优点:
能够充分利用MSP430单片机的自带FLASH储存空间,就可避免外扩EEROM芯片了,一是节约成本,二是少了外扩EEROM的读写代码,三是同样可以储存用户数据,比如A/D转换后的数据。当然,如果是常量就不必了,直接将常量申明为“CONST”变量即可,这个就不多说了,懂的。
具体方法:
先把完整的程序编好(不包括FLASH的),然后编译(我用的是IAR,CCE没试过),进行在线仿真(软仿真硬仿真均可),在菜单栏选择"View/Memory",然后就可以看到FLASH 各个地址的数据了,记下FLASH 还没有被程序占用的空间的地址,然后将FLASH的程序加到你的主程序里,再编译,检验你记下的地址是否被程序占用,如果占用就选择一个新的地址就可以了。然后就可以向FLASH里写数据了。
注意事项:
不要向有程序代码的空间写数据,那样会导致程序运行不正常;
写数据之前要先擦除;
不要向0段FLASH里写数据,那里面有你程序中的中断向量;
最好选择每段的起始地址作为数据储存的首地址;
总结:
这种方法不需要扩充外存储器,可以降低系统的复杂度和系统功耗。
我也不知道这种方法实用不实用,既然有这种方法,我就发上来了,分享一下^_^。
源代码:
// 注意时钟源的选择,flash_clk:500k(官方资料是250K—475K)
//**********************************************************************************
#include #include"FLASH.H" //addr:FLASH的一个段首地址, value:数组名 count:要储存的数据个数 //把FLASH地址、数组名 和要存储的数据的个数 赋给下面的函数,就可以写入了 //********************************************************************************** void write_flash_char (unsigned int addr, char *array,int count) //写 char型数组 { char *Flash_ptr; // Flash pointer int i; Flash_ptr = (char *)addr; // Initialize Flash pointer FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit *Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation for (i=0; i *Flash_ptr++ = array[I]; // Write value to flash } FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit } //********************************************************************************** void write_flash_int (unsigned int addr, int *array,int count) //addr为段首地址,写 int型数组 { int *Flash_ptr; // Flash pointer int i; Flash_ptr = (int *)addr; // Initialize Flash pointer FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit *Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation for (i=0; i *Flash_ptr++ = array[I]; // Write value to flash } FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit } //********************************************************************************** char read_flash_char0(unsigned int addr) //读单字节 { char *address; address=(char*)addr; return *address; } //********************************************************************************** //把FLASH地址、数组名 和要读取的数据的个数 赋给下面的函数,就可以读入了 void read_flash_char1(unsigned int addr,char *array,int count) //读一串数据 { char *address=(char *)addr; for(int i=0;i array[I]=*address++; } } //********************************************************************************** int read_flash_int0(unsigned int addr) //偶地址,读一个字 { int *address=(int *)addr; return *address; } //********************************************************************************** void read_flash_int1(unsigned int addr,int *array, int count) //读整形数组 { int *address=(int *)addr; for(int i=0;i array[I]=*address++; } } //********************************************************************************** void init_flash(void) { FCTL2 = FWKEY + +FSSEL1+FSSEL0 + FN0; // (DCO)SMCLK/2 for Flash Timing Generator }
上一篇:基于MSP430单片机的智能小车寻迹模块研究
下一篇:基于ADS1293的便携式低功耗心电信号采集系统
推荐阅读最新更新时间:2024-11-24 01:10
设计资源 培训 开发板 精华推荐
- AN-6010,1.5V 输出 @ 300Khz 应用电路的 PSPICE 模型设计
- PWM风扇调速板
- LT6657AHMS8-3 低压差基准电压源的典型应用电路
- ADP2323 同步降压稳压器的典型应用 并行单路输出应用,VIN = 12 V,VOUT = 1.8 V,IOUT = 6 A,fSW = 600 kHz
- LT3066EDE-3.3 电流监视器的典型应用电路
- FEBFAN23SV06P_LVA,基于 FAN23SV06P 6A 同步降压稳压器的评估板,具有内部线性稳压器和无 PFM 模式
- Frame_PCB-voron0
- EVAL-CN0204-SDPZ,基于 AD5751 的灵活、高电压、高精度、低漂移 PLC/DCS 模拟输出模块评估板
- 具有电源排序和 I2C 功能的 LTC3589EUJ-2 8 输出稳压器的典型应用电路
- RDR-378 - 适用于A19和A17灯的7 W非调光、非隔离、降压式LED驱动器