STM32L系列单片机内部EEPROM的读写

     STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

    读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

1. #define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000     

2. #define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF  

#define EEPROM_BASE_ADDR	0x08080000	
#define EEPROM_BYTE_SIZE	0x0FFF

    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

1. /*------------------------------------------------------------ 

2.  Func: EEPROM数据按字节读出 

3.  Note: 

4. -------------------------------------------------------------*/  

5. void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  

6. {  

7.     uint8 *wAddr;  

8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  

9.     while(Length--){  

10.         *Buffer++=*wAddr++;  

11.     }     

12. }  

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM数据按字节读出
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
	uint8 *wAddr;
	wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
	while(Length--){
		*Buffer++=*wAddr++;
	}	
}

1. /*------------------------------------------------------------ 

2.  Func: EEPROM数据读出 

3.  Note: 

4. -------------------------------------------------------------*/  

5. void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  

6. {  

7.     uint32 *wAddr;  

8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  

9.     while(Length--){  

10.         *Buffer++=*wAddr++;  

11.     }     

12. }  

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM数据读出
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
	uint32 *wAddr;
	wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
	while(Length--){
		*Buffer++=*wAddr++;
	}	
}

    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：

1. #define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR   

2. #define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR  

#define PEKEY1	0x89ABCDEF		//FLASH_PEKEYR
#define PEKEY2	0x02030405		//FLASH_PEKEYR

    以下分别实现按字节和字方式写入：   

1. /*------------------------------------------------------------ 

2.  Func: EEPROM数据按字节写入 

3.  Note: 

4. -------------------------------------------------------------*/  

5. void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  

6. {  

7.     uint8 *wAddr;  

8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  

9.     DIS_INT  

10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock   

11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  

12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  

13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write   

14.     while(Length--){  

15.         *wAddr++=*Buffer++;  

16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  

17.     }  

18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  

19.     EN_INT  

20. }  

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM数据按字节写入
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
	uint8 *wAddr;
	wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
	DIS_INT
	FLASH->PEKEYR=PEKEY1;				//unlock
	FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
	while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
	FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;		//not fast write
	while(Length--){
		*wAddr++=*Buffer++;
		while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
	}
	FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
	EN_INT
}

1. /*------------------------------------------------------------ 

2.  Func: EEPROM数据按字写入 

3.  Note: 字当半字用 

4. -------------------------------------------------------------*/  

5. void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  

6. {  

7.     uint32 *wAddr;  

8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  

9.     DIS_INT  

10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock   

11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  

12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  

13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write   

14.     while(Length--){  

15.         *wAddr++=*Buffer++;  

16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  

17.     }  

18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  

19.     EN_INT  

20. }  

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM数据按字写入
 Note: 字当半字用
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
	uint32 *wAddr;
	wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
	DIS_INT
	FLASH->PEKEYR=PEKEY1;				//unlock
	FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
	while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
	FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;		//not fast write
	while(Length--){
		*wAddr++=*Buffer++;
		while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
	}
	FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
	EN_INT
}

    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：

1. #define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断   

2. #define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断