MSP430F5438A 内存Flash 读写操作-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

1、msp430的存储结构采用冯.依曼结构，即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址，没有代码空间和数据空间之分。

2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分：

Flash主存储区：用于存储程序代码，被分成4个扇区，每个扇区分128seg, 每个seg段大小为 64 * 1024 / 128 = 512B。 Flash控制器可以以位、字节、或者字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段。

BSL存储区：是存储器的引导加载存储器，可以用于存储引导加载程序，分4段，每段512B，每段可以单独擦除、

信息存储区：主要用于存储需要掉电后永久保存的数据，分4段，每段128B。每段可以单独擦写。

3、Flash内存模型

4、内存组织

关键字：MSP430F5438A 内存Flash 读写操作引用地址：MSP430F5438A 内存Flash 读写操作

上一篇：MSP430 大型数组上电不启动
下一篇：MSP430F5438A中断系统

推荐阅读最新更新时间：2024-03-16 16:00

【飞思卡尔 MC9S12】PRM文件与内存映射（Flash、RAM、EEE）

本篇介绍飞思卡尔MC9S12系列芯片基本内存映射知识，主要是其特有的分页机制。一般的小型项目可能很多人都不会去专门了解这些内容，但是对于大型项目（代码超过16KB 或内部变量过多超过4KB），势必要在默认设置下修改能适配项目的配置，以便于能灵活使用。另外BootLoader的编写也是要了解这方面的内容才能进行。 MC9S12(X)有2个大的系列，区别是带不带XGATE（有X后缀的是带有XGATE的），XGATE是一个辅核，可以处理中断，不能作为主要业务逻辑处理，也就是说，XGATE只能通过中断触发执行，而不能在main循环中跳入。XGATE的中断处理速度远超S12主核（相同时间内数据自增数值更大），因此某些中断响应可以放在X

[单片机]

STM32F407 flash内存

硬件平台：STM32F4 DISCOVERY开发板型号：MB997A或MB997C 主芯片型号：STM32F405xx, STM32F407xx, STM32F415xx, 或 STM32F417xx 主要参考文档：（1）PM0081 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual.pdf （2）STM32F407 datasheet.pdf 做为嵌入式方面的开发人员，拿到一个芯片后，我们首先看它的参数指标，有多少多少容量的RAM，多少多少容量的Flash。当然，前提是芯片自带这两个模块。今天我们只研究Flash的结构：）（一）声明 STM32F4

[单片机]

STM32F407 <font color='red'>flash</font><font color='red'>内存</font>

STM32内部Flash读写操作接口

源文件 /* ********************************************************************************************************* * 函数名: GetSector * 功能说明: 根据地址计算扇区首地址 * 形参: 无 * 返回值: 扇区首地址 ********************************************************************************************************* */ uint32_t GetSector(uint32

[单片机]