加利福尼亚州圣何塞—2011年8月—全球领先的高速连接、时钟和信号调节芯片及晶振解决方案供应商百利通半导体公司(Pericom,纳斯达克股票市场代码:PSEM)日前宣布:扩展其特定应用晶体振荡器(ASSP XOTM)系列,推出一条新的ASSP电压控制晶体振荡器(VCXO)产品线。这些解决方案以满足日益增加的通信基础设施、宽带接入和以太网市场需要为目标,为各主流频点提供了可以即刻使用的方案。
“市场调研公司Consulting Services & Associates LLC估计 VCXO产品市场需求超过了3000万美元,”Pericom产品营销总监Kay Annamalai表示:“我们的ASSP VCXO产品符合严苛的通信和网络市场的需求,这些需求诸如超低相位噪声、在宽频拉动范围上的低相位抖动,‘即时可用’性和性价比。”
ASSP VCXO的相位噪声和相位抖动性能对于满足诸如蜂窝移动通信基站基础设施设备等严苛的通信应用需求至关重要。这些系统要求在1KHz偏移量时的典型相位噪声小于-120dB,从12KHz至20MHz相位抖动小于0.3ps RMS,拉动范围超过+/-100ppm,在输入频率变化时提供更宽的频率调整范围。满足这些关键的性能参数可以降低各种系统的误码率,并提供更高的可靠性,同时达到无线噪声的符合性要求。
关键字:振荡器
编辑:冀凯 引用地址:Pericom宣布推出通信用电压控制的晶体振荡器
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IDT 推出业界首款具备多同步输出的高性能四频 MEMS 振荡器
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今日推出业界首款具备多同步输出的高性能四频 MEMS 振荡器。IDT 的最新振荡器提供业界标准兼容封装尺寸内的可配置输出,从而节省通信、网络、存储、工业和 FPGA 等应用中的电路板面积和物料清单 (BOM) 成本。
IDT 4E 系列 ±50 ppm 升级版 MEMS 振荡器将一个 LVDS 或 LVPECL 输出和一个同步CMOS 输出集成到单一封装中,无需外部晶体和二级振荡器。新型振荡器适用于高达600MHz 的频率,可帮助任何需要
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SiTime打造高精度MEMS振荡器,颠覆电信与网络计时市场
在这个信息技术产业的高速发展下,电子技术领域中石英晶体振荡器一直占有重要的地位,它的应用已有几十年的历史,几乎我们用到的电子设备都离不开石英晶体振荡器。但石英晶体也有它的不足,如在通信设备应用上需要考虑遭遇气流或温度快速变化、部署于立式高架或路边等等挑战,如今SiTime的Elite Platform 出现将改变这一现状,将助于通信设备达到最优异的性能、可靠性及服务质量。
MEMS和模拟半导体公司和MegaChips公司的全资子公司SiTime公司于近日推出创新产品Elite Platform ,其中包含Super-TCXO (温度补偿型振荡器)和多款振荡器。这些高精度器件可以用来解决电信与网络设备存在已
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内置振荡器的电能测量芯片ADE7757及其应用
摘要:ADE7757是美国AD公司研制生产的高精度电能测量芯片。这种芯片非常适合动态范围大,干扰严重的测量系统。文中介绍了ADE7757的结构特点和工作原理,给出了ADE7757在电能测量仪表中的应用电路。
关键词:ADE7757;瞬时有功功率;平均有功功率
1 概述
ADE7757是美国AD公司推出的高精度电能测量集成芯片。与原有的同系列ADE7755相比,其芯片引脚较少,且内置了一个精确的振荡器电路来给芯片提供时钟。这就使得使用ADE7757的仪表省掉了外部晶体或者共振器,因此可以降低总体成本。
该芯片的内部电路除了ADC和参考电路是模拟电路外,其余均为数字电路,因此芯片在长时间与极端工作条件下具有卓越的稳定性与精度
[测试测量]
ATmega64 外部RC振荡器
对于时间不敏感的应用可以使用 Figure 20 的外部RC 振荡器。频率可以通过方程f = 1/(3RC) 进行粗略地估计。电容C 至少要22 pF。通过编程熔丝位CKOPT,用户可以使能 XTAL1和GND之间的片内 36 pF电容,从而无需外部电容。若想获取有关振荡器如何工作 以及如何选择R 和C 的具体信息,请参考外部RC 振荡器应用手册。 振荡器可以工作于四个不同的模式,每个模式有自己的优化频率范围。工作模式通过熔丝 位CKSEL3..0 选取,如Table 11 所示。 选择了这个振荡器之后,启动时间由熔丝位SUT 确定,如Table 12 所示。 Note: 1. 这些选项只能用于工作频率不太接近于最大频率
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多谐振荡器在汽车空气清新器中的应用
555时基电路IC2与R4、R5、C5等组成多谐振荡器。接通电源后,因C5上电压很低,IC2输出端(3脚)为高电平,同时12V。电压经R4、R5向C5充电,C5上电压逐步上升。当C5上电压上升到2/3VCC时,IC2内部触发器翻转,3脚输出低电平,同时内部放电管导通,C5上电压开始经R5通过7脚放电。当C5上电压下降到1/3Vcc时,IC2内部触发器再次翻转,3脚输出高电平,同时内部放电管截止,12V电压又经R4.、R5向C5充电。如此周而复始形成振荡,振荡频率.f=1.44/ ,其3脚输出约48k。Hz的高频脉冲电压。
当IC2输出端(3脚)为高电平时,开关管VT导通,12V电源经二极管VD流经变压器T的初级绕组。当IC
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陶瓷振荡器等效电路模型
陶瓷振荡器等效电路模型
以下由电阻、电容、电感组成的电路就是晶体/陶瓷振荡器的等效电路。
说明 1. LS-串联电感,RS-串联电阻,CS-串联电容,CP-并联电容。 2. 共振频率为LC 串联谐振频率,L=LS,C=CS×CP/(CS+CP)。 3. 一般晶体与陶瓷振荡器等效电路的区别,在相同共振频率下,晶体振荡器的电感值要比陶瓷振荡器的电感值大。
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数字控制振荡器(NCO)的FPGA实现
摘要:介绍了NCO数字控制振荡器的工作原理,详细分析了数控振荡器的性能指标和其在FPGA中的实现方法,最后给出了新设计的数控振荡器在QUARTUSII中的仿真结果。 关键词:数控振荡器(NCO);无杂散动态范围(SFDR);FPGA;频率控制字 0 引言 NCO(N umerically Controlled Oscillator)是用于产生一个理想的、数字可控的正弦或余弦波的数字控制式振荡器,其实现方法有实时计算法和查表法等多种。实时计算法的正弦波样本以实时计算产生,该方法因其计算需要耗费很多时间,因而只能产生较低频率的正弦波,而且存在计算精度与计算时间的矛盾。由于在需要产生高速的正交信号时,实时计算法将无法实现。因此
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单片弛张振荡器的温度补偿方法
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关键词:弛张振荡器;延时;温度补偿;单片集成电路
中图分类号:TN753.8 文献标识码:A 文章编号:1006-6977(2006)01-0032-03
1 引言
弛张充放电振荡器在PWM电源和电容传感器中都得到了广泛的应用,也常常作为时钟产生电路用在单片功率集成电路中。但是,由于这种振荡器结构的特殊性
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