MAX16070/MAX16071闪存可配置系统监测器能够对多个系统电压进行管理。MAX16070/MAX16071还可通过专用的高边电流检测放大器精确监测(±2.5%)一路电流通道。MAX16070可以同时监测12路系统电压,MAX16071可以监测8路电源电压。这些器件都集成了可选的差分或单端输入模/数转换器(ADC)。包括过压门限、欠压门限以及定时设置在内的所有器件配置信息均存储在非易失闪存存储器。出现故障时,故障标志和通道电压可自动存储到非易失闪存存储器,以便在发生故障后回读故障信息。
内部精度为1%的10位ADC用于测量每路输入,并将结果与过压门限、欠压门限以及配置为欠压或过压的预报警门限进行比较。当检测电压超出设定的门限时产生故障报警信号。针对不同的故障条件可以配置三个独立报警输出。
因为MAX16070/MAX16071支持高达14V的电源电压,该系列器件可直接采用多数系统的12V中等电压总线供电。
MAX16070/MAX16071有8/6个可编程的通用输入/输出引脚(GPIO)。通过闪存配置GPIO后,可以用作故障输出、看门狗输入或输出以及手动复位。
系统关断时,MAX16070/MAX16071的非易失故障存储器用于记录信息。故障日志会在内部闪存中记录故障,为了防止错误地擦除数据,还可设置锁存位保护存储的故障数据。MAX16070/MAX16071采用SMBus™或JTAG串口进行配置。MAX16070/MAX16071采用40引脚、6mm x 6mm TQFN封装。两款器件均工作在-40°C至+85°C温度范围。
关键特性
工作电压范围为2.8V至14V
±2.5%电流监测精度
精度为1%的10位ADC,用于监测12/8路电压输入
单端或差分输入ADC,用于系统电压/电流监测
集成高边检流放大器
12/8路输入监测具有过压/欠压/预报警门限
非易失故障事件记录器
两个可编程故障输出和一个复位输出
八个通用输入/输出可配置为:
专用故障输出
看门狗定时功能
手动复位
裕量调节使能
SMBus (带超时检测)和JTAG接口
通过闪存可配置延时和门限
-40°C至+85°C工作温度范围
关键字:MAX16070 MAX16071 闪存 监测器
编辑:神话 引用地址:MAX16070/MAX16071闪存可配置系统监测器
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:38
Q1全球NOR闪存市场新排名 Spansion 勇夺桂冠
据外电报道,市场调研机构iSuppli公司公布最新调查报告称,今年第一季度在全球NOR闪存芯片市场,AMD公司和富士通公司的合资企业Spansion公司获得了全球第一的位置。 调研公司表示,今年第一季度Spansion公司 NOR 存芯片的销售收入达到5.62亿美元,尽管比去第四季度6.01亿美元的销售收入下降了6.5%,但仍然夺取了全球第一名;排名第二的是英特尔公司,它的 NOR 闪存芯片的销售收入为5.37亿美元,比去年第四季度6亿美元的销售收入下降了10.5%; 欧洲意法半导体公司排在第三位,它的NOR 闪存芯片的销售收入为3.27亿美元,比去年第四季度3.35亿美元的销售收入下降了2.4%。 调研公司资深分析师Mark
[焦点新闻]
ReRAM存储来袭:比闪存快20倍
初创公司Crossbar近日发布了一款全新的ReRAM存储芯片。ReRAM一直被认为是未来闪存的替代方案,前者能在单块芯片上存储1T数据,存取速率比后者快20倍。如果这类芯片能够投入量产,将极大地冲击全球600亿美金的闪存市场。 在很长一段时间内,闪存一直作为电子工业非常重要的基石——它的应用从iPhone、平板到数码相机等各式各类的数码电子——支撑起全球估值1.1万亿美金的消费市场。 但Crossbar表示ReRAM(又称RRAM)的出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新。也正是因为这样的潜力,Crossbar目前已经从Kleiner Perkins Caufield & Byers,Artiman Vent
[手机便携]
“NAND闪存+SSD主控”自主格局将形成?忆芯推出SSD主控新品
近日,忆芯科技在2018美国硅谷闪存峰会上正式推出其第二代NVMe主控STAR1000P,这是继去年11月推出首代产品STAR1000之后的又一重要举措。 助力数据中心关键应用,满足工业及企业级高可靠性 全新的STAR1000P具有高性能低功耗的特点,由于引入了DVFS技术、优化了动态时钟门控,在全性能模式下的功耗仅为2W左右。STAR1000P主机接口为PCIe Gen3 x4,支持NVMe 1.3协议、8闪存通道、最大8TB Flash容量,可实现3.5GB/s和3GB/s的顺序读写、600K IOPS的随机读写性能以及最低8us的写延迟。对比第一代STAR1000 3GB/s和2GB/s顺序读写的性能指标,
[手机便携]
东芝闪存业务出售N.0版,西部数据又被抛弃了?
东芝公司证实,目前正专注于与贝恩资本财团谈判,希望能在月底前达成芯片部门出售协议。 有两位知情人士的消息称,由于与西部数据的谈判再次搁浅,东芝现倾向于将旗下芯片业务部门出售给贝恩资本财团。 对此,东芝在一份声明中称,已与贝恩资本财团签署谅解备忘录。接下来,双方会加速谈判进程,希望能在9月底前签署协议。 但东芝同时指出,这份谅解备忘录不具法律约束力,因此不妨碍东芝与其他潜在竞购方继续谈判。 西部数据对此表示,对东芝的行为感到意外和失望。西部数据在一份声明中称:“我们对自身保护合资公司权益的能力充满信心,我们同时还拥有出售该部门的同意权。”
[嵌入式]
集邦:4月上旬闪存芯片价格创7个月新高
据韩国媒体报道,内存调研公司集邦科技发布最新研究数据,今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平,一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
来自集邦科技的数据显示,四月上旬16Gb MLC NAND闪存芯片的合约价为3.78美元,较三月下旬上涨了1.07%。
一般闪存芯片的合约价每月发布两次。该合约价是继去年九月以来达到的最高水平,去年九月闪存芯片的合约价为3.80美元。据悉,自二月下旬闪存芯片的价格一直在上涨。
NAND 根据相关数据,三月上旬闪存芯片的价格较二月下半
[嵌入式]
东芝闪存业务备受追捧 富士康到日本买技术胜算不大
关于东芝闪存业务的买家和竞价消息仍在持续流出,市场都在密切关注这个百年老店的“金蛋”会落入谁家。 闪存是如今包括手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式移动设备必不可少的组件。以集邦咨询2016年第三季度NAND闪存市场的数据为参考,东芝闪存芯片以19.8%的市场份额仅次于三星电子的36.6%,市场地位不容小觑。且闪存芯片自去年以来出现了供应紧张状况,价格正在不断上涨。而为了挽救财务危机,东芝不得不忍痛割肉。 根据IC Insights此前公布的2016年全球前20半导体企业预测,营收方面,美国有8家企业进入前20,日本、欧洲与中国台湾地区各有3家,东芝位列第9,索尼和瑞萨分列第15和17。 综合开发研究院(中国·深
[半导体设计/制造]
雷军与周鸿祎争执BOM,闪存价格到底多少?
近日,雷军与周鸿祎针对小米手机的利润争执不下,BOM中的闪存成为争执的焦点。周鸿祎认为小米利润超高,每台赚了800元甚至1000元,雷军则回应:“小米手机用的是三星1G RAM和4G ROM模组。周总造谣说小米采购$10,但小米是创业公司,目前采购成本远远超过了周总说的价钱。我们想请周总帮忙,用$10买三星正品1G手机内存,另外每片可以再付给周总至少$10辛苦费。” 由于智能手机对于闪存/内存的越来越高要求,此部分的价格已成为智能手机成本的TOP3,高端机甚至是TOP1。加上此领域新的技术eMMC和eMCP的采用,让不少人都变得雾里看花,摸不清楚。昌旭请教了此方面的高人(为保护受访人,暂时让他隐身,因为近来水军确是太厉
[手机便携]
三星制成0.08毫米半导体衬底 今年有望实现商用
三星电机(Samsung Electro-mechanics Co.)日前宣布其制成了全球最薄的半导体衬底。据悉,三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米,比普通的纸还要薄。该公司称,该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。
一位公司发言人在一份声明中说道:“新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。”他还补充道,新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前,最薄的衬底厚度为0.1毫米,同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。
三星电机称,新衬底的样品已送往全球各地的半导体制造商接受测试。测试顺利通过的话,该产品将在今年晚些时候实现商用。
[焦点新闻]