可变增益放大器电路图

随着工艺进步，硅锗技术业已用于CDMA、GSM和 WLAN 应用中的高功率放大器，提供新一代集成解决方案 　　现今，硅锗 (silicon germanium, SiGe) 技术已经从一种富有潜力的技术，发展成为目前和新一代移动设备的先进解决方案，广泛应用于手机、无线局域网 (WLAN) 和蓝牙等产品。自上世纪 80 年代问世以来，SiGe 一直是那些追求低成本，并要求性能高于普通硅器件的高频应用开发人员最感兴趣的一种半导体材料。在无线通信应用中，这种技术已被广泛接受，用于下变频器、低噪声放大器 (low-noise amplifier, LNA)、前置放大器 (preamplifier) 和 WLAN 功率放大器 (power

射频功率放大器的宽带匹配设计 在很多远程通信、雷达或测试系统中，要求发射机功放工作在非常宽的频率范围。例如，工作于多个倍频程甚至于几十个倍频程。这就需要对射频功放进行宽带匹配设计，宽带功放具有一些显著的优点，它不需要调谐谐振电路，可实现快速频率捷变或发射宽的多模信号频谱。宽带匹配是宽带阻抗匹配的简称，是宽带射频功放以及最大功率传输系统的主要电路，宽带匹配的作用是，使射频功率放大管的输入、输出达到最佳的阻抗匹配，实现宽带内的最大功率放大传输。因此，宽带阻抗匹配网络的设计是宽带射频功放设计的主要任务。同轴电缆阻抗变换器简称同轴变换器，能实现有效的宽带匹配，可以为射频功率放大管提供宽频带工作的条件。同轴变换器具有功率容量大、频带宽

MCP6N11仪表放大器(INA)具有使能/VOS校准引脚(EN/CAL)和几个最小增益选项。它针对单电源操作进行了优化，支持轨到轨输入(无共模交越失真)和输出性能。两个外部电阻可用于设置增益，从而最大程度降低增益误差和温度漂移。参考电压(VREF)可以对输出电压(VOUT)电平移位。供电电压范围(1.8V至5.5V)足够低，可以支持许多便携式应用。所有器件在-40°C至+125°C的温度范围内完全满足电气规范。这些器件具有5个最小增益选项(1、2、5、10或100 V/V)。这使用户可以针对不同应用来优化输入失调电压和输入噪声。 特性 轨到轨输入和输出 可通过2个外部电阻设置增益 最小增益(GMIN)选项：1、2、5、10或10

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出零漂移运算放大器--LTC2063，该组件采用1.8V电源时，仅汲取1.3μA典型电流(最大值为2μA)。此微功率放大器保持不妥协的精准度，在25°C时最大输入失调电压为5μV，在–40°C至125°C范围内最大漂移为0.06μV/°C。在25°C时，最大输入偏置电流为15pA，在 –40°C至125°C范围内为100pA。此高精准度输入特性允许使用阻值很大的回馈网络电阻，因此可在不影响准确度的情况下保持低功耗，甚至在温度上升时也不例外。 Dust Networks营销经理Ross Yu表示，LTC2063实现了全新并可配置在任何地方的精准测量解决方案。其超低功率和高精准

具有低音控制的立体声电唱机放大器

三相逆变器电路 图2三相逆变器电路图 三相逆变器在正常工作时，其电路结构如图所示。 图中Qi(i=1，2，3，4，5，6）是开关器件，电阻R为负载，电感L、电容C组成滤波电路（这样的负载在UPS中很常用），Us为直流侧的供电电源，在图1中为滤波电容两端电压Ud。

交错叠加型准方波抵消纹波的变换拓扑结构电路图

变频器的控制，不外是启动，停止，正转，反转，调速这几样基本的逻辑，这些逻辑基本上要求是电平状态有效，而不是上升边缘有效，所以使用按钮开关控制变频器的时候，一般需要使用自保形式的按钮开关来完成，如果不是自保形式的，需要另外加中间继电器来做自保。 1、单开关启停 变频器只通过RUN端子给高电平，变频器就可以启动了，当开关断开，相当于RUN端子变成了低电平，变频器就停止运行了。 这种情况使用一个自保按钮开关就可以满足变频器的启停控制，多出来的一个开关，可以用来做故障复位，接到RST上，当然是用非保持的开关更理想，当变频器有故障的时候，按一下复位开关，就可以清楚变频器的故障了。 因为没有单独的电位器给定，这时候可以通过操作面板来给