利用DAC、运算放大器和 MOSFET 晶体管 构建多功能高精度可编程电流源

    电路功能与优势

    数字控制电流源在许多应用中至关重要，如电源管理、电磁阀控制、电机控制、阻抗测量、传感器激励和脉搏血氧仪等。本文介绍三种利用DAC、运算放大器和MOSFET晶体管构建支持串行接口数字控制的电流源。

    所选DAC为配有标准串行接口的高分辨率（14或16位）、低功耗CMOS。16位DACAD5543提供超紧凑(3 mm × 4.7 mm)的8引脚MSOP和8引脚SOIC两种封装。14位DAC AD5446 提供小型10引脚MSOP封装。这两款DAC均与大多数DSP接口标准兼容，而且兼容SPI、QSPI和MICROWIRE。外部基准电压输入允许输出电平可以有许多变化，最高可达10 V。

    器件组合实现了业界领先的小PC板面积、低成本、高分辨率特性。三种设计均提供低风险解决方案，并使用业界标准器件。

    电路描述

    所有三个电路的DAC都需要5 V单电源，运算放大器需要±15 V电源。一些电路可能需要一个精确的外部基准电压源（参见教程MT-087）。

    各电路均有两级。第一级是输入级，由DAC和运算放大器构成。第二级是N沟道MOSFET晶体管输出级（图1和图2），它响应发送至系统的数字字而提供电流。

    如图1所示，电路的输入级由电流输出DAC (AD5446)和运算放大器(AD8510)构成。它转换命令字并驱动晶体管，此外还调制施加于单电阻的电压。命令字通过SPI接口发送。

    输出级由N沟道MOSFET晶体管(NTE4153N)构成，它可提供高于运算放大器和单电阻输出的电流。单电阻R1在电压施加于其引脚时产生电流。晶体管调节该电流。

    负载电流为：

    其中D为载入DAC数字字的小数表示。不过，RDAC >> R1(RDAC标称值为9 kΩ) ，因此负载电流可以近似表示为：

    当R1 = 100 Ω且VIN = 5 V时，ILOAD可在0 mA至50 mA范围内进行编程，分辨率为3 μA（14位时的1 LSB）。输出电源电压约为20 V，受MOSFET晶体管击穿电压的限制。ADR425是非常适用于本电路的5 V低功耗精密基准电压源。

    图2所示电路也使用AD5446 DAC。但是，此时该DAC在“反向”或电压模式下工作，通过使用ADR512等1.2 V基准电压源提供电压输出。

    DAC输出电压在引脚9上提供，其范围为0 V至1.2 V。有关“反向“电压工作模式的更多信息，请参考AD5446 数据手册。

    该电路所用的运算放大器为OP1177，它是一款高精度、失调电压非常低（最大值60 μV）的器件。当DAC在电压输出模式工作时，低失调电压非常重要。

    N沟道MOSFET晶体管与运算放大器共同构成高电流输出跟随器电路。

    从晶体管源引脚到运算放大器输入的负反馈调节流经R1的电流值。

    负载电流为：

    当R1 = 10 Ω且VIN = 1.2 V时，ILOAD可在0 mA至120 mA范围内进行编程，分辨率为7 μA（14位时的1 LSB）。

    第三个电路如图3所示，它使用16位DAC AD5543作为输入级，并使用Howland电流泵电路作为输出级。与MOSFET输出相比，Howland电流泵有两个优势：高输出阻抗和提供双极性输出电流的能力。为了提高稳定性，该电路一般是对称的。因此，R1 = R1'，R2 = R2'，R3 = R3'。

 

图3. 基于Howland电流源的双极性电流源（未显示去耦和所有连接）

    当R1 = 150 kΩ、R2 = 15 kΩ、R3 = 50 Ω且VIN = 5 V时，ILOAD可在0 mA至20 mA范围内进行编程，分辨率为300 μA（16位时的1 LSB），而且该电路具有非常高的输出阻抗。

    为了适当分开DAC与运算放大器并达到理想的性能，所有三个电路都必须采用出色的布局、接地和去耦技术。（请参考教程MT-031和MT-101 ）。

    常见变化

    为了获得更大或更小的电流输出范围，两个电路均可以使用其它基准电压源（参见基准电压源选择和评估向导）。请注意，由于DAC架构原因，正基准电压输入将产生负输出电流。虽然许多DAC都可以用来优化设计的速度、精度等特性，但AD5543和AD5446之类的CMOS电流输出DAC可提供更大的灵活性和低风险解决方案。

    至于运算放大器，如果设计的输出信号范围相对较小，则CMOS放大器应当是合适的。如果需要高输入阻抗，FET输入运算放大器是不错的选择。无论何种情况，均需要精密放大器来保持14位至16位精度。

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