (;;)
    {
        for ( i = 0;  i < 11;  i++ )
        {
            SysCtlLDOSet(ulTab[i]);                             //  设置LDO输出电压

            LED_On(LED1);                                       //  点亮LED
            Delay(100 * (TheSysClock / 4000));
            LED_Off(LED1);                                      //  熄灭LED

            Delay(3500 * (TheSysClock / 4000));
        }
    }
}

关键字:LM3S1138入门  LDO  控制电压 引用地址:LM3S1138入门5,LDO控制电压

上一篇:LM3S1138入门6,系统时钟设置
下一篇:LM3S1138 入门4,中断优先级

推荐阅读最新更新时间:2024-03-16 15:18

创造一个带有较低额定输入电压控制器的150V非同步降压方案
在如今的许多应用中,要求的额定输入电压超过许多现有DC/DC控制器的VIN最大额定值。对此,传统的解决办法包括使用昂贵的前端保护或实现低端栅极驱动器件。这意味着采用隔离拓扑,如反激式转换器。隔离拓扑通常需要自定义磁性,且与非隔离方法相比,设计复杂性和成本也有所增加。 存在着另一种解决方案,可以通过使用VIN max(最大输入电压)小于系统输入电压的简易降压控制器来解决问题。这是如何实现的呢? 降压控制器通常来源于参考电位(0V)的偏置电源(图1a)。偏置电源来自输入电压;因此,器件需要承受全部的VIN电位。然而,因为开通P通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)所需的栅极驱动电压在VGS低于VIN,P通道降压控制器
[电源管理]
创造一个带有较低额定输入<font color='red'>电压</font><font color='red'>控制</font>器的150V非同步降压方案
串行接口电压输出型DA转换器的控制
//-----------------------函数声明-------------------------------------------------------- #include reg51.h #include intrins.h //-----------------------管脚声明-------------------------------------------------------- sbit CS_max532=P1^0; sbit CLK_max532=P1^1; sbit DI_max532=P1^2; sbit DO_max532=P1^3; sbit LDAC=P1^4; //异步加载D
[单片机]
低 DCR 检测电流模式控制器比电压模式控制器有更多优势
背景信息 最新一代微处理器和数字信号处理器 (DSP) 需要以更低的工作电压提供更大的电流,因此使电流检测元件的电阻尽可能小以最大限度地降低电源传导损耗变得更加重要。然而,低电阻电流检测元件产生的斜坡电压较低,这在使用电流模式控制器时,不利于稳定运行。低斜坡电压导致采用电流模式控制方法的开关电源有显著抖动,在很多应用中,开关电源可能变得不稳定。因此,通常由电压模式控制器取而代之,尽管电压模式控制器也有不足之处,并可能出现可靠性问题。 尽管如此,采用电流模式控制方法的开关电源与电压模式控制器相比仍有以下几项优势: 1. 可靠性更高,快速、逐周期电流检测适用于输出短路和过载保护。采用电压模式控制方法的电源对过流情况的响应较慢,在有些
[电源管理]
低 DCR 检测电流模式<font color='red'>控制</font>器比<font color='red'>电压</font>模式<font color='red'>控制</font>器有更多优势
TI推出首批针对恶劣环境的均流LDO
    2013 年 9 月 25 日,德州仪器 (TI) 宣布推出首批针对恶劣环境的均流低压降(LDO) 线性稳压器。3-A TPS7H1101-SP 与 0.5-A TPS7H1201-HT 的均流特性允许设计人员并行使用两个器件实现双倍输出电流。此外,上述器件还可提供优异的噪声性能,并可最大限度降低热耗散,提高电源效率,确保理想的系统可靠性。        TPS7H1101-SP LDO 通过 QML Class V 认证,支持高可靠医疗设备、卫星以及海底布线等温度高达 125 摄氏度的恶劣环境,而 TPS7H1201-HT LDO 则通过认证,能支持井下钻井等高达 210 摄氏度的高温应用。    TPS7
[电源管理]
TI推出首批针对恶劣环境的均流<font color='red'>LDO</font>
Intersil推出三通道宽输入电压步降控制
ISL9443/4提供了针对多输出电源的设计灵活性 美国 加州、MILPITAS --- 2011 年 9 月 5 日—Intersil公司(纳斯达克全球交易代码:ISIL)今天推出两款三通道同步步降控制器---ISL9443和ISL9444,为多输出电源提供了业内最高效、紧凑和灵活的解决方案。这些新产品非常适用于电信和网络设备、互联网网关、有线调制解调器、光纤调制解调器、卫星机顶盒和各种工业应用。 ISL9443 和 ISL9444包括三个具有灵活的启用、跟踪和定序功能的独立同步降压(步降)控制器。控制器的180度相移操作和内置补偿功能可最大程度降低纹波电压和减少对外部元件的需要。通过一个集成的5V偏压LDO,它们能够
[电源管理]
Intersil推出三通道宽输入<font color='red'>电压</font>步降<font color='red'>控制</font>器
高集成度电源管理芯片满足便携设备应用需求
目前手机、多媒体数码音乐视听产品、专业的摄像、摄影电子产品等都在向小型化、高集成度、更高性能方向发展。手持产品的多媒体功能越来越丰富,上述演进归功于半导体行业的快速发展。从分离的电源芯片,到高集成的PMU,从分离的射频、基带、存储器件,到单芯片SoC。高集成度的半导体器件实现了产品性能的升级以及功能的快速拓展。LDO作为其中的关键器件,与其发展息息相关,对于复杂的手持设备,对LDO的要求也是多方面的,涉及噪声抑制比、静态电流、散热、工作温度范围等。 为满足市场需求,圣邦微电子陆续推出数款高集成度的多通道电源产品,例如5/7通道的DC/DC SGM2100、SGM2101,4通道的高性能射频LDO SGM2024 SG
[手机便携]
浅谈如何实现开关频率控制、负载和线路电压优化
   简介   环保因素已经为当代电源设计催生新的能效要求。例如,80 PLUS倡议及其铜级、银级和金级衍生标准(见参考资料[1])迫使台式机及服务器制造商寻求创新的方案。一项重点就在于功率因数校正(PFC)段,此段跟EMI滤波器一起在低线路电压、满载条件下可能消耗输出功率的5%至8%.   然而,在一般情况下,相关器件并不是总是以它们设计的最大功率工作,而只有短时间以最大功率工作。因此,要有效地节能,“绿色要求”不仅针对满载能效。相反,这些要求倾向于因应实际工作条件,规定在满额功率20%、50%及100%等不同负载状况下的最低平均能效等级,或是能效比。   因此,中低负载条件下的能效比已成为要应对的要点。降低开关频率
[电源管理]
浅谈如何实现开关频率<font color='red'>控制</font>、负载和线路<font color='red'>电压</font>优化
Micrel最新推出低输入电压LDO系列
  麦克雷尔 (Micrel) 推出具有低输入电压性能的低压差线性稳压器 (LDO) 的系列产品MIC5313/4/5/6。MIC5313/4/5/6 系列产品整合了两个能够以低至1.7伏的输入电压运行且仅需消耗37微安总静态电流的 LDO。MIC5313/4/5/6 系列产品目前均已批量销售,每1000件的起定价为每件1.29美元。   麦克雷尔便携式电源产品营销总监 Andy Khayat 指出:“降低 LDO 使用的输入电压可提高系统效率。麦克雷尔的新型 MIC531x 系列 LDO 使设计人员能够在诸如1.8伏这样的低电压轨中进行稳压,提供了很好的效率以及低电压向低电压转换所需的最低成本。”   为了在低电压轨中稳压并
[手机便携]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
设计资源 培训 开发板 精华推荐

最新单片机文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved