一、选择题(每题2分,共20分)
1、晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将( )。
A、增加 B、下降 C、不变
2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是( ),该管是( )型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
3、三极管的反向电流ICBO是由( )组成的。
A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子
4、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力( )。
A、强 B、弱 C、一般
5、为了使放大器带负载能力强,一般引入( )负反馈。
A、电压 B、电流 C、串联
6、振荡器的输出信号最初是由( )而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声
7、引入并联负反馈,可使放大器的( )。
A、输出电压稳定 B、反馈环内输入电阻增加 C、反馈环内输入电阻减小
8、工作在线性区的运算放大器应置于( )状态。
A、深度反馈 B、开环 C、闭环
9、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2
10、测量脉冲电压(例如尖脉冲)的峰值应使用( )。
A、交流毫伏表 B、直流电压表 C、示波器、
二、填空题(每空1分,共15分)
1、N型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍,P型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍,PN结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。
2、发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置,集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置,则三极管处于饱和状态。
3、当Ucs=0时,漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。
4、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
5、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V,共模输入电压Uic为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V。
6、集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区,在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。
7、在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈,为了降低输出电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈。
三、判断题(5分)
1、负反馈越深,电路的性能越稳定 ( )
2、零点漂移就是静态工作点的漂移。 ( )
3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 ( )
4、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 ( )
5、半导体中的空穴带负电。 ( )
四、作图题(10分)
用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降UD =0.7V ,UZ = 5V。
1.试求比较器的电压传输特性;
2.若ui =6sinωtV,UR为方波如图所示,试画出uo的波形。
五、简答题
电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。 (5分)
六、计算题(37分)
1、已知:电路如图所示 V1、V2为理想二极管。求:1)哪只二极管导通 2)UAO=?(5分)
2、已知:电路如图所示K=0.1V U1=3V U2=-6V 求:Uo=? (4分)
3、已知:RC振荡电路如下图所示 R=7.9KΩ C=0.02ηF R1=5KΩ
求: 1)fo 2)Rt冷态电阻 3)指明Rt的温度特性(9分)
4、已知:电路如图所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20ηF rbe=1.5K β=100 CE=10ηF (取小数点后一位) 求: 1)ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)
5、具有电流源的差分电路如图所示,已知UBEQ=0.7V,β=100,rbb=200Ω,试求:(1)V1、V2静态工作点ICQ、UCQ;(2)差模电压放大倍数Aud;(3)差模输入电阻Rid和输出电阻RO;(9分)
七、分析题(8分)
在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,IW=5mA,R1=1 kΩ,R2=200 Ω。试求输出电压U0的调节范围。
[page]
答案
一 选择题(20分)
1.b; 2.c,e ; 3.b; 4.a; 5.a;
6.c; 7.c; 8. a; 9.c; 10.c;
二 填空题(15分)
1.自由电子 空穴 单向导电
2.正向 正向
3.耗尽 增强
4.20 46
5.0.1 1.99
6.线性放大 非线性
7,串联 电压
三 判断题(5分)
1.×
2.√
3.√
4.√
5.×
四 作图题(10分)
五 简答题(5分)
答:该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六 计算题(37分)
1、1)V2导通 2)UAO=-5V
2、5V
3、1)1KHz 2)20KΩ 3)正温度系数
4、1)2mA 2) 4.7V 3) -66.7 4)1.4KΩ 5)2KΩ
5、1)ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V
七 分析题(8分)
5V--35V
T ;R1、R2、R3;R、DZ;A;推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:18
- 英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET, 赋能先进的热插拔技术和电池保护功能
- USB Type-C® 和 USB Power Delivery:专为扩展功率范围和电池供电型系统而设计
- ROHM开发出适合高分辨率音源播放的MUS-IC™系列第2代音频DAC芯片
- ADALM2000实验:变压器耦合放大器
- 高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互
- 在发送信号链设计中使用差分转单端射频放大器的优势
- 安森美CEO亮相慕尼黑Electronica展,推出Treo平台
- 安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台
- 贸泽开售用于快速开发精密数据采集系统的 Analog Devices ADAQ7767-1 μModule DAQ解决方案