超低静态电流LDO稳压器最佳选型详解

最新更新时间:2013-01-18来源: 互联网关键字:超低  静态电流  LDO  稳压器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
静态电流差异及其对电池使用时间的影响

  下面将更密切地审视数据表中的静态电流规格与实际测量结果的比较。在某些情况下,数据表中标明的数据可能会与实际测量值差异极大。我们将确定要查看的某些参数,从而避免电流消耗超出预计。

  例如,我们可以考虑都带有自适应接地电流配置的两款极相似的LDO:典型IQ为10 μA的NCP702及典型IQ为11 μA的某LDO竞争器件。表2显示了IOUT为0 μA时数据表静态电流值及IOUT为10 μA和50 μA的实际接地电流消耗测量值。

  安森美半导体NCP702及LDO竞争测量值与数据表值比较

  表2:安森美半导体NCP702及LDO竞争测量值与数据表值比较

  在NCP702的案例中,IOUT为10 μA时测得的IGND值与数据表中的IQ值极为接近。相比较而言,竞争器件在IOUT为10 μA时的实际IGND测量值要比数据表中的IQ值高出约49%。

  静态电流的差异对电池使用时间到底有多大的影响?这个问题还不能简单而论,它跟LDO的具体终端应用有关。安森美半导体以使用LDO将电池电压向下转换并为负载提供电流的应用为例,基于NCP702和上述LDO竞争器件进行了测试比较。结果显示,在IOUT为40 μA的轻载条件下,NCP702节省能耗约20%。但较大负载时,由于LED接地电流相对于从电池吸收的输出电流较小,就没有明显的节省能耗优势了。

  负载电流变化对电池使用时间的影响

  LDO输出电流极少保持恒定,我们可以扩展研究范围,考虑负载电流变化的情况。通常在这类应用中,采用LDO稳压器供电的电路会在休眠模式与工作模式之间转换。例如,图8显示了占空比为10%的某应用的负载电流特性。负载在休眠模式下消耗40 μA电流,工作模式下电流消耗为100 mA。在输出电流为40 μA时,NCP702将增加11.1 μA的接地电流,故总电池电流为51.1 μA。相同输出电流时,LDO竞争器件增加的接地电流为21.4 μA,相应消耗的总电池电流为61.4 μA。两者之间相差20.2%。这表示在休眠模式下NCL704能节省电池电量消耗。图9显示的则是NCP702在不同占空比时能够节省的电池电量。

  负载电流特性示例

  图8:负载电流特性示例

  不同占空比时节省的电池电量

  图9:不同占空比时节省的电池电量
LDO进入压降区时的接地电流

  LDO另一项很重要但又常常被轻视的参数就是LDO在进入压降条件下的接地电流消耗。在锂离子电池或锂聚合物电池供电的产品中,常见使用LDO来高能效地对电源稳压,产生3.3 V或3.1 V输出电压。然而,随着电池放电,电池电压衰减,LDO的输入电压VIN可能接近输出电压VOUT,到达LDO稳压器进入压降区的那个点。在这种情况下,市场上的大多数超低IQ LDO将开始消耗明显高得多的接地电流,超出数据表中标出的值。图10所示的不同输入电压条件下的IGND关系图可以说明这一点。

  IGND vs. VIN示例

  图10:IGND vs. VIN示例

  如图10所示,在压降区,LDO开始消耗多达100 μA电流。为了在功率敏感型应用中解决这个问题,建议增加带可调节迟滞特性的极低功率监控器,用于在负载移除后恢复电池电压。在某些迟滞特性不充足的情况下,带闩锁输出的其它电压检测器可能更适合。但这将导致需要使用按钮或来自电池充电控制器的信息来清除闩锁。

  安森美半导体最新世代的超低IQ LDO整合了集成压降条件检测器,可以防止低输入电压条件下接地电流上升。集成了这种理念的器件包括NCP702和NCP4681等。

  小结:

  传统上,改善LDO稳压器的电流消耗表示要损及动态性能。新的工艺技术及设计技巧带来像安森美半导体提供的系列超低静态电流LDO稳压器能够更好地结合低静态电流和动态性能。本文指出了设计人员在选择LDO时应该顾及的一些因素,包括密切注意LDO数据表,理解器件的具体工作特性,进行根据应用的关键要求选择适合的方案。

  安森美半导体超低IQ LDO稳压器产品系列(*表示工作模式可藉AE引脚来选择)

  表3:安森美半导体超低IQ LDO稳压器产品系列(*表示工作模式可藉AE引脚来选择)

关键字:超低  静态电流  LDO  稳压器 编辑:神话 引用地址:超低静态电流LDO稳压器最佳选型详解

上一篇:超低静态电流LDO稳压器最佳选型详解(一)
下一篇:太阳能光伏产品的智能高效设计方法

推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:57

STM8 AWU超低功耗模式
__interrupt void AWU_IRQHandler(void) { AWU- CSR = AWU- CSR; /* 清除更新中断标志位 */ } void Enter_Halt() { CLK_DeInit(); AWU_DeInit(); AWU_Cmd(ENABLE); CLK_SlowActiveHaltWakeUpCmd(ENABLE);//进入超低功耗模式 asm( halt ); } 欢迎使用Markdown编辑器写博客 本Markdown编辑器使用 StackEdit 修改而来,用它写博客,将会带来全新的体验哦: Markdown和扩展Mark
[单片机]
意法半导体推出最高频率最宽带宽的集成化微波射频合成器
中国,2016年1月27日 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布推出新款的集成微波宽带射频合成器 STuW81300单片,可覆盖1.925GHz至16GHz的射频频段,创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于III-V技术的低集成度的传统微波射频合成器相比,STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOS SiGe集成制造工艺,可降低组件成本,实现经济效益更高的多用途射频架构。 STuW81300整合了N型分频锁相环(PLL,phase-locked-loop)内核,以及低器噪宽带压控振荡器(V
[嵌入式]
奥地利微电子新款18V升压稳压器适用于移动终端中多种尺寸的显示器
中国,2013年4月8日——专为消费与通信、工业及医疗、汽车应用行业服务的全球领先高性能模拟IC设计及制造商奥地利微电子公司(SIX股票代码:AMS)今日宣布推出小型升压DC-DC稳压器AS1345,为移动产品中的中小型或大型显示器提供高效的电源。 这意味着生产具有不同尺寸显示器的移动终端产品生产商能够重复使用他们的显示器电源电路设计,节省开发时间并减少电路板组件和工具的成本。 AS1345提供100mA、200mA、350mA和500mA四种电感峰值电流限制的芯片版本,可以帮助设计师优化不同负载条件下的能效。AS1345有12V、15V和17V固定输出电压的芯片版本可供选择,设计师也可以选择5V至18V之间的输出电压
[电源管理]
瑞萨电子推出第8代IGBT以超低损耗特性提升系统功率
瑞萨第8代IGBT:G8H系列 2016年3月10日,日本东京讯 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的六款新产品,其可将用于太阳能发电系统的功率调节器中的转换损耗降至最低,并减少不间断电源(UPS)系统中的逆变器应用。推出的六种新产品额定功率分别为650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、40 A和75 A。瑞萨也为带内置二极管的1,250V IGBT实现了业界首款TO-247 plus封装,它为系统制造商提供了更大的电路配置灵活性。 凭借电源转换器领域设计低损耗IGBT的
[电源管理]
瑞萨电子推出第8代IGBT以<font color='red'>超低</font>损耗特性提升系统功率
TI推出首款适用空间受限应用的DDR内存终止线性稳压器
2016年7月20月,北京讯 德州仪器 (TI) 近日推出业内首款适合空间应用的双数据速率 (DDR)内存线性稳压器。TPS7H3301-SP是唯一一款不受每平方厘米高达65兆电子伏(MeV-cm2)单粒子效应影响的DDR稳压器,可为航天卫星有效载荷供电,其中包括单板计算机、固态记录器和其他内存应用。 由于集成了两个用于源端与宿端的单片功率场效应晶体管(FET)和一个内部电压参考,TPS7H3301-SP的尺寸比开关模式的稳压器DDR解决方案减小了50%。如需观看新型稳压器的现场演示以及了解TI的尖端抗辐射系列产品,敬请访问TI在近期2016年电气和电子工程师协会(IEEE)- 核与空间辐射效能会议(NSREC) 上的43
[电源管理]
适合便携式医疗仪器的高集成度电源IC
  采用最新“便携式”处理器的系统需要大量大电流、低压轨,典型情况为1.8V或更低。除了无数的低压轨,这些应用中很多还需要3V或3.3V电压轨,以给大型便携式硬盘驱动器、存储器、面向外部逻辑电路的I/O电源等供电。在嵌入式应用中,视电流需求的不同而不同,所有直接连接到处理器的电源电压都可以由高效率降压型DC/DC或LDO产生。   近来,这种同时要求高电源效率和高处理性能的需求也已经扩展到了工业和医疗便携式应用。作为最新和功能丰富的高端消费类便携式设备,手持式数据收集设备、坚固耐用的库存控制和跟踪设备、便携式气体检测仪、血液分析仪、便携式EKG设备以及其他便携式医疗设备,都需要类似甚至更高的电源效率和处理能力。此外,这些设备
[医疗电子]
适合便携式医疗仪器的高集成度电源IC
超低功耗MSP430单片机设计数据采集系统
1.MSP430单片机简介 MSP430是TI公司近几年推出的16位系列单片机,其最早是面向于驱动LED显示的应用设计,由于极好的应用效果和很大的市场潜力,TI很快将其发展为通用单片机。现已有X1XX、X3XX、X4XX几个系列,并且还在不断的发展。MSP430作为一种新型的单片机,采用了TI公司最新的低功耗技术,使其在众多的单片机中独树一帜。MSP430工作在1.8~3.6V电压下,有正常工作模式(AM)和4种低功耗工作模式(LPM1、LPM2、LPM3、LPM4),在电源电压为3V时,各种模式的工作电流分别为 AM:340uA、LPM1:70uA、LPM2:17uA、LPM3:2uA、LPM4:0.1uA。单片机可以方便的
[单片机]
用<font color='red'>超低</font>功耗MSP430单片机设计数据采集系统
Linear推出2.25MHz、同步降压型稳压器 LTC3564
2008 年 7 月 1 日, 凌力尔特公司 ( Linear Technology Corporation ) 推出高效率、 2.25MHz 、同步降压型稳压器 LTC3564 ,该器件采用 2mm x 3mm DFN 或 ThinSOT 封装,可以提供高达 1.25A 的连续输出电流。 LTC3564 采用恒定频率电流模式架构,在 2.5V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,非常适用于锂离子电池输入以及负载点应用的 3.3V 或 5V 输入。它可以产生低至 0.6V 的输出电压,能够为最新一代低压 DSP 和微控制器供电。它采用恒定 2.25MHz 开关频率,允许使
[电源管理]
Linear推出2.25MHz、同步降压型<font color='red'>稳压器</font> LTC3564
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关:

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved